Продукція > FQP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQPF12N60T | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQPF12N60T - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF12N60T | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R | на замовлення 683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF12N60T | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF12N60T_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF12N60_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF12P10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQPF12P10 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 18205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF12P10 | ON Semiconductor | FQPF12P10 | на замовлення 114007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF12P10 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | на замовлення 114717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF12P10 | ON Semiconductor | FQPF12P10 | на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF12P10 | onsemi | MOSFETs 100V P-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF12P20 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF12P20 | Fairchild | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FQPF12P20XDTU | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220F Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 3.65A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF12P20YDTU | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail | на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9.4A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N06 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 9.4A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 4.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 2334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQPF13N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N06L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N06L | ON Semiconductor | FQPF13N06L | на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N06L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQPF13N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.088 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 10 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 24 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 24 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N06L | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N06L | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.1A; Idm: 40A; 24W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.1A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 24W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 6.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N06L | ON Semiconductor | FQPF13N06L | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N06L | ON Semiconductor | FQPF13N06L | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N06LTU | FAIRCHILD | 03+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQPF13N10 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 146156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N10 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.35A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | на замовлення 146156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N10L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.35A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N10L | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N10_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N50 | FAIRCHILD | FQPF13N50 | на замовлення 636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N50 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N50 | FAIRCHILD | FQPF13N50 | на замовлення 1839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N50 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQPF13N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N50 Код товару: 42632
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FQPF13N50 | FAIRCHILD | 02+ | на замовлення 510 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N50 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N50C | Fairchild Semiconductor | Description: QFC 500V 480MOHM TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 10735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N50C | ONS/FAI | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N50C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 10735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N50C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQPF13N50C - QFC 500V 480MOHM TO220F tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N50C Код товару: 130072
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FQPF13N50C | ON Semiconductor | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FQPF13N50C | onsemi | MOSFETs 500V N-Ch Q-FET advance C-Series | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N50C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N50C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N50C-ON | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N50CF Код товару: 161545
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FQPF13N50CF | onsemi | MOSFETs HIGH VOLTAGE | на замовлення 1363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N50CF | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N50CF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N50CF | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF13N50CF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N50CSDTU | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N50CT | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/500V/13A QFET C-Series | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N50CT | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N50CTC003 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 500V, 13A Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N50CT_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V, NCH, MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N50C_F105 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF13N50T | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.25A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF14N15 | FAIRCHILD | FQPF14N15 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF14N15 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 9.8A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 25 V | на замовлення 1856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF14N15 | FAIRCHILD | FQPF14N15 | на замовлення 856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF14N15 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQPF14N15 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF14N30 | Fairchild | на замовлення 8200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FQPF14N30 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 300V 8.5A TO220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF15P12 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF15P12 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQPF15P12 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 120 V, 15 A, 0.17 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120 Dauer-Drainstrom Id: 15 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 41 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 41 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF15P12 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 120V 15A TO220F | на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF15P12 | onsemi / Fairchild | MOSFET 120V P-Channel QFET | на замовлення 4796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF16N15 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQPF16N15 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 754 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF16N15 | Fairchild Semiconductor | Description: FQPF1611.61500.16OHN-CHANNEMOSFE Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF16N15 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 31 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF16N15 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 150V N-Ch QFET | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF16N15 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF16N15 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF16N25 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FQPF16N25 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQPF16N25 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 71828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF16N25 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 9.5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 4.75A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 79828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF16N25C | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/250V /16A/QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF16N25C | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQPF16N25C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 15.6 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 15.6 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 43 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 43 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF16N25C | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF16N25C | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 15.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF16N25C | ONSEMI | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.8A; Idm: 62.4A; 43W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 43W Case: TO220FP Mounting: THT Gate charge: 53.5nC Kind of package: tube Pulsed drain current: 62.4A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V On-state resistance: 0.27Ω Kind of channel: enhancement Drain current: 9.8A Gate-source voltage: ±30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF16N25C | FAIRCHILD | на замовлення 9950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FQPF16N50 | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 68 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF16N60 | VBSEMI | N-Channel 650V 9A 123W Through Hole TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF17N08 | ON Semiconductor | FQPF17N08 | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF17N08 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQPF17N08 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF17N08 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 5.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FQPF17N08L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF17N40 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.75A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF17N40 | onsemi / Fairchild | MOSFET 400V N-Channel QFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF17N40T | onsemi / Fairchild | MOSFET 400V N-Ch QFET | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF17N40T | ONSEMI | Description: ONSEMI - FQPF17N40T - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF17N40T | onsemi | Description: MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.75A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FQPF17N40T | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 400V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

