Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN2024UDH-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.20 грн
6000+7.19 грн
9000+6.83 грн
15000+6.03 грн
21000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.77 грн
39+20.70 грн
100+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 22690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
14+22.29 грн
100+14.21 грн
500+10.05 грн
1000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.85 грн
11+30.33 грн
100+18.29 грн
500+12.91 грн
1000+10.63 грн
3000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 810mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 3K
на замовлення 5969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.43 грн
10+35.41 грн
100+23.13 грн
500+18.57 грн
1000+15.60 грн
3000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0202 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 810mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 810mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.89 грн
31+26.74 грн
100+19.73 грн
500+14.36 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0202 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 810mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 810mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.73 грн
500+14.36 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 810mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.98 грн
6000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFX-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN2050
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.66 грн
500+20.64 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFX-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFX-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFX-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN2050
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.65 грн
26+31.09 грн
100+26.66 грн
500+20.64 грн
1000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 313460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
13+24.53 грн
100+11.86 грн
500+11.09 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.12 грн
500+13.09 грн
1000+9.66 грн
3000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 312000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.53 грн
6000+7.45 грн
9000+6.69 грн
15000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.22 грн
13+24.85 грн
100+12.08 грн
1000+8.22 грн
3000+7.18 грн
9000+6.49 грн
24000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.14 грн
28+28.83 грн
100+18.12 грн
500+13.09 грн
1000+9.66 грн
3000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.02 грн
11+30.96 грн
100+18.16 грн
500+14.29 грн
1000+12.91 грн
2500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 89867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.37 грн
10+30.06 грн
100+19.72 грн
500+14.86 грн
1000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UTS-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.38 грн
5000+9.79 грн
7500+9.67 грн
12500+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVT-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVT-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.48 грн
30+27.63 грн
100+24.24 грн
500+17.87 грн
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.24 грн
500+17.87 грн
1000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.90 грн
6000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UDiodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
на замовлення 19245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
23+13.54 грн
100+5.82 грн
500+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.91 грн
6000+4.07 грн
9000+3.42 грн
15000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3481+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 3481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 8002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.43 грн
16+20.56 грн
100+10.15 грн
1000+5.18 грн
3000+4.14 грн
9000+3.52 грн
24000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-13Diodes ZetexDual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.51 грн
10+34.61 грн
100+21.40 грн
500+20.92 грн
1000+17.33 грн
3000+8.84 грн
6000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.0185 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0185ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.74 грн
35+23.60 грн
100+21.34 грн
500+19.74 грн
1000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-7Diodes ZetexDual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.82 грн
6000+9.06 грн
9000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-7Diodes ZetexDual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.0185 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0185ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.34 грн
500+19.74 грн
1000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.64 грн
30000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.19 грн
13+24.61 грн
100+12.77 грн
500+9.94 грн
1000+8.91 грн
3000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2026UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.78 грн
20000+6.93 грн
30000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2026UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2026UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
12+25.13 грн
100+15.04 грн
500+13.07 грн
1000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2026UVT-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Mosfet
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2026UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.05 грн
6000+8.36 грн
9000+7.52 грн
30000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2026UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.37 грн
13+25.64 грн
100+9.94 грн
500+9.73 грн
1000+9.66 грн
3000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2026UVT-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 11.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027UPS-13Diodes ZetexN Channel MOSFET
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 8V to 24V FET Access Point Min RDSon
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.36 грн
10+44.14 грн
100+25.06 грн
500+19.33 грн
1000+17.53 грн
2500+14.84 грн
5000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.37 грн
5000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027UPS-13Diodes ZetexN Channel MOSFET
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.80 грн
5000+20.88 грн
10000+19.86 грн
12500+18.59 грн
25000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027UPS-13Diodes ZetexN Channel MOSFET
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.02 грн
7500+19.21 грн
15000+17.87 грн
22500+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027UPS-13Diodes ZetexN Channel MOSFET
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.80 грн
5000+20.88 грн
10000+19.86 грн
12500+18.59 грн
25000+16.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 10 V
на замовлення 12450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.49 грн
10+35.97 грн
100+24.88 грн
500+19.51 грн
1000+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027USSDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+17.11 грн
1000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027USS-13Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 29090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1077+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 1077 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 29090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.93 грн
20000+7.06 грн
30000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 20 24 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]