Продукція > PMV
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PMV65 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PMV65ENEA,215 | Nexperia USA Inc. | Description: 2.7A, 40V, N CHANNEL, SILICON, M Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65ENEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 40V 2.7A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65ENEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 2.7A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65ENEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 2.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65UN,215 | Nexperia | MOSFET N-Chan 20V 2A | на замовлення 1784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65UN,215 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A TO236AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 183 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Obsolete Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 2.17W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65UNE,215 | NXP USA Inc. | Description: 2.8A, 20V, N CHANNEL MOSFET, TO Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65UNE-ML | MOSLEADER | Description: N 20V 3.4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65UNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65UNEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 N-CH 20V 2.8A | на замовлення 546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65UNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65UNEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65UNEAR | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 7064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65UNER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 603 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 291 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 490mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65UNER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV65UNER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.063 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | MOSFETs PMV65UNE/SOT23/TO-236AB | на замовлення 25430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65UNER | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XP | Nexperia | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XP | PHILIPS | 06+ SOT-23 | на замовлення 351001 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | MOSFETs PMV65XP/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 17800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV65XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.074 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV euEccn: NLR Verlustleistung: 833mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 8278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV65XP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.3 A, 0.074 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV euEccn: NLR Verlustleistung: 833mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 8278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 833mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 135mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 833mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XP,215 транзистор Код товару: 58607
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 20 V Струм стоку Id, A: 4,3 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,058 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 744/7,7 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| PMV65XP-TR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV65XP-T/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 833mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XP-TR | Nexperia | P-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XP-TR | Nexperia | MOSFETs PMV65XP-T/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XP-TR | Nexperia USA Inc. | Description: PMV65XP-T/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 833mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XP/MI215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XP/MIR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 4.17W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XP1215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPE | Nexperia | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPE215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPEA Код товару: 215732
Додати до обраних
Обраний товар
| Nexperia | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 20 V Струм стоку Id, A: 3,3 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 67 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 618/5 Примітка: 20 V, P-канальний Trench MOSFET Монтаж: SMD | у наявності: 30 шт
|
| ||||||||||||||||
| PMV65XPEA,215 | Nexperia USA Inc. | Description: 2.8A, 20V, P CHANNEL, SILICON, M Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPEA215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV65XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XPEAR | NXP Semiconductors | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 34890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPEAR | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -120mA Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 114mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPEAR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV65XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XPEAR | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XPEAR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPEAR | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.8A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XPER | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -12A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 114mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XPER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV65XPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 4395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.8A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPER | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PMV65XPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 4395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV65XPER | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPVL | Nexperia | MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.8A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPVL | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -16A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -16A Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV65XPVL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV6DW1BBLK | E-Switch | Description: SWITCH PB SPST 2A 24V Voltage Rating - DC: 24 V Part Status: Active Actuator Marking: No Marking Color - Actuator/Cap: Black Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Actuator Type: Round, Button, Domed Termination Style: Wire Leads Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Switch Function: On-Mom Type: Anti-Vandal Circuit: SPST Mounting Type: Panel Mount, Front Current Rating (Amps): 2A (DC) Packaging: Bulk | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV6DW1BBLK | E-SWITCH | Description: E-SWITCH - PMV6DW1BBLK - Vandalensicherer Schalter, PMV6 Series, 16 mm, SPST, Ein-(Ein), Rund, kuppelförmig, Schwarz tariffCode: 85365080 rohsCompliant: YES Schalteranschlüsse: Anschlussdrähte Betätiger-/Kappenfarbe: Schwarz hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Plattenausschnitt (H x B): - Schalterfunktion: Ein-(Ein) IP-Schutzart: IP67 usEccn: EAR99 AC-Kontaktstrom, max.: - euEccn: NLR DC-Kontaktstrom, max.: 2A Kontaktspannung V DC: 24V Farbe der Beleuchtung: - Durchmesser des Frontplattenausschnitts: 16mm Schaltermontage: Panelmontage Produktpalette: PMV6 Series productTraceability: No Druckknopf-Betätiger: Rund, kuppelförmig Kontaktkonfiguration: SPST Kontaktspannung V AC: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV6DW1BBLK | E-Switch | Pushbutton Switches ANTI-VANDAL, 2A 24VDC, SPST On-(On), Panel Mount, Front Wire Leads 500mm | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV6DW1BBLK. | E-SWITCH | Description: E-SWITCH - PMV6DW1BBLK. - ANTIVANDAL SW, SPST, 2A, 24VDC, BLK/CABL tariffCode: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV6DW2BBLU | E-Switch | Pushbutton Switches Anti-vandal Pushbutton SPST 2A, 24DC | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV6DW2BBLU | E-Switch | Description: SWITCH PB SPST 2A 24V Termination Style: Wire Leads Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Switch Function: Off-Mom Type: Anti-Vandal Circuit: SPST Mounting Type: Panel Mount, Front Current Rating (Amps): 2A (DC) Packaging: Bulk Voltage Rating - DC: 24 V Actuator Marking: No Marking Color - Actuator/Cap: Blue Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Actuator Type: Round, Button, Domed | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV6DW2BBLU. | E-SWITCH | Description: E-SWITCH - PMV6DW2BBLU. - ANTIVANDAL SW, SPST, 2A, 24VDC, BLU/CABL tariffCode: 85365080 rohsCompliant: YES Schalteranschlüsse: Wire Leaded Betätiger-/Kappenfarbe: Blue hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Plattenausschnitt (H x B): - Schalterfunktion: Off-(On) IP-Schutzart: IP67 usEccn: EAR99 AC-Kontaktstrom, max.: 0 euEccn: NLR DC-Kontaktstrom, max.: 2A Kontaktspannung V DC: 24V Farbe der Beleuchtung: Non Illuminated Durchmesser des Frontplattenausschnitts: 16mm Schaltermontage: Panel Mount Produktpalette: PMV6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Druckknopf-Betätiger: Round Flat Kontaktkonfiguration: SPST Kontaktspannung V AC: - directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV6DW2BRED | E-Switch | Description: SWITCH PB SPST-NO 2A 24V Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 2A (DC) Mounting Type: Panel Mount, Front Circuit: SPST-NO Type: Anti-Vandal Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Termination Style: Wire Leads Actuator Type: Round, Button, Domed Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia Color - Actuator/Cap: Red Voltage Rating - DC: 24 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV6DW3BRED | E-Switch | Description: Switches Packaging: Bulk Current Rating (Amps): 2A (DC) Mounting Type: Panel Mount, Snap-In Circuit: SPST-NO Type: Anti-Vandal Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -20°C ~ 65°C Termination Style: Wire Leads Actuator Type: Round, Button, Domed Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Panel Cutout Dimensions: Circular - 16.00mm Dia Color - Actuator/Cap: Red Voltage Rating - DC: 24 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PMV6DW3BRED | E-Switch | Pushbutton Switches ANTI-VANDAL, 2A 24VDC, SPST On-(Off), Panel Mount, Front Wire Leads 500mm | на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV6DW3BYEL | E-SWITCH | Description: E-SWITCH - PMV6DW3BYEL - ANTI-VANDAL SW, SPST, 2A, 24V, YELLOW tariffCode: 0 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| PMV6DW3BYEL | E-Switch | Pushbutton Switches ANTI-VANDAL, 2A 24VDC, SPST On-(Off), Panel Mount, Front Wire Leads 500mm | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

