Продукція > BSZ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
Bsz250HBEFuse: time-lag; glass type; current: 250mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.250MXP; 179120.0,25; 0034.3111 Fuse: time-lag; 250mA Bsz250
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ300N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.09 грн
10+123.86 грн
100+85.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ300N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ300N15NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 32A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3 G
Код товару: 194005
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+53.59 грн
275+51.44 грн
500+49.58 грн
1000+46.24 грн
2500+41.55 грн
5000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3 GInfineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 19291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GInfineon technologies
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.05 грн
12+64.48 грн
25+63.83 грн
100+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V
на замовлення 7461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.10 грн
100+33.63 грн
500+24.50 грн
1000+22.23 грн
2000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.027 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.85 грн
18+47.06 грн
100+32.76 грн
500+23.40 грн
1000+18.25 грн
5000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 23, Ciss, пФ @ Uds, В = 630 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 @ 12 A, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,5 @ 12 мкА, Р, Вт = 2,1 (Ta), 32 (Tc), Тексп, °C = -55...+105, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TSDSON-8 Од. вим: ш
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 6A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+49.17 грн
315+44.96 грн
317+44.72 грн
500+35.12 грн
1000+30.37 грн
5000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz400HBEFuse: time-lag; glass type; current: 400mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.400MXP; 179120.0,4; 0034.3113 Fuse: time-lag; 400mA Bsz400
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz400HBEFuse: time-lag; glass type; current: 400mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.400MXP; 179120.0,4; 0034.3113 Fuse: time-lag; 400mA Bsz400
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 223 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ42DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.371 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33.8W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.371ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.371ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.06 грн
10+104.04 грн
100+77.63 грн
500+60.53 грн
1000+43.13 грн
2500+41.73 грн
5000+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.10 грн
10+91.40 грн
25+90.64 грн
100+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 250, Id = 5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100, Qg, нКл = 5,5 @ 10 В, Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА, Р, Вт = 33,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TSDSON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+122.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 10958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.08 грн
10+53.29 грн
100+41.87 грн
500+36.85 грн
1000+33.71 грн
2000+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 13057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 76770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3G
Код товару: 155825
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 50 V
на замовлення 6182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+50.65 грн
100+33.26 грн
500+24.22 грн
1000+21.97 грн
2000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 49586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.044 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 97764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.35 грн
19+43.81 грн
100+32.11 грн
500+24.91 грн
1000+19.72 грн
5000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz500HBEFuse: time-lag; glass type; current: 500mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-500-R; 0213.500MXP; 179120.0,5; 0034.3114; 522.514 Fuse: time-lag; 500mA Bsz500
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 158 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz500HBEFuse: time-lag; glass type; current: 500mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-500-R; 0213.500MXP; 179120.0,5; 0034.3114; 522.514 Fuse: time-lag; 500mA Bsz500
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.07 грн
103+138.58 грн
250+133.01 грн
500+123.64 грн
1000+110.74 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 24297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1
Код товару: 219495
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.052 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.64 грн
10+123.55 грн
100+85.35 грн
500+63.02 грн
1000+51.63 грн
5000+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 75 V
на замовлення 4602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.22 грн
10+106.42 грн
100+72.01 грн
500+53.74 грн
1000+49.29 грн
2000+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 21A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 20673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ6-SS-112LKLSРеле 12В, SPDT Реле електромеханічні та геркони
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
9+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz630HBEFuse: time-lag; glass type; current: 630mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213.630MXP; 179120.0,63; 0034.3115 Fuse: time-lag; 630mA Bsz630
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz800HBEFuse: time-lag; glass type; current: 800mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.800MXP; 179120.0,8; 0034.2515 Fuse: time-lag; 800mA Bsz800
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Bsz800HBEFuse: time-lag; glass type; current: 800mA; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218.800MXP; 179120.0,8; 0034.2515 Fuse: time-lag; 800mA Bsz800
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3 GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
на замовлення 15211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 5814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3 GInfineon
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.05 грн
10000+36.17 грн
15000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 16356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.95 грн
118+120.30 грн
148+96.19 грн
250+88.35 грн
500+70.18 грн
1000+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.73 грн
10+125.95 грн
25+120.30 грн
100+92.76 грн
250+81.80 грн
500+67.37 грн
1000+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.80 грн
500+40.76 грн
1000+35.18 грн
5000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V
на замовлення 23706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+94.57 грн
100+63.60 грн
500+47.22 грн
1000+43.21 грн
2000+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+89.92 грн
167+84.76 грн
192+73.70 грн
202+67.82 грн
1000+57.42 грн
2000+52.45 грн
5000+51.42 грн
10000+49.87 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.50 грн
15+57.31 грн
100+50.80 грн
500+40.76 грн
1000+35.18 грн
5000+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs 200V 15.2A PG-TSDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 4841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.25 грн
10+96.73 грн
100+68.04 грн
500+50.65 грн
1000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.18 грн
10000+41.79 грн
15000+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 12310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+86.84 грн
10000+83.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.87 грн
500+48.46 грн
1000+40.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+86.84 грн
10000+83.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ900N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 30262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.01 грн
10+106.95 грн
100+72.37 грн
500+54.02 грн
1000+49.56 грн
2000+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BszA01.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 1A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-1-R/BK1; 179120.1; 0034.3117; 0213001.MXP; 0218001.MXP; 522.517 Fuse: time-lag; 1A BszA01.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BszA01.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 1A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-1-R/BK1; 179120.1; 0034.3117; 0213001.MXP; 0218001.MXP; 522.517 Fuse: time-lag; 1A BszA01.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BszA01.25HBEFuse: time-lag; glass type; current: 1,25A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: BK1/S506-1.25-R; 02181.25MXP; 179120.1,25; 0034.3118 Fuse: time-lag; 1,25A BszA01.25
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 8529 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BszA01.60HBEFuse: time-lag; glass type; current: 1,60A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-1.6-R/BK1; 021301.6MXP; 021801.6MXP; 179120.1,6; 0034.3119 Fuse: time-lag; 1,6A BszA01.60
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BszA02.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 2A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213002.MXP; 0218002.MXP; 179120.2; 0034.3120 Fuse: time-lag; 2A BszA02.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BszA02.50HBEFuse: time-lag; glass type; current: 2,5A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-2.5-R/BK1; 021302.5MXP; 179120.2,5; 0034.3121; 522.521 Fuse: time-lag; 2,5A BszA02.50
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6935 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BszA03.15HBEFuse: time-lag; glass type; current: 3,15A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-3.15-R/BK1; 02183.15MXP; 02133.15MXP; 179120.3,15; 0034.3122 Fuse: time-lag; 3,15A BszA03.15
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BszA03.15HBEFuse: time-lag; glass type; current: 3,15A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-3.15-R/BK1; 02183.15MXP; 02133.15MXP; 179120.3,15; 0034.3122 Fuse: time-lag; 3,15A BszA03.15
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 14800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BszA04.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 4A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-4-R/BK1; 0218004.MXP; 0218004.MXP; 179120.4; 0034.3123 Fuse: time-lag; 4A BszA04.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BszA04.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 4A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-4-R/BK1; 0218004.MXP; 0218004.MXP; 179120.4; 0034.3123 Fuse: time-lag; 4A BszA04.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BszA04.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 4A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-4-R/BK1; 0218004.MXP; 0218004.MXP; 179120.4; 0034.3123 Fuse: time-lag; 4A BszA04.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BszA05.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 5A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: S506-5-R/BK1; 0213005.MXP; 0218005.MXP; 179120.5; 0034.3124 Fuse: time-lag; 5A BszA05.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 7825 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BszA06.30HBEFuse: time-lag; glass type; current: 6,3A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 021806.3MXP; 179120.6,3; 0034.3125 Fuse: time-lag; 6,3A BszA06.30
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 8555 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BszA08.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 8A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0218008.MXP; 179120.8; 0034.3126 Fuse: time-lag; 8A BszA08.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BszA10.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 10A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0213010.MXP; 179120.10; 0034.3127 Fuse: time-lag; 10A BszA10.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BszA15.00HBEFuse: time-lag; glass type; current: 15A; voltage: 250VAC; dimensions: 5x20mm; equivalent: 0213015.MXP Fuse: time-lag; 15A BszA15.00
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZS-200-1Lingva-S d.o.o.Трафарет сталь 0,13мм Сторона: ТОР Розніми IDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZS-300-2Lingva-S d.o.o.Трафарет сталь 0,13мм Сторона: ТОР Розніми IDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9