Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF9230 | IR\MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9230 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9231 | International Rectifier | Description: 6.5A, 150V, 0.8OHM, P-CHANNEL PO Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Power Dissipation (Max): 75W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9231 | IR\MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9232 | International Rectifier | Description: 5.52001.2OHP-CHANNPOWMOSFET Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9232 | IR\MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9233 | International Rectifier HiRel Products | IRF9233 | на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9233 | International Rectifier | Description: MOSFET P-CH 150V 5.5A TO204AE Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A Power Dissipation (Max): 75W Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V | на замовлення 301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9233 | IR\MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9240 | International Rectifier | Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 10243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9240 | Renesas / Intersil | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9240 | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9240 транзистор Код товару: 62851
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF9240PBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9241 | IR\MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9242 | IR\MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9243 | IR\MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9310 Код товару: 60294
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF9310 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF9310 | IR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF9310PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 4.6mOhms 58nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9310PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9310PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9310PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 20 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9310PBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9310PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9310PBF Код товару: 66751
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF9310PBF-1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9310TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9310TR PE03R053. | ElecSuper | P-Channel 30V 21A 4.2W Surface Mount SOP-8 IRF9310TR(ES); IRF9310TR SOP-8 ELECSUPER TIRF9310 ES кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9310TR&-9-VB | VBsemi | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TR&-9 TIRF9310-9 VBS кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9310TR&-9-VB | VBsemi | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF9310TR UMW; IRF9310TR&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TR&-9 TIRF9310-9 VBS кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9310TR(ES) | ElecSuper | P-Channel 30V 21A 4.2W Surface Mount SOP-8 IRF9310TR(ES); IRF9310TR SOP-8 ELECSUPER TIRF9310 ES | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9310TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9310TRPBF Код товару: 185610
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF9310TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9310TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9310TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -20A 4.6mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9310TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 15, Qg, нКл = 165 @ 10 В, Rds = 4,6 мОм @ 20 A, 10 В, Ugs(th) = 2,4 В @ 100 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Очікується: 4 Од. вим кількість в упаковці: 4000 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9310TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9310TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9310TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9317 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9317PBF | International Rectifier | SO-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9317PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 6.6mOhms 31nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9317PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9317PBF транзистор Код товару: 60246
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF9317TR | International Rectifier | P-MOSFET 30V 16A 0.0066ohm IRF9317 TIRF9317 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9317TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10,2mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9317; IRF9317TR; SP001572200; SP001575412; IRF9317TR UMW TIRF9317 UMW кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9317TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9317TR | Infineon | P-MOSFET 30V 16A 0.0066ohm IRF9317 TIRF9317 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 3006 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9317TR | SLKOR | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 15A; 4,2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9317; IRF9317TR; SP001572200; SP001575412; IRF9317TR SLKOR TIRF9317 SLK кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 125 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9317TRPBF | International Rectifier | SO-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9317TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9317TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -16A 6.6mOhm | на замовлення 1698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9317TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 3940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9317TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9317TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9317TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9317TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 3186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9317TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9317TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9317TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 3190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9317TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9317TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9321 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF9321 SOIC8 Код товару: 43582
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF9321-HXY | HXY MOSFET | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13,5mOhm; 15A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9321; IRF9321TR; IRF9321TRXTMA1; SP001551656; SP001577608; SP005959349; IRF9321 HXY MOSFET TIRF9321 HXY кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9321PBF | International Rectifier | SO-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9321PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 15A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9321PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 7.2mOhms 34nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9321TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11,2mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9321; IRF9321TR; IRF9321TRXTMA1; SP001551656; SP001577608; SP005959349; IRF9321TR UMW TIRF9321 UMW кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9321TR | Infineon | P-MOSFET 30V 15A IRF9321, IRF9321TR IRF9321 TIRF9321 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1493 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9321TR | International Rectifier | P-MOSFET 30V 15A IRF9321, IRF9321TR IRF9321 TIRF9321 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 33 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9321TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9321TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15 A, 7200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9321TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9321TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 15A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9321TRPBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9321TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9321TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15 A, 7200 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9321TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9321TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 15A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9321TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT P-Ch -30V -15A 7.2mOhm | на замовлення 19842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9321TRPBF Код товару: 173434
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF9321TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9321TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Transistor-MOSFET P-Channel Enhancement-Mode 30V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9321TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9321TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Transistor-MOSFET P-Channel Enhancement-Mode 30V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9328 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9328PBF | Infineon | P-CH SO8 Транзистори | на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9328PBF Код товару: 39736
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF9328PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9328PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 11.9mOhms 8.5nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9328TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9328TR | Infineon | P-MOSFET 30V 12A 11.9mΩ 2.5W IRF9328 Inernational Rectifier TIRF9328 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 3940 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9328TR | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V | на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9328TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 5702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9328TRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF9328TRPBF - TRENCH < 40V tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRF9328TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -30V -12A 11.9mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9328TRPBF | Infineon | P-CH SO8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9328TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF9328TRPBF | International Rectifier HiRel Products | IRF9328TRPBF | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

