Продукція > sPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SPB16N50C3Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB16N50C3INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB16N50C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 16A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C2E3045Infineon800 В 17 A 0,29 Ом 100 Вт D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; SPB17N80C3 TSPB17n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+198.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+393.78 грн
5+322.88 грн
25+290.17 грн
100+275.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 17 А, Ptot, Вт = 227, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2300, Qg, нКл = 177 @ 10 В, Rds = 290 мОм @ 11 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,9 В @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3
Код товару: 37324
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 800 V
Струм стоку Idd, A: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2300/88
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+122.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+471.45 грн
32+451.20 грн
50+434.01 грн
100+404.31 грн
250+363.00 грн
500+339.00 грн
1000+330.71 грн
2500+323.41 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+248.17 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+219.47 грн
200+164.54 грн
500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+183.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+148.22 грн
2000+134.03 грн
3000+129.60 грн
5000+116.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+266.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+178.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB17N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.29 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+332.45 грн
10+229.22 грн
50+219.47 грн
200+164.54 грн
500+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.17 грн
10+206.21 грн
25+161.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+238.12 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
на замовлення 7953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.75 грн
10+254.74 грн
100+180.97 грн
500+140.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+178.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3E3045 SPB17N80C3InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18N06P
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PINFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06P GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGInfineon TechnologiesDescription: SPB18P06 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGInfineon technologies
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
10+71.33 грн
100+47.79 грн
500+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 18.6A D2PAK-2
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
518+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 518 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB18P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.7 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85044090
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 81.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.37 грн
11+79.01 грн
100+52.51 грн
500+38.72 грн
1000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+38.53 грн
374+37.91 грн
380+37.30 грн
386+35.38 грн
500+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 81.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.78 грн
2000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.53 грн
25+37.91 грн
100+35.97 грн
250+32.76 грн
500+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+73.26 грн
265+53.56 грн
273+51.95 грн
500+46.28 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB18P06PGINCT-ND
на замовлення 10891 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB2Carlo GavazziIndustrial Hall Effect/Magnetic Sensors MAGNETIC RECTANGULAR PROX. SENSOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB2Carlo Gavazzi Inc.Description: SEN MAG PROX RECT BISTABLE
Packaging: Box
Package / Case: Box
Type: Switch
Operating Temperature: -25°C ~ 75°C
Termination Style: Wire Leads
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20-16PSWAmphenolConnector MIL Spec Circular
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB200-AL-1H&D Wireless ABDescription: WIFI EVK BOARD 802.11 B/G/N
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Type: Transceiver; 802.11 b/g/n (Wi-Fi, WiFi, WLAN)
Frequency: 2.4GHz
For Use With/Related Products: HDG200
Packaging: Bag
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2725.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB2000-PKSungaleDescription: BATT CHARGER POWERBANK
Part Status: Active
Termination Style: USB Micro
Type: Powerbank
Voltage - Input: 5V
Packaging: Retail Package
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+783.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB2000-YLSungaleDescription: BATT CHARGER POWERBANK
Voltage - Input: 5V
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
Termination Style: USB Micro
Type: Powerbank
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB204 EVKH&D Wireless ABDescription: EVK WI-FI SD CARD WITH HDG204
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: HDG204
Frequency: 2.4GHz
Type: Transceiver; 802.11 b/g (Wi-Fi, WiFi, WLAN)
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB2045DC COMPONENTSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 45V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.55V
Max. forward impulse current: 275A
Kind of package: reel; tape
Application: photovoltaic solar cell protection
Leakage current: 0.5mA
на замовлення 463 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.99 грн
11+39.25 грн
25+35.06 грн
100+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB205H&D Wirelesscomplete WLAN System In Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB205-AL-1H&D Wireless ABDescription: WIFI BOARD 802.11 BGN STM32
Part Status: Active
Supplied Contents: Board(s)
Type: Transceiver; 802.11 b/g/n (Wi-Fi, WiFi, WLAN)
Frequency: 2.4GHz
For Use With/Related Products: HDG205
Packaging: Bag
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2293.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB2050DC COMPONENTSCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 50V; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.55V
Leakage current: 0.5mA
Max. forward impulse current: 275A
Kind of package: reel; tape
Application: photovoltaic solar cell protection
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB209A-LRNMQ-1H&D WirelessCategory: IoT (WiFi/Bluetooth) modules
Description: Module: IoT; Bluetooth: 4.2; 17dBm; WiFi; GPIO,PCM,SDIO,UART; SMD
Type of communications module: IoT
Bluetooth version: 4.2
Transmitter output power: 17dBm
Kind of network: WiFi
Supply voltage: 3...3.6V DC
Interface: GPIO; PCM; SDIO; UART
Transfer rate: 433Mbps
Mounting: SMD
Dimensions: 14x14x2.5mm
Ciphering: WEP; WPA2; WPA
Receiver sensitivity: -98dBm
Number of terminals: 41
Operating system: Linux
Operating temperature: -40...85°C
Band: 2.4GHz; 5GHz
Kind of package: bag
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1874.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C2
Код товару: 126289
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C2INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 734 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+262.82 грн
5+215.53 грн
25+193.73 грн
100+183.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.47 грн
10+231.72 грн
100+163.68 грн
500+126.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+153.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB20N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+188.58 грн
200+144.92 грн
500+121.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+130.16 грн
2000+117.51 грн
3000+113.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+150.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB20N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.89 грн
10+220.28 грн
50+188.58 грн
200+144.92 грн
500+121.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C5
на замовлення 16350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 20A D2PAK-2 CoolMOS S5
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+229.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+230.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N65C3
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N10Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N10INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N10Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N10 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N10TInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3
Код товару: 115739
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+118.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB21N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.06 грн
500+112.46 грн
1000+94.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.10 грн
10+237.30 грн
100+167.88 грн
500+129.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 21A; 208W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 21A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+116.83 грн
2000+115.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB21N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.10 грн
10+175.57 грн
100+143.06 грн
500+112.46 грн
1000+94.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_LEGACY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+133.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+116.83 грн
2000+115.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB22-41PSWAmphenolMiniature Cylindrical Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]