Продукція > HUF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HUF76629DS3Fairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76629DS3ON SemiconductorHUF76629DS3
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.64 грн
1000+37.48 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633P3onsemi / FairchildMOSFETs 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633P3 F085
Код товару: 94093
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633P3-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+81.88 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633P3-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633P3-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76633P3-F085 - HUF76633P3-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633P3-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633P3-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+139.08 грн
500+124.93 грн
1000+115.00 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633P3-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Single NCh 55V 7mOhm Power MOS UltraFET
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633P3-R4883ON SemiconductorON Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633P3_NLON Semiconductor / FairchildMOSFET 38A,100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633P3_R4883ON Semiconductor / FairchildON Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633P3_SN00075ON Semiconductor / FairchildON Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633S3SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633S3SON Semiconductor / FairchildMOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
на замовлення 12648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633S3STON Semiconductor / FairchildMOSFET 38a 100V 0.036 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF76633S3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633S3ST-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET NMOS D2PAK 100V 36 MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633S3ST-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 39A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633S3ST-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 183W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 39A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633S3ST-F085
Код товару: 132414
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76633S3ST-SB82274onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639P3onsemi / FairchildMOSFETs 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639P3FAIRCHIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639P3
Код товару: 46829
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639P3_NLonsemi / FairchildMOSFET 100V,50A,0.027 OHM,NCH,LOGIC LEVEL ULTRAFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639P3_Qonsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639S3SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639S3STonsemiMOSFETs 50A 100V 0.026 Ohm Logic Level N-Ch
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639S3STONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 180W; TO263AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 180W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639S3ST
Код товару: 176379
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
очікується: 3 шт
  • 3 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.42 грн
10+134.62 грн
100+93.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639S3ST-F085onsemiDescription: MOSFET N CH 100V 51A TO-263AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639S3ST-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 50A, 100V, 0.026 Ohm N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639S3STR4882infleon
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639S3ST_SN00076onsemi / FairchildArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76639S3ST_SN00077onsemi / FairchildArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76645P3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76645P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76645S3SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76645S3SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76645S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76645S3S???FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76645S3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+168.93 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA7510P3onsemi / FairchildMOSFET TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75249D3ST
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307D3onsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307D3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307D3SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 1402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307D3SONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA75307D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1686+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 1686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307D3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307D3Sonsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307D3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA75307D3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1526+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 1526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307D3STonsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307D3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 4459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307P3onsemi / FairchildMOSFETs 15a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 10804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 1402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307P3_Qonsemi / FairchildMOSFETs 15a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307T3STFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307T3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307T3STFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307T3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75307T3STonsemi / FairchildMOSFET 15a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75309D3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 19A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: I-PAK
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75309D3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO252AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75309D3SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75309D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 4157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1374+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 1374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75309D3Sonsemi / FairchildMOSFET PWR MOS 55V/3.0A/0.070 OHMS N-CH SOT-223 TAPE AND REEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75309P3onsemi / FairchildMOSFET 19a 55V N-Channel UltraFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75309P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 13174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1312+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 1312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75309P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75309T3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
на замовлення 34459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
875+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 875 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75309T3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA75309T3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 34459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
972+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75309T3STFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75309T3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 352 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75321D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
на замовлення 6970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75321D3SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75321D3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75321D3STFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL ULTRAFET 55V, 20A, 36
на замовлення 79571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
780+30.69 грн
Мінімальне замовлення: 780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75321D3STON Semiconductor / FairchildMOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75321D3STQONSEMIDescription: ONSEMI - HUFA75321D3STQ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1335+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 1335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75321D3STQFairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL ULTRAFET 55V, 20A, 36
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1202+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 1202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75321P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 35A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75321S3SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75321S3SFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75321S3STINTERSIL2001
на замовлення 33750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUFA75321S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]