Продукція > SID

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIDR626LEP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 218A; Idm: 300A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 135nC
On-state resistance: 2.1mΩ
Power dissipation: 150W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 218A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LEP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR626LEP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 218 A, 1500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 218A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR626LEP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.7A (Ta), 218A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+114.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3VishayN-Channel 40 V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
на замовлення 18003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8DC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.47 грн
10+118.58 грн
100+81.65 грн
500+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 8682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
на замовлення 18003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR638DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64.6A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 20A, 10V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.01 грн
10+126.73 грн
100+87.59 грн
500+68.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 104 A, 4800 µohm, PowerPAK SO-DC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.3A (Ta), 104A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET, PowerPAK SO-8DC
на замовлення 18008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.3A (Ta), 104A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.33 грн
10+135.63 грн
100+94.11 грн
500+74.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
на замовлення 9531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.33 грн
10+154.13 грн
100+107.68 грн
500+88.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 50932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+112.45 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+79.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+113.52 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT669 100V 95A N-CH MOSFET
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+90.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 80V (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 137A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.20 грн
10+152.39 грн
100+106.42 грн
500+87.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 32.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.93 грн
10+167.18 грн
100+117.37 грн
500+90.18 грн
1000+83.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 16182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
10+127.03 грн
50+97.10 грн
100+82.05 грн
500+66.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 95A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 125W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 21884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 33213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.36 грн
9000+54.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 33151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT669 100V 95A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.85 грн
10+131.48 грн
100+91.07 грн
500+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 95A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 125W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDSP-SD1280-101MSuntsu ElectronicsSIDSP-SD1280-101M
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+54.69 грн
500+45.26 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDSP-SD1280-101MSuntsu Electronics, IncDescription: FIXED IND 100UH SMD 2.4A 164MOHM
DC Resistance (DCR): 164mOhm Max
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 2.4 A
Inductance: 100 µH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.317" (8.05mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 3.36A
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+52.08 грн
50+41.17 грн
100+35.01 грн
500+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDSP-SD1280-101MSuntsu ElectronicsДросель SMD, L = 100 мкГн, Розм = 12 x 12 x 8,1 мм, Точн., % = 20, Ic = 2,4 А, Rdc, мОм = 164, Тексп, °C = -40...+125, Екранування = Так,... Індуктивності Корпус: 12x12x8.1mm Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
10+131.98 грн
100+118.78 грн
1000+97.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDSP-SD1280-330MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 33UH SMD 3.7A 67.5MOHM
Current Rating (Amps): 3.7 A
Inductance: 33 µH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.317" (8.05mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 5.68A
DC Resistance (DCR): 67.5mOhm Max
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+57.97 грн
50+45.57 грн
100+38.88 грн
500+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDSP-SD1280-470MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 47UH SMD 3.3A 85.8MOHM
Current Rating (Amps): 3.3 A
Inductance: 47 µH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.317" (8.05mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 4.6A
DC Resistance (DCR): 85.8mOhm Max
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+100.84 грн
50+87.69 грн
100+68.04 грн
500+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDV5545-20
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.