Продукція > DN3
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DN30-20P(50) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN30-20P(50) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-TYPE PLUG STR IDC Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN30-26P(50) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN30-26P(50) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-TYPE PLUG STR IDC Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN30-36P(50) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN30-36P(50) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-TYPE PLUG STR IDC Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN30-36P(51) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN30-36P(51) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-TYPE PLUG STR IDC Packaging: Bulk Part Status: Last Time Buy | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN30-36PB | Hirose Connector | Bench Top Tools | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN30-50P(50) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN30-50P(50) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-TYPE PLUG 50POS IDC Features: Feed Through Packaging: Tray Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 3A Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 50 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Termination: IDC, Ribbon Cable Connector Style: D-Type Contact Finish Thickness: 11.8µin (0.30µm) Material Flammability Rating: UL94 V-0 Shell Material, Finish: Aluminum, Silver Plated Shell Size, Connector Layout: 0.100 Pitch x 0.100 Row to Row Part Status: Active | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN30-50P(51) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-TYPE PLUG STR IDC Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN30-50P(51) | Hirose Connector | D-Sub High Density Connectors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3020 | Molex | Conn Mini-C Adapter M/M/F 5/5/5 POS T Style 3 Port Mini-Change® | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3020CAP | Molex | MC 5P Tee Passive | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3020CAP | MOLEX | DN3020CAP-MOL Industrial connectors - Unclassified | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3020PM-1 | Molex | Conn Mini-C PIN/SKT 15 POS T Style 3 Port Mini-Change® | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3020PM-1 | MOLEX | DN3020PM1-MOL Unclassified | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3020PM-3 | Molex | Conn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3020PM-3 | MOLEX | DN3020PM3-MOL Unclassified | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3020PM-3 | Molex | Conn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3022 | MOLEX | DN3022-MOL Unclassified | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3022 | Molex | Mini-Change Drop Tee Adapter and Splitters | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DN3030-PT-1 | Molex | Mini-Change Drop Tee Adapter and Splitters | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3030-PT-1 | Molex | Mini-Change Drop Tee Adapter and Splitters | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135K1 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DN3135K1-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.18A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135K1-G | Microchip Technology | MOSFETs 350V 35Ohm | на замовлення 36274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135K1-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135K1-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.18A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 295 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135K1-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | на замовлення 107436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3135K1-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135K1-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135K1-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135N8 | SUPER | на замовлення 6899 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3135N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.18A Power dissipation: 1.3W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted кількість в упаковці: 2000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135N8-G | SUPERTEX | на замовлення 3790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DN3135N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | на замовлення 21482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.18A Power dissipation: 1.3W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135N8-G | Microchip Technology | MOSFETs 350V 35Ohm | на замовлення 5272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3135N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3135N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3145N8 | SUPER | на замовлення 6899 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DN3145N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.3 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 60 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3145N8-g | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3145N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3145N8-g | SUPER | на замовлення 6899 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DN3145N8-g | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.12A; 1.3W; SOT89-3 Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.12A Mounting: SMD Case: SOT89-3 Drain-source voltage: 450V On-state resistance: 60Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3145N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3145N8-g | Microchip Technology | MOSFETs 450V 60Ohm | на замовлення 75829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3145N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3145N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 1.3 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 60 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3145N8-g | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | на замовлення 85400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3145N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3145N8-g | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.12A; 1.3W; SOT89-3 Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.12A Mounting: SMD Case: SOT89-3 Drain-source voltage: 450V On-state resistance: 60Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3145N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 34000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3200 | Molex | Conn Circular Adapter M/F 5 POS T Style 5 Terminal 3 Port | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN32CH432G50BT | KYOCERA | 05+NOP | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DN32W5R104K100BT | KYOCERA | 05+NOP | на замовлення 1696 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DN32W5R124K25BT | на замовлення 7900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DN350T05-7 | Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN350T05-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN350T05-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN350T05-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN350T05-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN350T05-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN350T05-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 300 mW | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN350T05-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN350T05-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN350T05-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN350T05-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN350T05-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN350T05-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN350T05-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR | на замовлення 3021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3525N8 | SUPER | на замовлення 6899 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DN3525N8-G Код товару: 165361 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
DN3525N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3525N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3525N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 7862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3525N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3525N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 7797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3525N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3525N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3525N8-G | Microchip Technology | MOSFETs 250V 6Ohm | на замовлення 128889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3525N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3525N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 7797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3525N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD Drain-source voltage: 250V On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.3A Case: SOT89-3 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3525N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3525N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3525N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD Drain-source voltage: 250V On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.3A Case: SOT89-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3525ND | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3535N8 | Microchip Technology | MOSFET 350V 10Ohm | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3535N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3535N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3535N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm | на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3535N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | на замовлення 6105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3535N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3535N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD Case: SOT89-3 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 350V On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.2A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1755 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3535N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3535N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD Case: SOT89-3 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 350V On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.2A | на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3535N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3535N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm | на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3535N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3535N8-G | Microchip Technology | MOSFETs 350V 10Ohm | на замовлення 14583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3535N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3535N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N3 | Microchip Technology | MOSFETs 450V 20Ohm | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3545N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3545N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Pulsed drain current: 0.2A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: depleted кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 987 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 740mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Pulsed drain current: 0.2A Power dissipation: 0.74W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: depleted | на замовлення 987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3545N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N3-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3545N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 136 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 136mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N3-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 450V 136MA TO92 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | на замовлення 4685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N3-G | Microchip Technology | MOSFETs 450V 20Ohm | на замовлення 3753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N3-G P002 | Microchip Technology | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3545N3-G P003 | Microchip Technology | MOSFETs N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3545N3-G P005 | Microchip Technology | MOSFETs 3L TO-92 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3545N3-G P013 | Microchip Technology | MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3545N3-G P014 | Microchip Technology | MOSFETs N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3545N8 | Microchip Technology | MOSFETs 450V 20Ohm | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3545N8 | SUPER | на замовлення 6899 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DN3545N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | на замовлення 29474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N8-G | Microchip Technology | MOSFETs 450V 20Ohm | на замовлення 13560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Pulsed drain current: 0.2A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3545N8-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N8-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N8-G Код товару: 176174 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||
DN3545N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Pulsed drain current: 0.2A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3545N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3545N8-G D561 | Microchip Technology | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3687GFPV | Renesas Electronics | 16-bit Microcontrollers - MCU MCU 3/5V 56K Pb-free 64-LQFP | на замовлення 363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
DN3687GFPV | Renesas Electronics America | Description: IC MCU 16BIT 56KB FLASH 64LQFP | на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DN3687GFPV | RENESAS | QFP 07+ | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DN3687GFPV | Renesas | MCU 16-bit H8/300H CISC 56KB ROM 3.3V/5V 64-Pin LFQFP | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3694GFPV | Renesas Electronics America | Description: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 64LQFP | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3765K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3765K4-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 0.2A; 2.5W; TO252 Kind of package: reel; tape Case: TO252 Drain-source voltage: 650V On-state resistance: 8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.2A Mounting: SMD | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3765K4-G | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 0.2A; 2.5W; TO252 Kind of package: reel; tape Case: TO252 Drain-source voltage: 650V On-state resistance: 8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.2A Mounting: SMD кількість в упаковці: 2000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3765K4-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V | на замовлення 3047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3765K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3765K4-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DN3765K4-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DN3765K4-G | Microchip Technology | MOSFET NCh DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET | на замовлення 2952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|