Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 8V 24V P-Ch 4.5A 45Vgs 1496
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 248118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V TSOT26
на замовлення 248118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 10 V
на замовлення 46531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
14+22.29 грн
100+15.11 грн
500+11.08 грн
1000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2066UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.025 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 5743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1537 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.67 грн
6000+8.59 грн
9000+8.22 грн
15000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2066UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2066UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.2 A, 0.025 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2067LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
на замовлення 231442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
13+23.18 грн
100+13.92 грн
500+12.10 грн
1000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.38 грн
6000+7.73 грн
9000+6.96 грн
30000+6.44 грн
75000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2067LVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.91 грн
6000+8.06 грн
15000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2067LVTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2068UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2068UFY4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
на замовлення 206290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
12+27.07 грн
100+18.42 грн
500+13.56 грн
1000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 530mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2015H4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.18 грн
6000+9.70 грн
9000+9.52 грн
15000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET P-CHAN.
на замовлення 19788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 530mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.60 грн
6000+9.09 грн
9000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2069UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.036 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2069UFY4Q-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN2015-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.51 грн
100+19.58 грн
500+13.97 грн
1000+12.55 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
11+29.32 грн
100+20.37 грн
500+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2070U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 4898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.7A; Idm: -20A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.7A
Gate charge: 17.8nC
On-state resistance: 74mΩ
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2070U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.6 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-WLB1015-6 T&R 3K
на замовлення 12605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A U-WLB1510-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UFY4Q-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN2015-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
16+19.30 грн
100+10.73 грн
500+8.61 грн
1000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2070UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.87 грн
6000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 370000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.46 грн
20000+8.44 грн
30000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 340000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7DiodesDMP2075UFDB-7 MOSFET P-CH 20V 3,8A 6UDFN Транзистори
на замовлення 13040 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
32+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -3A; Idm: -25A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.4W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 137mΩ
Pulsed drain current: -25A
Gate charge: 15nC
Drain current: -3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±8V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.49 грн
9000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+32.98 грн
25+27.49 грн
50+22.60 грн
100+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes INC.Транзистор польовий 2P, Udss, В = 20, Id = 3,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 642 @ 10, Qg, нКл = 8,8, Rds = 75 мОм, Ugs(th) = 1,4, Р, Вт = 0,7, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: UDFN-6 (Exp. Pad) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 31118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 771000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+16.16 грн
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 2819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+16.13 грн
1631+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-13Diodes ZetexP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.31 грн
20000+4.69 грн
30000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2075UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2077UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A X4-DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2077UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2077UCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4A X4-DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
14+21.99 грн
100+14.01 грн
500+9.89 грн
1000+8.85 грн
2000+7.96 грн
5000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2078LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2078LCA3-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.7A; Idm: -13A; 1.4W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: X4-DSN1006-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -13A
Drain current: -2.7A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.6Ω
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2078LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 10 V
на замовлення 29850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
15+21.02 грн
25+17.44 грн
50+14.26 грн
100+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2078LCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1006-3 T&R 10K
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2079LCA3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 810mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2079LCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2084UCA3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN0607-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.9A X2DSN1006-3
на замовлення 3196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
10+30.44 грн
100+20.69 грн
500+14.57 грн
1000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2088LCP3-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin X2-DSN T/R
на замовлення 579000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 790mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.38 грн
20000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-13Diodes ZetexDMP2090UFDB-13
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Transistors - Unclassified
Description: DMP2090UFDB-7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2090UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 790W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 790W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2090UFDB-7Diodes IncorporatedFilm Capacitors DC-LINK MKP 4 90.0 uF 600 VDC 35x50x57 PCM 52.5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-CH MOSFET
на замовлення 15123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
на замовлення 19653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+15.26 грн
100+9.58 грн
500+6.68 грн
1000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP2100U-7 DIODES TDMP2100U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.50 грн
6000+4.78 грн
9000+4.52 грн
15000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.