Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF9332Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+27.33 грн
524+27.06 грн
530+26.78 грн
535+25.57 грн
540+23.44 грн
1000+22.28 грн
3000+22.06 грн
6000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.5W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -30V -9.8A 54mOhm -2.5V cpbl
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.03 грн
28+27.33 грн
50+26.09 грн
100+23.91 грн
250+22.73 грн
500+22.50 грн
1000+22.28 грн
3000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9332TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.8 A, 0.0136 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333
Код товару: 190631
Додати до обраних Обраний товар
JSMicroТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1110/14
Монтаж: SMD
у наявності: 100 шт
  • 60 шт - склад
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+18.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 20V FETKY-30V MOSFET 19.4mOhms 14nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333PBF
Код товару: 84989
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 7,3 A
Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1110/14
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.20 грн
100+14.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9333TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0156 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0156
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBFInternational RectifierSOIC-8 30V 9.2A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT P-Ch -30V -9.2A 19.4mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
974+36.41 грн
1056+33.58 грн
10000+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 974 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9333TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0156 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9333TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
974+36.41 грн
1056+33.58 грн
Мінімальне замовлення: 974 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335PBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT P-Ch -30V -5.4A 59mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335PBF
Код товару: 46484
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 5,4 A
Rds(on),Om: 110 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 386/9.1
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 5.4A SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
511+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 511 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.14 грн
16+20.40 грн
100+14.94 грн
4000+12.71 грн
8000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.16 грн
50+49.69 грн
250+32.42 грн
1000+20.95 грн
2000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+39.24 грн
517+27.44 грн
603+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 44008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+26.99 грн
10000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
на замовлення 324499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
872+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 872 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 19514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+26.99 грн
10000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9335TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.69 грн
250+32.42 грн
1000+20.95 грн
2000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+26.99 грн
10000+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 264499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+26.99 грн
10000+24.06 грн
100000+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.4A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358
Код товару: 56504
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358International RectifierTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23,8mOhm; 9,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9358 TIRF9358
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.41 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -30V P-CH HEXFET 16.3mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358PBF
Код товару: 109648
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358PBFInternational Rectifier/Infineon2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 9,2 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1740 @ 25, Qg, нКл = 38 @ 10 В, Rds = 16,3 мОм @ 9,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,4 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 95 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.31 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF
Код товару: 189100
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.83 грн
50+78.45 грн
250+52.06 грн
1000+34.72 грн
2000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 123110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
644+55.06 грн
1000+50.78 грн
10000+45.27 грн
100000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 644 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9.2A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9.2A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 9.2A DUAL 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+122.28 грн
168+84.69 грн
240+59.14 грн
500+46.10 грн
1000+38.53 грн
2000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT DUAL PCh -9.2A 16.3mOhm -4.5V capb
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.46 грн
10+67.69 грн
100+40.71 грн
500+31.98 грн
1000+29.26 грн
2000+28.49 грн
4000+24.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9358TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.45 грн
250+52.06 грн
1000+34.72 грн
2000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362
Код товару: 48293
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362PBFInfineon TechnologiesMOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362PBF
Код товару: 112666
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9362PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.41 грн
10+52.20 грн
100+34.36 грн
500+25.05 грн
1000+22.73 грн
2000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.94 грн
50+60.85 грн
250+40.08 грн
1000+26.32 грн
2000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.23 грн
34+22.85 грн
100+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+90.79 грн
164+86.72 грн
250+83.25 грн
500+77.37 грн
1000+69.31 грн
2500+64.57 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs Dual MOSFT PCh -8.0A 21.0mOhm -4.5V capb
на замовлення 4958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.72 грн
10+50.27 грн
100+28.56 грн
500+23.32 грн
1000+21.23 грн
2000+19.34 грн
4000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.85 грн
250+40.08 грн
1000+26.32 грн
2000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
на замовлення 2103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+300.41 грн
67+211.67 грн
100+155.91 грн
500+133.96 грн
1000+117.15 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET P-Channel 2.9 mOhm -30V -160A
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.96 грн
10+150.97 грн
100+99.85 грн
500+88.68 грн
1000+87.98 грн
2500+85.89 грн
4800+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+137.02 грн
1000+129.94 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineonMOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9383MTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 2900 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.76 грн
10+173.52 грн
100+135.23 грн
500+96.83 грн
1000+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
на замовлення 8628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+108.30 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.36 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+137.02 грн
1000+129.94 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
на замовлення 8628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+145.29 грн
500+137.02 грн
1000+129.94 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInfineon TechnologiesIRF9383MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs P-CH 30V 22A 7-Pin Direct-FET MX T/R - Arrow.com
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+94.67 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9383MTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 2900 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.23 грн
500+96.83 грн
1000+77.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9383MTRPBFInternational RectifierDescription: IRF9383 - 20V-250V P-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388PBFInfineon TechnologiesMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 11.9mOhms 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]