Продукція > BD1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BD139CDILNPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140) Транзистори
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
19+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 11728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
50+52.35 грн
100+46.68 грн
500+34.46 грн
1000+31.45 грн
2000+28.92 грн
5000+25.75 грн
10000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139LUGUANG ELECTRONICCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Case: TO126
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139STNPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139CJNPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140) Транзистори
на замовлення 14 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
14+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.96 грн
36+22.84 грн
100+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139onsemiBipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD139STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 658308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139CDILNPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cd
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139 (КТ815Г)
Код товару: 4745
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+7.20 грн
100+6.50 грн
1000+5.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD139 100-250HT SEMITranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TO126 HT SEMI TBD13916 HTSEMI
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.00 грн
31+26.91 грн
100+18.21 грн
500+12.68 грн
1000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
на замовлення 16442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.55 грн
28+27.79 грн
100+24.43 грн
500+17.80 грн
1000+14.77 грн
2000+12.70 грн
4000+10.25 грн
10000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10STMicroelectronicsТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+12.48 грн
100+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 63...160
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.45 грн
15+28.51 грн
17+24.74 грн
50+17.95 грн
100+15.77 грн
500+11.99 грн
1000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10STTransistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; BD139-10 TBD13910 STM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.71 грн
38+21.54 грн
100+17.72 грн
500+12.45 грн
1000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10STMTO-126 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
50+41.33 грн
100+36.72 грн
500+26.84 грн
1000+24.39 грн
2000+22.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 11935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
511+27.73 грн
581+24.37 грн
768+18.42 грн
1000+15.91 грн
2000+13.19 грн
4000+10.22 грн
10000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 511 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10CDILTransistor NPN; 160; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Replacement: BD140-10; BD139.10; BD139-10-CDI; BD139-10 TBD13910
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 650 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 (SOT-32, STM)
Код товару: 161642
2 Додати до обраних Обраний товар
ST/CDILТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
Монтаж: THT
у наявності: 210 шт
  • 126 шт - склад
  • 34 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 23 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+9.00 грн
10+8.10 грн
100+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10 (TO-126, Fairchild)
Код товару: 49049
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+4.50 грн
100+3.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-10STUSTMicroelectronicsТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 63, Р, Вт = 12,5, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = вивідний, ізольований,... Транзистори Корпус: TO-126ISO Очікується: 500 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+50.12 грн
100+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16LGETranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 8223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
50+43.64 грн
100+38.80 грн
500+28.43 грн
1000+25.86 грн
2000+23.70 грн
5000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16STTransistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 428199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16LGETranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16STTransistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.19 грн
31+26.42 грн
100+17.88 грн
500+11.40 грн
1000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16LGENPN, bipolar, 80V, 1.5A, TO126 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16ARKTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW SOT32-3 BD139-16 TBD13916 c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16JSMSEMITransistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16
Код товару: 152947
Додати до обраних Обраний товар
LGEТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-32
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+4.30 грн
100+3.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16STMicroelectronicsТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16LUGUANG ELECTRONICCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Case: TO126
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.84 грн
100+6.12 грн
500+5.45 грн
2500+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16LGETranzystor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD139-16ST; BD139-16/FSC; BD139-16-CDI; BD139-16 TBD13916 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16STTransistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -65°C ~ 150°C; Replacement: BD140-16; BD139-16ST; BD 139-16; BD139-16 STM; BD139-16 TBD13916
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 428130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1544+9.16 грн
Мінімальне замовлення: 1544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16ONS/FAITO-126 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16YFWTransistor NPN; 250; 12,5W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Substitute: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 TO126 YFW TBD13916 YFW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI; BD139-16 JSMICRO TBD13916 JSM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - BD139-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+45.03 грн
35+23.74 грн
100+17.88 грн
500+12.60 грн
1000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16
Код товару: 182302
Додати до обраних Обраний товар
CDILТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-32
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+5.00 грн
100+4.30 грн
1000+3.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16STMTO-126 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16STMicroelectronicsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 32641
4 Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-32
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 100
Монтаж: SMD
у наявності: 305 шт
  • 269 шт - склад
  • 19 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 20 шт
  • 20 шт - очікується
4+6.00 грн
10+5.40 грн
100+4.80 грн
1000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16-CDI BD139-16CDILNPN, bipolar, 80V, 1.5A, 12.5W, TO126 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16STUFairchild/ON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 250 @ 150 мА, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 12,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний, ізольований,... Транзистори Корпус: TO-126ISO Од. вим: шт
кількість в упаковці: 60 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16STUONS/FAITO-126ISO Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
10+34.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-16STU (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 27206
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD139-6-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD139.16CDILNPN 1,5A 80V 12,5W 100 < beta < 250 Replacement: BD139-16-CDI; TBD139.16; BD139-16 CDIL TBD13916cd
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD139/STST08+;
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910SFairchild/ON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 63 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 250 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910SFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 3082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
826+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 826 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910SON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Bag
на замовлення 6999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1253+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 1253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910SonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
826+24.17 грн
Мінімальне замовлення: 826 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910SONSEMIDescription: ONSEMI - BD13910S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910SonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910SonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910SON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Bag
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1253+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 1253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STUONSEMIDescription: ONSEMI - BD13910STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 12.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.13 грн
18+46.33 грн
100+30.32 грн
500+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.09 грн
19+41.49 грн
100+33.75 грн
500+27.09 грн
1000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STUonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1219+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 1219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+41.49 грн
420+33.75 грн
504+28.10 грн
1000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13910STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.68 грн
19+41.27 грн
100+33.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916onsemiBipolar Transistors - BJT NPN/1.5A/80V TO-126
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916SONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 1.25W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916SON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916SonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916SONSEMIDescription: ONSEMI - BD13916S - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916SonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 7560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.94 грн
60+32.59 грн
120+26.73 грн
540+23.94 грн
1020+20.42 грн
2040+19.40 грн
5040+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1239+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 1239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916STUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
60+30.81 грн
120+27.32 грн
540+20.21 грн
1020+18.45 грн
2040+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916STUONSEMIDescription: ONSEMI - BD13916STU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.24 грн
24+33.98 грн
100+30.16 грн
500+21.81 грн
1000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 8100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+53.47 грн
500+34.27 грн
2000+28.51 грн
3900+27.28 грн
5800+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916STUonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 5473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916STUFairchild/ON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, hFE = 100 @ 15 мА, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 @ 50 мА, 500 мА, Р, Вт = 1,25, Тексп, °C = -55,,,+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 60 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916STUONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: TO126ISO
Current gain: 100...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.93 грн
13+34.72 грн
25+30.44 грн
60+26.92 грн
120+24.49 грн
540+19.88 грн
1020+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD13916STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 7560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+36.87 грн
436+32.51 грн
531+26.67 грн
571+23.89 грн
1020+20.36 грн
2040+19.35 грн
5040+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD1396S
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD1396SonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD1396STUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD1396STUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 22431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1024+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 1024 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD1396STUonsemiDescription: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1024+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 1024 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BD1396STUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 22431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1542+22.94 грн
10000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 1542 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]