Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF9388PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.56 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9388TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 8500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.54 грн
50+51.73 грн
250+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+76.23 грн
250+73.17 грн
500+70.53 грн
1000+65.79 грн
2500+59.12 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.56 грн
10+47.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -30V -12A 11.9mOhm 25Vgs
на замовлення 8922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.15 грн
11+31.80 грн
100+24.23 грн
500+19.55 грн
1000+17.53 грн
2000+16.13 грн
4000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9388TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9388TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 8500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.73 грн
250+33.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389HXY MOSFETTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 31mOhm/54mOhm; 7A/8,5A; 2,5/3,08W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9389; IRF9389TR; SP001555848; SP001551666; IRF9389 HXY MOSFET TIRF9389 HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389PBFInfineon / IRMOSFET TRENCH MOSFET - PACKAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRJSMicro SemiconductorTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 28mOhm/52mOhm; 7,5A/7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9389; IRF9389TR; SP001555848; SP001551666; IRF9389TR JSMICRO TIRF9389 JSM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRUMWTransistor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm/103mOhm; 6,8A/4,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9389; IRF9389TR; SP001555848; SP001551666; IRF9389TR UMW TIRF9389 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.37 грн
250+24.77 грн
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 16105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.78 грн
13+33.62 грн
50+23.37 грн
100+19.92 грн
250+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 75036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.35 грн
10+34.19 грн
100+22.07 грн
500+15.80 грн
1000+14.22 грн
2000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9389TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.91 грн
50+38.37 грн
250+24.77 грн
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V Dual N and P Ch HEXFET 20-8 20VGS
на замовлення 34800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.32 грн
10+33.81 грн
100+19.06 грн
500+15.01 грн
1000+13.06 грн
2000+11.80 грн
4000+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 15005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
348+40.81 грн
498+28.51 грн
616+23.03 грн
1000+19.53 грн
2000+15.80 грн
4000+13.57 грн
8000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 348 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF
Код товару: 98277
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.01 грн
8000+11.52 грн
12000+11.01 грн
20000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9392PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 7.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9392PBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 17.5mOhms 14nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9392PBF
Код товару: 109150
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9392TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9392TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 7.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9392TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -30V -9.8A 17.5mOhm 25Vgs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+52.15 грн
284+50.07 грн
500+48.26 грн
1000+45.02 грн
2500+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC Транзистори
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
7+49.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.04 грн
250+28.11 грн
1000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 25635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.97 грн
50+38.04 грн
250+28.11 грн
1000+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -30V -9.2A 19.4mOhm 25Vgs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesIRF9393TRPBFXTMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBFXTMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTR1PBFInfineon / IRMOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTR1PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFETMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 30V 14A 10-Pin Direct-FET MC T/R
на замовлення 4675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.74 грн
500+139.39 грн
1000+128.76 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInternational RectifierMOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 30V 14A 10-Pin Direct-FET MC T/R
на замовлення 133660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.74 грн
500+139.39 грн
1000+128.76 грн
10000+110.43 грн
100000+85.67 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFETMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 30V 14A 10-Pin Direct-FET MC T/R
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.74 грн
500+139.39 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInfineon technologies
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInfineon / IRMOSFET DUAL P-CH -30V 7mOhms 64nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 30V 14A 10-Pin Direct-FET MC T/R
на замовлення 15386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.74 грн
500+139.39 грн
1000+128.76 грн
10000+110.43 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9395MTRPBFInternational RectifierDescription: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 57W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MC
на замовлення 154381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+110.37 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410International RectifierN-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
95+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410International RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410HRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410PBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRIR09+
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 18nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 7A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 7
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF949T E6700INFINEONSOT423-RI
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF949T E6700 SOT423-RIINFINEON
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF949TE6700SOT423-RIINFINEON
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510HARRISIRF9510
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.49 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+64.09 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510
Код товару: 57715
1 Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 4 А
Rds(on),Om: 10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+19.00 грн
10+17.20 грн
100+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510HARRISIRF9510
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.49 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 4A; 43W; -55°C ~ 175°C; IRF9510 TIRF9510
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+21.51 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510LVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.98 грн
16+51.98 грн
100+35.19 грн
500+27.84 грн
1000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 511 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.17 грн
13+32.86 грн
50+30.51 грн
100+29.42 грн
250+27.40 грн
500+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+57.15 грн
285+49.88 грн
500+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.32 грн
50+78.61 грн
100+70.56 грн
500+52.97 грн
1000+48.71 грн
2000+45.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 4A P-CH MOSFET
на замовлення 76503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.50 грн
10+65.37 грн
100+35.68 грн
500+30.24 грн
1000+28.98 грн
2000+26.39 грн
5000+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 596 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+65.25 грн
302+46.99 грн
500+40.78 грн
1000+35.72 грн
2000+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.84 грн
32+24.01 грн
100+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.30 грн
12+65.42 грн
100+47.12 грн
500+39.42 грн
1000+33.16 грн
2000+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBFVishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 7891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.91 грн
228+62.18 грн
309+45.97 грн
500+38.81 грн
1000+32.83 грн
2000+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+231.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+231.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 3299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.97 грн
50+82.85 грн
100+74.42 грн
500+55.99 грн
1000+51.54 грн
2000+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 4A P-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510R4941Fairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]