Продукція > FDB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDB8441-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Ch PowerTrench
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.46 грн
500+176.01 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.46 грн
500+176.01 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.46 грн
500+176.01 грн
1000+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442onsemiMOSFETs 40V N-Ch PowerTrench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
на замовлення 10541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+135.98 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.46 грн
500+176.01 грн
1000+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+185.46 грн
500+176.01 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V NCHAN PwrTrench
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 235860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
500+154.74 грн
1000+146.48 грн
10000+133.27 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 250170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+120.79 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
500+154.74 грн
1000+146.48 грн
10000+133.27 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB8442-F085 - FDB8442-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442-F085-FSFairchild SemiconductorDescription: 28A, 40V, 0.0029OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+120.79 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8442_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8443onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.41 грн
10+292.15 грн
25+240.24 грн
100+208.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8443onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8443-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-CHAN PwrTrench
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8443_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8443_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8443_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
на замовлення 167648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+80.99 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.43 грн
10+126.99 грн
100+101.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444onsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.52 грн
10+137.34 грн
100+95.27 грн
250+87.67 грн
500+78.01 грн
800+68.07 грн
2400+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB8444-F085 - FDB8444-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Ch PowerTrench
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444TSonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8445onsemi / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8445ONS/FAIMOSFET N-CH 40V 70A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8445Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.78 грн
10+196.32 грн
100+160.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8445fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8445Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8445-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V N-Ch PowerTrench
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8445_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8445_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8445_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8447Lonsemi / FairchildMOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.38 грн
10+157.98 грн
25+133.93 грн
100+117.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8447LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/50A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 20 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.26 грн
10+123.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8447LonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 15A/50A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8447LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8453LZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 20 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+275.24 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8453LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8453LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 16.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.88 грн
500+89.90 грн
1000+82.90 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8453LZonsemiMOSFETs 40V N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 50A; 3.1W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 3.1W
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZonsemi / FairchildMOSFETs 100V NCHAN PwrTrench
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.23 грн
10+81.77 грн
100+62.96 грн
500+51.02 грн
800+46.74 грн
2400+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V
на замовлення 6918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+64.82 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZON Semiconductor
на замовлення 705 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.95 грн
10+116.74 грн
100+80.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+201.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.02 грн
10+347.29 грн
25+344.74 грн
100+311.01 грн
250+259.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135ON Semiconductor
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135onsemi / FairchildMOSFETs PWM PFC COMBO
на замовлення 15946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.59 грн
10+238.17 грн
100+198.82 грн
500+197.44 грн
800+185.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.62 грн
10+316.05 грн
100+237.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+369.02 грн
41+347.29 грн
42+344.74 грн
100+311.01 грн
250+259.71 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135onsemiMOSFETs PWM PFC COMBO
на замовлення 13409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+486.46 грн
10+370.75 грн
100+236.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86360-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 7882 шт:
термін постачання 418-427 дні (днів)
1+468.74 грн
10+415.21 грн
25+341.03 грн
100+296.16 грн
500+251.97 грн
800+211.93 грн
2400+200.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86360-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86360-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86360-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86360-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86360-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.87 грн
10+300.57 грн
100+217.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86360_SN00307onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.22 грн
10+211.82 грн
100+189.27 грн
500+166.77 грн
1000+153.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+197.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.81 грн
10+236.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+166.77 грн
1000+153.26 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.51 грн
10+332.64 грн
100+236.79 грн
500+201.58 грн
800+169.82 грн
2400+161.54 грн
4800+156.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085ONN
на замовлення 765 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.20 грн
10+226.89 грн
25+223.68 грн
100+212.50 грн
250+193.89 грн
500+183.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363_F085Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+197.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363_F085Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+213.85 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86366-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86366-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86366-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86366-F085onsemi / FairchildMOSFET 80V 110A N-Chnl PowerTrench MOSFET
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.38 грн
10+175.45 грн
25+148.42 грн
100+124.26 грн
250+120.81 грн
500+108.38 грн
800+90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86366-F085ON Semiconductor
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86366-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.49 грн
10+170.14 грн
100+119.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]