Продукція > MMB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 102 119 136 153 170 179  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
MMBT5401_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.5A; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.5A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.80 грн
6000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401_R1_00001PanJitTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401_R1_10001PanjitBipolar Transistors - BJT HIGHVOLTAGETRANSISTORPNPSilicon VCE-150V IC-500mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401_R2_00001PanjitBipolar Transistors - BJT HIGHVOLTAGETRANSISTORPNPSilicon VCE-150V IC-500mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5401_R2_10001PanjitBipolar Transistors - BJT HIGHVOLTAGETRANSISTORPNPSilicon VCE-150V IC-500mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550onsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550NS
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550RectronSOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(NPN)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550RectronBipolar Transistors - BJT SOT23 NPN 0.6A 160V HighVolt
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 21000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550onsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550(1F)
на замовлення 20250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550-FSFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 8453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5453+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 5453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN 160Vcbo 140Vceo 6Vebo 6Vebo 225mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.65 грн
45+6.73 грн
100+4.13 грн
500+2.81 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550L
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550Lonsemi SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1onsemiDescription: TRANS SS NPN 140V HV SOT23
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 34060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9458+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 9458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1ON07+;
на замовлення 17450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1onsemiBipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1onsemiDescription: TRANS SS NPN 140V HV SOT23
Part Status: Obsolete
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5550LT1 - MMBT5550LT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
на замовлення 6331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.66 грн
54+5.95 грн
100+3.18 грн
500+2.28 грн
1000+1.93 грн
3000+1.52 грн
6000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 101000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23256+1.52 грн
100000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 23256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+11.20 грн
117+6.89 грн
187+4.32 грн
500+2.90 грн
1500+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6638+2.14 грн
10564+1.34 грн
15000+1.33 грн
21000+1.27 грн
30000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 6638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.30 грн
6000+1.98 грн
9000+1.68 грн
24000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 37275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
53+5.68 грн
100+3.51 грн
500+2.39 грн
1000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GON-SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6173+2.30 грн
7143+1.98 грн
9000+1.68 грн
24000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 6173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.35 грн
6000+2.03 грн
9000+1.72 грн
24000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23256+1.52 грн
100000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 23256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.89 грн
6000+1.62 грн
9000+1.51 грн
15000+1.31 грн
21000+1.25 грн
30000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GOn SemiconductorNPN 140V 0.6A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 63571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.68 грн
1500+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6049+2.34 грн
6977+2.03 грн
9000+1.71 грн
24000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 6049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7979+1.78 грн
12000+1.60 грн
27000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 7979 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.07 грн
20000+1.80 грн
30000+1.70 грн
50000+1.49 грн
70000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1645 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT5550LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16556+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 16556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GonsemiBipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+8.30 грн
61+5.24 грн
100+2.76 грн
500+2.07 грн
1000+1.73 грн
2500+1.52 грн
10000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 73481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.20 грн
41+7.40 грн
100+4.60 грн
500+3.15 грн
1000+2.76 грн
2000+2.44 грн
5000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+13.59 грн
100+7.57 грн
171+4.44 грн
500+3.23 грн
1000+2.67 грн
2000+2.22 грн
5000+2.05 грн
10000+1.94 грн
20000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+5.81 грн
233+3.25 грн
236+3.20 грн
399+1.83 грн
415+1.63 грн
527+1.23 грн
1000+1.14 грн
3000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5550LT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.51 грн
6000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551FUXINSEMITransistor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO; MMBT5551 SOT23(T/R)3000) FUXINSEMI TMMBT5551 FUX
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Microdiode Electronics (MDD)Transistor Diode
на замовлення 4611000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10345+1.37 грн
2304000+1.26 грн
3456000+1.17 грн
4608000+1.07 грн
Мінімальне замовлення: 10345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 250mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 11223 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.16 грн
77+5.40 грн
128+3.26 грн
500+2.13 грн
1000+1.89 грн
3000+1.58 грн
6000+1.43 грн
9000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551HOTTECHNPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, h21=50...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.Description: TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+3.88 грн
134+2.24 грн
223+1.35 грн
500+0.88 грн
1000+0.75 грн
3000+0.64 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 23480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.00 грн
6000+1.71 грн
9000+1.60 грн
15000+1.38 грн
21000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551RectronBipolar Transistors - BJT SOT23,NPN,0.6A,160V,HighVolt
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 21000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551EVVODescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 374408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8696+4.07 грн
10000+3.64 грн
100000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 8696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551YANGJIE TECHNOLOGYCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551onsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551HOTTECHTransistor N-Channel MOSFET; 180V; 160V; 300; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551 China TMMBT5551 c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551DIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+9.83 грн
130+6.22 грн
208+3.88 грн
500+2.63 грн
1000+2.12 грн
5000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.93 грн
6000+0.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551onsemiBipolar Transistors - BJT SOT-23 NPN GEN PUR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.27 грн
6000+1.08 грн
9000+1.01 грн
15000+0.87 грн
21000+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.37 грн
6000+2.35 грн
9000+1.80 грн
15000+1.70 грн
21000+1.57 грн
30000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Fairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 205639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5769+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 5769 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH160V 300mW 200@10mA,5V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) MMBT5551 SOT23(T/R) CJ TMMBT5551 CJ
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551HT Jinyu SemiconductorNPN Transistor
на замовлення 166665000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10639+1.33 грн
60000+1.15 грн
300000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 10639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551
Код товару: 200829
2 Додати до обраних Обраний товар
JingdaoТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
у наявності: 2134 шт
  • 1952 шт - склад
  • 48 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 71 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 63 шт - РАДІОМАГ-Харків
15+1.40 грн
25+0.80 грн
100+0.64 грн
1000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551HY Electronic (Cayman) LimitedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3752.54 грн
100+3011.29 грн
1000+2409.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551MDDDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5929+2.39 грн
6000+2.37 грн
9000+1.80 грн
15000+1.72 грн
21000+1.58 грн
30000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 5929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Good-Ark SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.77 грн
65+4.64 грн
106+2.83 грн
500+1.92 грн
1000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551MDD(Microdiode Electronics)Transistor NPN; Bipolar; 300; 160V; 6V; 300MHz 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Substitute: MMBT5551-E; MMBT5551-LGE; MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; TCMBT5551; CMBT5551; MMBT5551 TMMBT5551 MDD
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4055+3.50 грн
4984+2.84 грн
6000+2.50 грн
9000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 4055 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Frequency: 100...300MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Yangzhou Yangjie ElectronicNPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551DIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.83 грн
130+6.22 грн
208+3.88 грн
500+2.63 грн
1000+2.12 грн
5000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551GOODWORKDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package: SOT-23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 23926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.10 грн
50+6.06 грн
100+3.70 грн
500+2.52 грн
1000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Diotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+8.30 грн
54+5.95 грн
100+4.35 грн
500+3.45 грн
1000+2.97 грн
3000+2.28 грн
9000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551EVVODescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.54 грн
60+5.01 грн
100+3.09 грн
500+2.09 грн
1000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 205639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8696+4.07 грн
10000+3.64 грн
100000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 8696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551onsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 380908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5769+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 5769 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551AnBonTransistor NPN; 250; 300mW; 180V; 600mA; 100MHz; -55°C~150°C; MMBT5551 TMMBT5551 ANB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551
Код товару: 160587
Додати до обраних Обраний товар
YangjieТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+2.00 грн
100+0.70 грн
1000+0.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 160V 300MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.99 грн
103+2.92 грн
168+1.79 грн
500+1.20 грн
1000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551LITEON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 4108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.99 грн
76+3.96 грн
124+2.42 грн
500+1.63 грн
1000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 4153
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+2.00 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 G1N/ASOT-23 05+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT5551 G1WEJTransistor NPN; 30; 200mW; 30V; 600mA; 300MHz SOT23; WEJ; Bipolar tranzistor MMBT5551 G1 WEJ TMMBT5551 G1 WEJ
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1500+0.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 34 51 68 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 102 119 136 153 170 179  [ Наступна Сторінка >> ]