Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK6D125-60EX | Nexperia | MOSFETs SOT1220 N-CH 60V 7.4A | на замовлення 5688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D125-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 35835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D125-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A/7.4A 6DFN Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 7.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D125-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D125-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.4 A, 0.092 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 35835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D16-30EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D16-30EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOS DISCRETES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.8mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D20-40EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D20-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D20-40EX | Nexperia | MOSFETs SOT1220 N-CH 40V 19A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D20-40EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D20-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D210-60EX | Nexperia | MOSFETs SOT1220 N-CH 60V 2.1A | на замовлення 14166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D210-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A/5.7A 6DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 5.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 6996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D210-60EX | Nexperia | 60 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D210-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 2.1A/5.7A 6DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 5.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D215-80PX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK6D215-80P/SOT1220/DFN2020MD Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D22-30EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A/22A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D22-30EX | Nexperia | 30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D22-30EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A/22A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D22-30EX | Nexperia | 30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D22-30EX | Nexperia | MOSFETs SOT1220 N-CH 30V 7.2A | на замовлення 4176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D23-40EH | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D23-40EH | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D23-40EH | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D23-40EH | Nexperia | MOSFETs SOT1220 N-CH 40V 8A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D23-40EH | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D23-40EH | Nexperia USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D23-40EH | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D23-40EH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.017 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D23-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D23-40EX | Nexperia | MOSFETs SOT1220 N-CH 40V 8A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D23-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D23-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D23-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 8A/19A 6DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D23-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D23-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D23-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 8A/19A 6DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D23-40EZ | Nexperia | MOSFETs 40 V, N-channel Trench MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D230-80EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D230-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 5.1 A, 0.175 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.175ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D230-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A/5.1A 6DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 5.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D230-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 1.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D230-80EX | Nexperia | MOSFETs SOT1220 N-CH 80V 1.9A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D230-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 1.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D230-80EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D230-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 5.1 A, 0.175 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D230-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 1.9A/5.1A 6DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 5.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D230-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 1.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D30-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D30-40EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D30-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.023 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 19W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 19W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D30-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 6A/18A 6DFN Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D30-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D30-40EX | Nexperia | MOSFETs SOT1220 N-CH 40V 6A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D30-40EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D30-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.023 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 19W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D30-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 6A/18A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D38-30EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A/17A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D38-30EX | Nexperia | MOSFETs SOT1220 N-CH 30V 5.5A | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D38-30EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 5.5A/17A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 19W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D38-30EX | Nexperia | 30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D385-100EX | Nexperia | MOSFETs SOT1220 100V 3.7A N-CH TRENCH | на замовлення 7903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D385-100EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D385-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.28 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D385-100EX | Nexperia | 100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D385-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A/3.7A 6DFN Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 3.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D385-100EX | Nexperia | 100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D385-100EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D385-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.7 A, 0.28 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D385-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A/3.7A 6DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.5, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), 3.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D385-100EX | Nexperia | 100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D385-100EX | Nexperia | 100 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D43-40P | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D43-40P,115 | NXP | Trans MOSFET P-CH 40V 14A Automotive 6-Pin DFN-MD EP BUK6D43-40PX NEXPERIA TBUK6d43-40px кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 2735 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D43-40P,115 | Nexperia USA Inc. | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 588 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D43-40PX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D43-40PX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D43-40PX | Nexperia | MOSFETs SOT1220 P-CH 40V 6A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D43-40PX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D43-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.03 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 9480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D43-40PX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D43-40PX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D43-40PX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D43-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.03 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 9480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D43-40PX | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 40V 6A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D43-40PX | Nexperia | MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D43-60E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D43-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D43-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13 A, 0.032 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 327000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D43-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 5A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D43-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D43-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D43-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13 A, 0.043 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D43-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D43-60EX | Nexperia | MOSFETs SOT1220 N-CH 60V 5A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D43-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D43-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13 A, 0.043 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D43-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D56-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D56-60EX | Nexperia | MOSFET BUK6D56-60E/SOT1220/SOT1220 | на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D56-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 4A/11A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D56-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 4A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D56-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 4A/11A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D72-30EX | Nexperia | MOSFET BUK6D72-30E/SOT1220/SOT1220 | на замовлення 5455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D72-30EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4A/11A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D72-30EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D72-30EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.053 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 15W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D72-30EX | Nexperia | 30 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BUK6D72-30EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4A/11A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D72-30EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D72-30EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.053 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D77-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.6A 6DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 10.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D77-60EX | Nexperia | 60 V, N-channel Trench MOSFET BUK6D77-60EX BUK6D77-60EX TBUK6d77-60ex кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D77-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK6D77-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.6 A, 0.059 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 18.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 18.8W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 99835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D77-60EX | Nexperia | MOSFETs SOT1220 N-CH 60V 3.4A | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BUK6D77-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.6A 6DFN Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 10.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

