Продукція > SID

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIDR668ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET, PowerPAK SO-8DC
на замовлення 19117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.3A (Ta), 104A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.87 грн
10+134.09 грн
100+93.04 грн
500+74.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
на замовлення 9531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.55 грн
10+152.38 грн
100+106.45 грн
500+87.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 51452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+112.45 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO-DC EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+113.52 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT669 100V 95A N-CH MOSFET
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR668DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 80V (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 137A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.15 грн
10+149.47 грн
25+135.01 грн
100+111.93 грн
500+86.10 грн
1000+84.72 грн
3000+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.45 грн
10+150.66 грн
100+105.22 грн
500+86.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 32.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.92 грн
10+165.28 грн
100+116.04 грн
500+89.15 грн
1000+82.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 17282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.60 грн
10+123.05 грн
100+84.69 грн
500+64.07 грн
1000+60.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 33151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.53 грн
10+116.52 грн
100+85.99 грн
500+62.61 грн
1000+54.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
на замовлення 24656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.46 грн
6000+52.93 грн
9000+52.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIDR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 33213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.99 грн
500+62.61 грн
1000+54.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 20873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.45 грн
10+129.99 грн
100+90.04 грн
500+71.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Ta), 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR870ADP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT669 100V 95A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDSP-SD1280-101MSuntsu ElectronicsДросель SMD, L = 100 мкГн, Розм = 12 x 12 x 8,1 мм, Точн., % = 20, Ic = 2,4 А, Rdc, мОм = 164, Тексп, °C = -40...+125, Екранування = Так,... Індуктивності Корпус: 12x12x8.1mm Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10+131.98 грн
100+118.78 грн
1000+97.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDSP-SD1280-101MSuntsu ElectronicsSIDSP-SD1280-101M
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+54.69 грн
500+45.26 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDSP-SD1280-101MSuntsu Electronics, IncDescription: FIXED IND 100UH SMD 2.4A 164MOHM
DC Resistance (DCR): 164mOhm Max
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 2.4 A
Inductance: 100 µH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.317" (8.05mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 3.36A
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.22 грн
10+51.49 грн
50+40.70 грн
100+34.62 грн
500+28.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDSP-SD1280-330MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 33UH SMD 3.7A 67.5MOHM
Current Rating (Amps): 3.7 A
Inductance: 33 µH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.317" (8.05mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 5.68A
DC Resistance (DCR): 67.5mOhm Max
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+57.31 грн
50+45.06 грн
100+38.44 грн
500+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDSP-SD1280-470MSuntsu Electronics, Inc.Description: FIXED IND 47UH SMD 3.3A 85.8MOHM
Current Rating (Amps): 3.3 A
Inductance: 47 µH
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.317" (8.05mm)
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Current - Saturation (Isat): 4.6A
DC Resistance (DCR): 85.8mOhm Max
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Shielding: Shielded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm)
Package / Case: Nonstandard
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.36 грн
10+99.69 грн
50+86.69 грн
100+67.26 грн
500+60.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIDV5545-20
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8