Продукція > 2N5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5168 | MOTOROLA | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5169 | MOTOROLA | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5169 | Solid State Inc. | Description: TO 48 20 AMP SCR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N516A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N517 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5170 | Solid State Inc. | Description: TO 48 20 AMP SCR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5171 | Solid State Inc. | Description: TO 48 20 AMP SCR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172 | Good-Ark Semiconductor | Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | на замовлення 5319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5172 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172 APM | Central Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5172 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 25V 0.1A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | на замовлення 1243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5172 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 100mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172 TRE | Central Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5172 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172 TRE PBFREE | Central Semiconductor | 2N5172 TRE PBFREE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 25V 100MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 25V,100mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172_D26Z | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92-3 Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172_D27Z | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO-92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172_D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172_D75Z | onsemi | Description: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5172_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5176 | MOTOROLA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5177 | MOTOROLA | на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5179 | Microchip Technology | RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5179 | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO-72 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Gain: 20dB Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz Supplier Device Package: TO-72 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5179 | Microsemi | Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 300mW 4-Pin TO-72 | на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5179 | MICROSEMI | TO72/RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS 2N5179 кількість в упаковці: 1000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5179 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN VHF Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5179 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO-72 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz Supplier Device Package: TO-72 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5179 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 20Vcbo 12Vceo 2.5Vebo 50mA 200mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5179 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 12V 50MA 200MW TH TRANSISTOR-SMA Packaging: Box Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Gain: 15dB Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz Supplier Device Package: TO-72 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5179 TIN/LEAD | Central Semiconductor | NPN Silicon Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5179-NRC | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N5179-NRC - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, 50mA, TO-7 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: TO-72 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 900MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C directShipCharge: 25 | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5179A | MOTOROLA | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N517A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N518 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5180 | MOTOROLA | на замовлення 11500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5181 | MOTOROLA | на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5182 | MOTOROLA | на замовлення 8900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5183 | MOTOROLA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5184 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5185 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5186 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5187 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5188 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5189 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5189 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 35V 5000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5189 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5189 TIN/LEAD | Central Semiconductor | NPN Silicon Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5189 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 35Vceo 5.0Vebo 5.0W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N518A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N519 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5190 | On Semiconductor | NPN 4A 40V TO-225AA Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5190 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP C77 NPN 4A 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5190 | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 40V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5190 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5190 | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 4A TO126 Packaging: Bulk Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 2MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5190 | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5190G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 4A TO-126 Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 2MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk | на замовлення 506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5190G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5190G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5190G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 4A; 40W; TO225 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 40V Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 25...100 Kind of package: bulk Case: TO225 Frequency: 2MHz Collector current: 4A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5190G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5190G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V | на замовлення 256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5191 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Power Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5191 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 60V 4A SOT-32-3 Power - Max: 40 W Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Supplier Device Package: SOT-32-3 Frequency - Transition: 2MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Tube Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V | на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5191 | On Semiconductor | TO126 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5191 | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5191 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5191 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 60V 4A SOT-32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: SOT-32-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5191 | MOTOROLA | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5191 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5191G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5191G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5191G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5191G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 40W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-225AA Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 10048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5191G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5191G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN | на замовлення 10985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5191G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 4A TO-126 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 2MHz | на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5191G | ONN | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2N5191G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5191G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 4A; 40W; TO225 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 40W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Current gain: 25...100 Kind of package: bulk Case: TO225 Frequency: 2MHz Collector current: 4A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5192 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5192 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5192 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 80V 4A SOT-32-3 Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-32-3 Frequency - Transition: 2MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5192 | ST | NPN 80V 4A 40W 2N5192G 2N5192 T2N5192 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2N5192 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Power Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5192 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2N5192 SL H | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 80V 4A TO-126 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

