Продукція > NTD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTD4810NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 12 V
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1680+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 1680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4810NH-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4810NHT4
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4810NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4810NHT4GonsemiMOSFETs Power MOSFET 30V 54 A 10 mOhm Single N-Channel DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4810NHT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4810NHT4G - MOSFET, N, 30V, D-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4810NHT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4810NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4810NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12 V
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1214+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 1214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4810NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4813N
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4813N-1GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
на замовлення 6645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1503 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4813N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 12 V
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4813NHON09+ TO252
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4813NH-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2775 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4813NH-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 12 V
на замовлення 14455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 1665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4813NH-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4813NHT4GRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
на замовлення 314585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 962 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4813NHT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4813NHT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4813NT4GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK
на замовлення 252500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1503 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815N
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815N-35GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 35A 15MOHM
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12 V
на замовлення 58800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
960+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815N-35GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4815N-35G - MOSFET, N CH, 30V, 35A, IPAKTR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 72225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.1 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815N1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 13241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.04 грн
25+35.17 грн
100+20.08 грн
500+17.00 грн
1000+12.54 грн
2500+11.64 грн
5000+11.15 грн
10000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 12 V
на замовлення 64240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2427+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 2427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815NH-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4815NH-1G - MOSFET, N, 30V, IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 64240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815NH-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815NH-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815NHT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 12 V
на замовлення 612241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3122+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 3122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815NHT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4815NHT4G - NTD4815NHT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 647241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12 V
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4815NT4G - NTD4815NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4815NT4HonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4854N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4854NHT4G
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4854NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 51325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4854NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 15.7A/128A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4855N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/98A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 66.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 10425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 987 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4855N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/98A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 66.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4855NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/98A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 66.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4855NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 14A/98A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 66.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 209901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 919 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4855NT4HonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 919 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4856N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4856N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4856N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4856N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4856NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4856NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4856NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4857N-1G - NTD4857N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857N-35GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 12A IPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857NA-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4857NA-1G - NTD4857NA - MOSFET N-CH 25V 78A SGL IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/78A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857NAT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4857NAT4G - NTD4857NAT4G - MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/78A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4857NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 12A/78A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 131000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858Nonsemi NFET DPAK 25V 73A 0.0062R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 1211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-1GAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1481+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 1481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4858N-1G - NTD4858N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
75+39.96 грн
150+36.12 грн
525+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-35GAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 110416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4858N-35G - MOSFET, N-CH, 25V, 73A, TO-251
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 118666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 975 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-35GON SemiconductorMOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858N-35GAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NA-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4858NA-1G - NTD4858N - MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 1567 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NA-1GAptina ImagingMOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1916+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 1916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NA-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 12881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 1402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NA-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4858NA-35G - NTD4858N - MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NA-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NA-35GAptina ImagingMOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
на замовлення 12881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1716+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NAT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD4858NAT4G - NTD4858N - MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 56969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NAT4GAptina ImagingMOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
на замовлення 55889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1716+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NAT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
на замовлення 56969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 1402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 99985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GonsemiMOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
на замовлення 95359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 807 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 63445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GUMWDescription: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
933+37.93 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 933 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]