Продукція > DN3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DN30-20P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN30-20P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
DN30-26P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN30-26P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
DN30-36P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN30-36P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
DN30-36P(51)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN30-36P(51)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
DN30-36PBHirose ConnectorBench Top Tools
товар відсутній
DN30-50P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG 50POS IDC
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 3A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Type
Contact Finish Thickness: 11.8µin (0.30µm)
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Shell Material, Finish: Aluminum, Silver Plated
Shell Size, Connector Layout: 0.100 Pitch x 0.100 Row to Row
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1580.82 грн
20+ 1319.37 грн
DN30-50P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN30-50P(51)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN30-50P(51)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
DN3020MolexConn Mini-C Adapter M/M/F 5/5/5 POS T Style 3 Port Mini-Change®
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4911.58 грн
5+ 4813.27 грн
10+ 4548.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
DN3020CAPMolexMC 5P Tee Passive
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5565.37 грн
4+ 5453.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
DN3020CAPMOLEXDN3020CAP-MOL Industrial connectors - Unclassified
товар відсутній
DN3020PM-1MolexConn Mini-C PIN/SKT 15 POS T Style 3 Port Mini-Change®
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12040.14 грн
3+ 11559.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
DN3020PM-1MOLEXDN3020PM1-MOL Unclassified
товар відсутній
DN3020PM-3MOLEXDN3020PM3-MOL Unclassified
товар відсутній
DN3020PM-3MolexConn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12040.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
DN3020PM-3MolexConn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12040.14 грн
3+ 11559.22 грн
10+ 11097.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
DN3022MOLEXDN3022-MOL Unclassified
товар відсутній
DN3022MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DN3030-PT-1MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5157.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
DN3030-PT-1MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5157.37 грн
4+ 5054.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
DN3135K1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3135K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.87 грн
16+ 57.36 грн
25+ 53.59 грн
100+ 52.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
DN3135K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.75 грн
3000+ 38.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN3135K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+57.62 грн
Мінімальне замовлення: 214
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DN3135K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.34 грн
25+ 43.97 грн
100+ 42.75 грн
3000+ 38.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
DN3135K1-GMicrochip TechnologyMOSFETs 350V 35Ohm
на замовлення 36274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.27 грн
25+ 44.91 грн
100+ 35.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+52.19 грн
25+ 51.3 грн
50+ 48.6 грн
100+ 44.21 грн
250+ 41.67 грн
500+ 40.91 грн
1000+ 40.15 грн
3000+ 39.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
DN3135K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.98 грн
5+ 73.36 грн
16+ 68.83 грн
25+ 64.3 грн
100+ 62.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
DN3135K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 107436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.59 грн
25+ 39.31 грн
100+ 35.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+59.13 грн
1000+ 57.72 грн
3000+ 56.21 грн
6000+ 52.81 грн
9000+ 47.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
DN3135N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3135N8-GSUPERTEX
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3135N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 21482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.21 грн
25+ 46.76 грн
100+ 41.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.98 грн
25+ 56.1 грн
100+ 53.25 грн
250+ 48.52 грн
500+ 45.83 грн
1000+ 45.07 грн
3000+ 44.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+64.84 грн
Мінімальне замовлення: 190
DN3135N8-GMicrochip TechnologyMOSFETs 350V 35Ohm
на замовлення 5272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.65 грн
100+ 53.49 грн
500+ 41.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3135N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.2 грн
25+ 52.18 грн
100+ 46.08 грн
Мінімальне замовлення: 14
DN3135N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3135N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DN3135N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
товар відсутній
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+59.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3135N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.71 грн
4000+ 65.97 грн
6000+ 64.18 грн
8000+ 60.34 грн
10000+ 54.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3145N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3145N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
DN3145N8-gMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 85400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.48 грн
25+ 51.53 грн
100+ 46.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3145N8-gMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.12A; 1.3W; SOT89-3
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.12A
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 450V
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+59.92 грн
25+ 59.78 грн
100+ 57.51 грн
250+ 53.12 грн
500+ 50.88 грн
1000+ 50.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3145N8-gMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.12A; 1.3W; SOT89-3
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.12A
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 450V
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+75.22 грн
4000+ 71.88 грн
6000+ 68.67 грн
8000+ 63.97 грн
10000+ 57.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3145N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1.3
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 60
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DN3145N8-gMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3145N8-gSUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+74.26 грн
Мінімальне замовлення: 166
DN3145N8-gMicrochip TechnologyMOSFETs 450V 60Ohm
на замовлення 75829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.65 грн
10+ 61.91 грн
25+ 49.2 грн
100+ 46.52 грн
1000+ 46.08 грн
4000+ 44.63 грн
10000+ 44.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3200MolexConn Circular Adapter M/F 5 POS T Style 5 Terminal 3 Port
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5145.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
DN32CH432G50BTKYOCERA05+NOP
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN32W5R104K100BTKYOCERA05+NOP
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN32W5R124K25BT
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1353+5.62 грн
3000+ 4.51 грн
9000+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 1353
DN350T05-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.92 грн
40+ 20.73 грн
100+ 8.7 грн
500+ 6.38 грн
1000+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 25
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4274+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 4274
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.1 грн
9000+ 4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.49 грн
9000+ 4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DN350T05-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
16+ 19.09 грн
100+ 9.63 грн
500+ 7.37 грн
1000+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
DN350T05-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.84 грн
16+ 21.25 грн
100+ 7.61 грн
1000+ 5.58 грн
3000+ 4.78 грн
9000+ 3.7 грн
24000+ 3.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2030+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 2030
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+26.09 грн
500+ 26.03 грн
1000+ 25.99 грн
Мінімальне замовлення: 292
DN350T05-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.7 грн
500+ 6.38 грн
1000+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
438+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 438
DN350T05-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 300 mW
товар відсутній
DN350T05-7Diodes IncTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DN3525N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3525N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3525N8-GMicrochip TechnologyMOSFETs 250V 6Ohm
на замовлення 128889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.14 грн
25+ 56.58 грн
100+ 43.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+61.58 грн
Мінімальне замовлення: 200
DN3525N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3525N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3525N8-G
Код товару: 165361		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.53 грн
4000+ 66.89 грн
6000+ 66.25 грн
8000+ 63.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3525N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 7862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
25+ 49.48 грн
100+ 44.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3525N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
товар відсутній
DN3525N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.73 грн
25+ 55.35 грн
100+ 49.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+63.99 грн
25+ 63.01 грн
100+ 59.82 грн
250+ 54.53 грн
500+ 51.51 грн
1000+ 50.68 грн
3000+ 49.84 грн
6000+ 49.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
DN3525NDMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3535N8Microchip TechnologyMOSFET 350V 10Ohm
товар відсутній
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+76.58 грн
4000+ 74.56 грн
6000+ 72.62 грн
8000+ 68.22 грн
10000+ 61.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3535N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN3535N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3535N8-GMicrochip TechnologyMOSFETs 350V 10Ohm
на замовлення 14583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.75 грн
25+ 58.91 грн
250+ 46.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3535N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 350V
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.65 грн
7+ 59.62 грн
10+ 51.32 грн
100+ 49.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+68.22 грн
10+ 64.85 грн
25+ 63.72 грн
100+ 60.36 грн
250+ 54.88 грн
500+ 51.73 грн
1000+ 50.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
DN3535N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.79 грн
25+ 57.3 грн
100+ 56.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+73.47 грн
176+ 69.84 грн
180+ 68.62 грн
183+ 65 грн
250+ 59.11 грн
500+ 55.71 грн
1000+ 54.67 грн
Мінімальне замовлення: 168
DN3535N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 6105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.48 грн
25+ 51.53 грн
100+ 46.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+95.59 грн
135+ 91.18 грн
250+ 88.33 грн
500+ 82.6 грн
1000+ 74.23 грн
Мінімальне замовлення: 129
DN3535N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 350V
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+74.3 грн
10+ 61.59 грн
100+ 58.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3545N3Microchip TechnologyMOSFET 450V 20Ohm
товар відсутній
DN3545N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 740mW; TO92
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 450V
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Mounting: THT
Case: TO92
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.09 грн
7+ 56.6 грн
19+ 48.3 грн
50+ 46.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+60.51 грн
25+ 59.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DN3545N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 136MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.48 грн
25+ 51.53 грн
100+ 46.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3545N3-GMicrochip TechnologyMOSFET 450V 20Ohm
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.75 грн
25+ 58.91 грн
100+ 46.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
DN3545N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 740mW; TO92
Kind of package: bulk
Drain-source voltage: 450V
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.9 грн
5+ 70.54 грн
19+ 57.96 грн
50+ 55.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+65.17 грн
193+ 63.78 грн
Мінімальне замовлення: 189
DN3545N3-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 136 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.03 грн
25+ 57.46 грн
100+ 52.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
DN3545N3-G P002Microchip TechnologyMOSFET
товар відсутній
DN3545N3-G P003Microchip TechnologyMOSFET N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
товар відсутній
DN3545N3-G P005Microchip TechnologyMOSFET 3L TO-92
товар відсутній
DN3545N3-G P013Microchip TechnologyMOSFET
товар відсутній
DN3545N3-G P014Microchip TechnologyMOSFET N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
товар відсутній
DN3545N8Microchip TechnologyMOSFETs 450V 20Ohm
товар відсутній
DN3545N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+78.28 грн
2000+ 77.96 грн
4000+ 77.54 грн
6000+ 74.36 грн
8000+ 68.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
DN3545N8-G
Код товару: 176174		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3545N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.1 грн
25+ 71.44 грн
100+ 67.7 грн
2000+ 59.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+66.15 грн
25+ 65.84 грн
100+ 63.2 грн
250+ 58.25 грн
500+ 55.66 грн
1000+ 55.4 грн
3000+ 55.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
DN3545N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 29474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.75 грн
25+ 54.91 грн
100+ 50.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3545N8-GMicrochip TechnologyMOSFETs 450V 20Ohm
на замовлення 13560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.85 грн
100+ 62.74 грн
500+ 50.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3545N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
товар відсутній
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+69.28 грн
Мінімальне замовлення: 178
DN3545N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3545N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.7 грн
2000+ 59.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN3545N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.8 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3545N8-G D561Microchip TechnologyMOSFET
товар відсутній
DN3687GFPVRenesas Electronics AmericaDescription: IC MCU 16BIT 56KB FLASH 64LQFP
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DN3687GFPVRENESASQFP 07+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3687GFPVRenesas Electronics16-bit Microcontrollers - MCU MCU 3/5V 56K Pb-free 64-LQFP
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DN3687GFPVRenesasMCU 16-bit H8/300H CISC 56KB ROM 3.3V/5V 64-Pin LFQFP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1052.51 грн
10+ 965.25 грн
DN3694GFPVRenesas Electronics AmericaDescription: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 64LQFP
товар відсутній
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DN3765K4-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 0.2A; 2.5W; TO252
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Drain-source voltage: 650V
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Mounting: SMD
товар відсутній
DN3765K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+175.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3765K4-GMicrochip TechnologyMOSFET NCh DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.42 грн
25+ 219.14 грн
100+ 176.79 грн
4000+ 176.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DN3765K4-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 0.2A; 2.5W; TO252
Kind of package: reel; tape
Case: TO252
Drain-source voltage: 650V
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DN3765K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.99 грн
25+ 187.11 грн
100+ 169.47 грн
Мінімальне замовлення: 2