Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+96.56 грн
2000+89.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 6476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.48 грн
50+88.94 грн
100+79.97 грн
500+60.27 грн
1000+55.53 грн
2000+51.53 грн
5000+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 130A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF
Код товару: 24062
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 130 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0078 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5600/160
Монтаж: THT
у наявності: 88 шт
  • 88 шт - склад
на замовлення: 2 шт
  • 2 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+50.00 грн
10+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+138.77 грн
500+124.66 грн
Мінімальне замовлення: 255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 130, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5600 @ 25, Qg, нКл = 160, Rds = 7,8 мОм @ 78 A, 10 B, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 B,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1407PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 130 A, 7800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+96.56 грн
2000+89.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407S
Код товару: 52433
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5600 @ 25, Qg, нКл = 250 @ 10 В, Rds = 7,8 мОм @ 78 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 200, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+235.45 грн
87+162.57 грн
122+116.43 грн
500+96.11 грн
800+75.23 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.32 грн
1600+61.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF1407STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+131.71 грн
500+118.78 грн
1000+109.32 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.45 грн
10+162.57 грн
100+116.43 грн
500+96.11 грн
800+75.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 100A 7.8mOhm 160nC
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF
Код товару: 107266
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.12 грн
10+127.20 грн
100+87.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF : IRF1407STRRPBFInternational RectifierIRF1407STRLPBF : IRF1407STRRPBF IRF1407SPBF MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRRPBFInfineon / IRMOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7.8mOhms 160nC
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF141International RectifierDescription: 28A, 80V, 0.077OHM, N-CHANNEL PO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 150W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF142IR/MOT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF142International RectifierDescription: 25A, 100V, 0.1OHM, N-CHANNEL POW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 150W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF143International RectifierDescription: MOSFET N-CH 60V 24A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+119.57 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150Semelab / TT ElectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503
Код товару: 124973
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503PBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.78 грн
10+155.80 грн
25+147.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SPBFInfineon
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.47 грн
500+135.24 грн
1000+128.18 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRLHRInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRLPBFInfineon
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRRPBF
Код товару: 125066
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1503STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 140A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5730 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.17 грн
10+200.33 грн
100+141.43 грн
500+113.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesN-channel MOSFET
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
500+138.77 грн
1000+130.54 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1Infineon TechnologiesN-channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150DM115XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF150DM115XTMA1 - Leistungs-MOSFET, DirectFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.0113 ohm, WDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
на замовлення 2691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150NIRTO-3P 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220Infineon TechnologiesIRF150P220
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+930.31 грн
25+887.36 грн
50+851.65 грн
100+792.28 грн
250+710.84 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF150P220AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 203 A, 2700 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 556W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+781.35 грн
28+515.16 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 316A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 316A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+781.35 грн
25+515.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 265µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 150V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+530.38 грн
100+503.33 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220AKMA1International Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 203 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 12000 @ 75, Qg, нКл = 200, Rds = 2,7 мОм, Ugs(th) = 4,6, Р, Вт = 556, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 265µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 316A Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P220XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 316A Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221Infineon TechnologiesIRF150P221
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+950.86 грн
25+906.95 грн
50+870.46 грн
100+809.78 грн
250+726.53 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+610.69 грн
38+374.79 грн
100+356.08 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+610.69 грн
10+374.79 грн
100+356.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRF150P221AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 186 A, 3600 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 186A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+440.66 грн
3+384.08 грн
10+315.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 113800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+328.10 грн
500+311.64 грн
1000+294.00 грн
10000+266.49 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221XKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 186A Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221XKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 186A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF151Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+124.48 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF160IR/MOT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1607Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1607HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1607PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]