Продукція > DN3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DN30-20P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-20P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-26P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-26P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-36P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-36P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-36P(51)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-36P(51)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-36PBHirose ConnectorBench Top Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-50P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG 50POS IDC
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 3A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Type
Contact Finish Thickness: 11.8µin (0.30µm)
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Shell Material, Finish: Aluminum, Silver Plated
Shell Size, Connector Layout: 0.100 Pitch x 0.100 Row to Row
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1693.84 грн
20+1413.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-50P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-50P(51)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-50P(51)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3020MolexConn Mini-C Adapter M/M/F 5/5/5 POS T Style 3 Port Mini-Change®
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4970.33 грн
5+4870.84 грн
10+4603.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DN3020CAPMolexMC 5P Tee Passive
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5631.94 грн
4+5518.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DN3020PM-1MolexConn Mini-C PIN/SKT 15 POS T Style 3 Port Mini-Change®
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12184.16 грн
3+11697.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DN3020PM-3MolexConn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12184.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DN3020PM-3MolexConn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+12184.16 грн
3+11697.49 грн
10+11229.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DN3022MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3030-PT-1MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5219.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DN3030-PT-1MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5219.06 грн
4+5114.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+57.04 грн
25+47.99 грн
100+45.20 грн
3000+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYDN3135K1-G SMD N channel transistors
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.69 грн
16+73.75 грн
43+69.87 грн
100+69.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 26412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.55 грн
25+40.21 грн
100+39.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+60.94 грн
25+59.90 грн
50+56.75 грн
100+51.62 грн
250+48.66 грн
500+47.77 грн
1000+46.88 грн
3000+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.20 грн
3000+40.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+59.83 грн
1000+58.41 грн
3000+56.88 грн
6000+53.44 грн
9000+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMicrochip TechnologyMOSFETs 350V 35Ohm
на замовлення 29772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.71 грн
25+44.55 грн
100+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+65.61 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.77 грн
2000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GSUPERTEX
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 14661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.78 грн
25+48.20 грн
100+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+60.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyMOSFETs 350V 35Ohm
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.13 грн
25+52.94 грн
100+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+68.52 грн
4000+66.76 грн
6000+64.95 грн
8000+61.06 грн
10000+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.41 грн
25+57.48 грн
100+50.77 грн
2000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+66.53 грн
25+65.50 грн
100+62.18 грн
250+56.65 грн
500+53.51 грн
1000+52.63 грн
3000+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1.3
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 60
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.03 грн
25+73.85 грн
100+70.08 грн
250+63.84 грн
500+60.28 грн
1000+59.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-gMicrochip TechnologyMOSFETs 450V 60Ohm
на замовлення 60948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.10 грн
25+58.39 грн
100+46.04 грн
1000+45.57 грн
4000+44.95 грн
10000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+63.69 грн
4000+62.72 грн
6000+61.74 грн
8000+58.69 грн
10000+53.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-gSUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-gMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 35294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.22 грн
25+58.58 грн
100+53.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+71.13 грн
178+70.02 грн
181+68.93 грн
184+65.41 грн
250+59.58 грн
500+56.26 грн
1000+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-gMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3200MolexConn Circular Adapter PIN/SKT 5 POS T Style 5 Terminal 3 Port
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7213.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DN3200MolexConn Circular Adapter PIN/SKT 5 POS T Style 5 Terminal 3 Port
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7213.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DN32CH432G50BTKYOCERA05+NOP
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN32W5R104K100BTKYOCERA05+NOP
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN32W5R124K25BT
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 404
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.57 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 387000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3334+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 3334
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2849+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 2849
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes IncTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4274+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 4274
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+28.30 грн
50+17.50 грн
100+11.06 грн
500+7.57 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.84 грн
6000+2.99 грн
9000+2.97 грн
24000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.23 грн
16+20.46 грн
100+10.32 грн
500+7.90 грн
1000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+29.25 грн
20+17.86 грн
100+9.78 грн
500+7.22 грн
1000+6.44 грн
3000+5.28 грн
6000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.46 грн
6000+3.31 грн
9000+3.29 грн
24000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4274+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 4274
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+74.71 грн
25+73.58 грн
100+69.85 грн
250+63.67 грн
500+60.15 грн
1000+59.18 грн
3000+58.20 грн
6000+57.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+62.31 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+63.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+66.45 грн
25+55.13 грн
100+49.12 грн
2000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+59.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 360mA; Idm: 1A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Case: SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 6Ω
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+68.33 грн
4000+67.69 грн
6000+67.04 грн
8000+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G
Код товару: 165361
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.12 грн
2000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.82 грн
25+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyMOSFETs 250V 6Ohm
на замовлення 100172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+68.56 грн
25+56.78 грн
100+44.72 грн
1000+43.40 грн
10000+43.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525NDMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8Microchip TechnologyMOSFET 350V 10Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.95 грн
25+73.85 грн
100+67.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 7721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.50 грн
25+53.08 грн
100+52.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 230mA; Idm: 0.5A; 1.6W
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1.6W
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 350V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.77 грн
8+56.61 грн
10+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyMOSFETs 350V 10Ohm
на замовлення 7742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+70.10 грн
25+58.39 грн
100+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+66.43 грн
190+65.75 грн
192+65.06 грн
194+62.07 грн
250+56.86 грн
500+53.99 грн
1000+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+62.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 230mA; Idm: 0.5A; 1.6W
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1.6W
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 350V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.92 грн
5+70.54 грн
10+64.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+84.73 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+71.18 грн
11+70.44 грн
25+69.70 грн
100+66.50 грн
250+60.92 грн
500+57.85 грн
1000+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+66.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+77.24 грн
8000+70.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3Microchip TechnologyMOSFETs 450V 20Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 136mA; Idm: 1.6A; 740mW; TO92
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 136mA
Power dissipation: 0.74W
Pulsed drain current: 1.6A
On-state resistance: 20Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 450V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.38 грн
5+66.51 грн
25+60.17 грн
100+55.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+83.57 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 136 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.15 грн
25+62.36 грн
100+57.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMicrochip TechnologyMOSFETs 450V 20Ohm
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.44 грн
25+64.46 грн
100+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+65.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+90.70 грн
250+75.81 грн
500+73.66 грн
1000+69.34 грн
3000+61.69 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 136MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.70 грн
25+56.70 грн
100+51.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 136mA; Idm: 1.6A; 740mW; TO92
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO92
Polarisation: unipolar
Drain current: 136mA
Power dissipation: 0.74W
Pulsed drain current: 1.6A
On-state resistance: 20Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 450V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.32 грн
8+53.37 грн
25+50.14 грн
100+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+61.03 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-G P002Microchip TechnologyMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-G P003Microchip TechnologyMOSFETs N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-G P005Microchip TechnologyMOSFETs 3L TO-92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-G P013Microchip TechnologyMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-G P014Microchip TechnologyMOSFETs N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8Microchip TechnologyMOSFETs 450V 20Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+71.79 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.06 грн
10+82.78 грн
25+81.50 грн
100+77.37 грн
250+70.49 грн
500+66.58 грн
1000+65.48 грн
3000+64.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-G
Код товару: 176174
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.45 грн
2000+60.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyMOSFETs 450V 20Ohm
на замовлення 6532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.08 грн
25+62.23 грн
100+50.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+78.46 грн
161+77.26 грн
164+76.07 грн
167+72.21 грн
250+65.79 грн
500+62.14 грн
1000+61.12 грн
3000+60.09 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+62.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.30 грн
25+67.32 грн
100+66.45 грн
2000+60.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 14541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.22 грн
25+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+71.69 грн
1000+71.40 грн
1500+71.01 грн
2000+68.10 грн
4000+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-G D561Microchip TechnologyMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3687GFPVRENESASQFP 07+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3687GFPVRenesasMCU 16-bit H8/300H CISC 56KB ROM 3.3V/5V 64-Pin LFQFP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1228.96 грн
10+1127.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DN3687GFPVRenesas Electronics CorporationDescription: IC MCU 16BIT 56KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Program Memory Size: 56KB (56K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 512 x 8
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SCI
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-LFQFP (10x10)
Number of I/O: 43
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3687GFPVRenesas Electronics16-bit Microcontrollers - MCU MCU 3/5V 56K Pb-free 64-LQFP
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3694GFPVRenesas Electronics AmericaDescription: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 64LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3765K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.50 грн
25+193.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DN3765K4-GMicrochip TechnologyMOSFETs NCh DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.09 грн
25+221.41 грн
100+174.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3765K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.