Продукція > PDT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 180MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JT-QR | Nexperia | Digital Transistors PDTA123ZT-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123JT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA123ZT-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123JT-QR | Nexperia | PDTA123ZT-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123JTVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JTVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123JTVL | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123JTVL | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .1A PNP RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123JU | PHILIPS | 2004 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123JU,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 102871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JU,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123JU,115 | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Current gain: 100 Collector-emitter voltage: 50V Base-emitter resistor: 47kΩ Base resistor: 2.2kΩ Frequency: 180MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Case: SC70; SOT323 Type of transistor: PNP Mounting: SMD | на замовлення 916 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123JU,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123JU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123J Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123JU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA123JU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TE,115 | NXP | Description: NXP - PDTA123TE,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-75 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SMT3; MPAK DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Resistors Included: R1 Only Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TM,315 | Nexperia | Digital Transistors SOT883 50V .1A PNP RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123TM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-883 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 19950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123TM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 9950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 89950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123TM,315 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA123T Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 9950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TM-QYL | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA123TM-Q/SOT883/XQFN3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TM315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: DFN1006-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TMB,315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TMB,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 79578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123TMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TMB,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA123TMB/SOT883B/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TMB,315 | NXP | Description: NXP - PDTA123TMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 79578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 2.2kΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTA123TT/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 Only | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123TT,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TT,215 | NXP | Description: NXP - PDTA123TT,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TT,235 | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .1A PNP RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TT,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TU,115 | NXP | Description: NXP - PDTA123TU,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TU,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 Packaging: Bulk | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123TU,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTA123TU/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Resistors Included: R1 Only Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123TU,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123YE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-75 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Bulk | на замовлення 20262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123YE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 20262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123YE,115 | NXP | Description: NXP - PDTA123YE,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 20262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123YE,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-75 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123YK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SMT3; MPAK DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123YM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123YM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 20390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123YM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123YM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 36950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123YM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123YM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 115000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123YM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 146560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123YM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123YM,315 | NXP | Description: NXP - PDTA123YM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 115000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123YM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123YM,315 | Nexperia | Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTA123YM/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123YM-QYL | Nexperia | PDTA123YM-Q/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123YM-QYL | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA123YM-Q/SOT883/XQFN3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123YMB,315 | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 9158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123YMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 180 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1006B-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123YMB,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123YMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 8130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123YMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 97600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123YMB315 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Frequency - Transition: 180 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN1006B-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-101, SOT-883 Part Status: Active Packaging: Bulk | на замовлення 97600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123YMB315 | NXP | Description: NXP - PDTA123YMB315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 97600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123YQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA123YQB-Q/SOT8015/DFN1110D- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123YQB-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 kΩ, R2: 10 kΩ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123YQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA123YQB/SOT8015/DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123YS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PDTA123YT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 19475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PDTA123YT,215 | NXP | Description: NXP - PDTA123YT,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1332000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

