Продукція > SI2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2301CDS-T1
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 8321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.37 грн
11+27.97 грн
100+17.96 грн
500+12.78 грн
1000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2301CDS-T1-BE3 - P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET 42AJ0549
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.06 грн
30+27.14 грн
100+17.32 грн
500+12.27 грн
1000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.83 грн
6000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.3A
на замовлення 72941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.21 грн
11+29.85 грн
100+16.71 грн
500+12.63 грн
1000+11.32 грн
3000+9.18 грн
6000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.68 грн
6000+15.29 грн
9000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI2301CDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
на замовлення 21387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.51 грн
27+30.61 грн
100+19.65 грн
500+13.91 грн
1000+11.53 грн
5000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 87331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.67 грн
10+32.23 грн
100+18.02 грн
500+13.74 грн
1000+12.36 грн
3000+10.49 грн
6000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 86031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+30.21 грн
100+19.47 грн
500+13.89 грн
1000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.68 грн
6000+15.29 грн
9000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.82 грн
6000+10.42 грн
9000+9.92 грн
15000+8.80 грн
21000+8.49 грн
30000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.33 грн
6000+9.98 грн
9000+9.50 грн
15000+8.42 грн
21000+8.12 грн
30000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3VishayTransistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.64 грн
14+30.25 грн
50+20.44 грн
100+17.28 грн
500+12.46 грн
1000+11.30 грн
1500+10.80 грн
3000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.69 грн
6000+14.72 грн
9000+11.46 грн
15000+10.97 грн
21000+10.06 грн
30000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 3.1A SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 339929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.01 грн
500+20.64 грн
1500+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3VishayTransistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3
Код товару: 155778
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.69 грн
6000+14.72 грн
9000+11.46 грн
15000+10.97 грн
21000+10.06 грн
30000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 79802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
11+29.17 грн
100+18.72 грн
500+13.34 грн
1000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+31.22 грн
631+22.49 грн
1000+20.51 грн
1500+18.88 грн
3000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.93 грн
18+43.00 грн
34+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 339929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.18 грн
50+60.08 грн
100+38.01 грн
500+20.64 грн
1500+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 405 @ 10, Qg, нКл = 10 @ 4,5 В, Rds = 112 мОм @ 2,8 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,86, 1,6, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+58.99 грн
100+32.45 грн
500+20.09 грн
1000+14.84 грн
3000+13.19 грн
24000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
6000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2301CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 411000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.58 грн
9000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2301CDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: P -20V 3.1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DS
Код товару: 45799
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DSVishay SiliconixMOSFET Transistor, P-Channel, TO-236 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DSVishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DSVISHAY09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DS A1
Код товару: 121952
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 20 V
Струм стоку Id, A: 1,5 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,145 Ohm
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DS A1VISHAY
на замовлення 57200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DS(A1SHB)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DS-EVEVVODescription: P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOS F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 503 pF @ 10 V
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.76 грн
35+8.68 грн
100+5.37 грн
500+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DS-EVEVVODescription: P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOS F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 503 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.96 грн
6000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DS-T
на замовлення 7882 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DS-T1VISHAYSOT23-3
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DS-T1-B3VISHAY
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DS-T1-E3-VISHAY
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DS-T1-E3--VISHAY
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DS-TI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DS-TI-E3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DS/015KN/A05+ SOT-23
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DS/A1nSO
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301DSA1
на замовлення 57200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301HDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 7378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.71 грн
20+16.59 грн
100+9.11 грн
500+6.77 грн
1000+6.01 грн
3000+4.97 грн
9000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301HDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2301HDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.55 грн
500+7.27 грн
1000+5.94 грн
5000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301HDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301HDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2301HDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A, 0.112 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.71 грн
48+16.83 грн
100+10.55 грн
500+7.27 грн
1000+5.94 грн
5000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301HDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301HE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301HE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
16+18.92 грн
100+11.99 грн
500+8.41 грн
1000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301N-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301N-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 19 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 159 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301N-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 19V 2.2A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301NDS
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301Q-TPAUMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301Q-TPAUMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301SBORNP-Channel -20V 2.3A 1V @ 250uA 210m? @ 1A,2.5V 1W SOT-23 MOSFETs SI2301S SOT23 BORN TSI2301s BORN
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301SMicrodiode ElectronicsSI2301S
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301S-2.3AMDDDescription: MOSFET SOT-23 P Channel 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301SOT89
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301W-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 19 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 208 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301W-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 19V 1.5A 3-Pin SOT-323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301W-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302Micro Commercial Components (MCC)MOSFETs 20V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302VISHAY11+ SOT-23
на замовлення 277105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302Microdiode ElectronicsSI2302
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5103+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 5103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302BORNN-Channel 20V 3A 1.5V @ 250uA 45m? @ 3A,4.5V 1.25W SOT-23 MOSFETs  SI2302 SOT23 BORN TSI2302 BORN
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302 2.9Akuu semiconductorTrans. N-MOSFET; 20V; 10V; 59mOhm; 2,9A; 1W; -55°C ~ 150°C; SI2302 2.9A SOT23 KUU TSI2302 KUU
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302 2.9A SI2302---MOSFET N-CH 1W 20V 2.9A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302(2AVOC)VISHAY09+
на замовлення 11018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302(A2)VISHAY09+
на замовлення 17018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302(A2SHB)
на замовлення 80498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302*A2SHB
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302-ADS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302-MLMOSLEADERDescription: 20V 2.1A 0.35W N Channel SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302-T1
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302-TP
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302-TP
Код товару: 117826
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 237 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CH 20V 3A 8.5S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 237 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302-TP SI2302MCC Corp.MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302/2301
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302/KIA2302
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302AUMWDescription: 20V 2.8A 1.25W 115MR@2.5V,3.1A 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
38+7.93 грн
43+7.00 грн
100+5.57 грн
250+5.10 грн
500+4.82 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]