Продукція > Jan
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|
| JAN2N3293 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3294 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3295 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3296 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3297 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3298 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3299 | MOTOROLA | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N329A | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N329B | MOTOROLA | на замовлення 3900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3300 | MOTOROLA | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3302 | MOTOROLA | на замовлення 43200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3309 | MOTOROLA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3309A | MOTOROLA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| Jan2N333 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N333A | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N335 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS NPN 45V 10MA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N335A | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3380 | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3381 | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3382 | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3383 | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3384 | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3385 | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3386 | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3387 | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3388 | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3389 | MOTOROLA | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| Jan2N3418 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 3A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3418 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3418S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3418S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 3A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3419 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JAN2N3419 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS NPN 80V 3A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3419 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3419S | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3419S | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS NPN 80V 3A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3420 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS NPN 60V 3A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3420 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| Jan2N3420S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 3A TO39 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 5µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3420S | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3421 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3421 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 3A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3421P | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3421P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3421S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3421S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 3A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/393 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3421U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 3A U4 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 300nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: U4 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3439 | MOT | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3439 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A TO39 Qualification: MIL-PRF-19500/368 Grade: Military Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3439 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3439L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3439L | NES | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3439L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A TO5 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Qualification: MIL-PRF-19500/368 Grade: Military Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3439P | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3439P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW PinD Test Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3439U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A U4 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: U4 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3439UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A UA Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/368 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3439UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N344 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3440 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A TO-39 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-39 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/368 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3440 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3440 | MOTOROLA | на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3440L | на замовлення 844 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JAN2N3440L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A TO-5 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/368 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3440L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Long-Lead Power BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3440U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 2UA U4 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: U4 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3440U4 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3440UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3440UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Power BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3441 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 140V 3A TO66 Grade: Military Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 4V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/369 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3441 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140V 3A 3W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3441 | MOTOROLA | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3442 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 140V 10A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3A, 4V Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 6 W Qualification: MIL-PRF-19500/370 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3442 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140V 10A 6W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3444 | MOTOROLA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3467 | MOTOROLA | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JAN2N3467L | Microsemi Corporation | Description: TRANS PNP 40V 1A TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3467L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3468 | MOTOROLA | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| Jan2N3468L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3485A | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 0.6A TO46 Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Grade: Military Supplier Device Package: TO-46 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/392 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3485A | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3485A/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3486 | MOTOROLA | на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| Jan2N3486A | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS PNP 60V 0.6A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3498 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3498 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3498/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3498L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3498L | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3498L/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3499 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3499 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3499/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3499L | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 100V 0.5A TO5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3499L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jan2N3499L/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3500 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3500 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JAN2N3500 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |