Продукція > DN3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
DN30-20P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-20P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-26P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-26P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-36P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-36P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-36P(51)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-36P(51)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-36PBHirose ConnectorBench Top Tools
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-50P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG 50POS IDC
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 3A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Type
Contact Finish Thickness: 11.8µin (0.30µm)
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Shell Material, Finish: Aluminum, Silver Plated
Shell Size, Connector Layout: 0.100 Pitch x 0.100 Row to Row
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1605.15 грн
20+1339.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-50P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-50P(51)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN30-50P(51)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3020MolexConn Mini-C Adapter M/M/F 5/5/5 POS T Style 3 Port Mini-Change®
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4876.33 грн
5+4778.72 грн
10+4516.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DN3020CAPMolexMC 5P Tee Passive
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5525.43 грн
4+5413.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DN3020PM-1MolexConn Mini-C PIN/SKT 15 POS T Style 3 Port Mini-Change®
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11953.73 грн
3+11476.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DN3020PM-3MolexConn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11953.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DN3020PM-3MolexConn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11953.73 грн
3+11476.26 грн
10+11017.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DN3022MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3030-PT-1MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5120.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DN3030-PT-1MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5120.35 грн
4+5017.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 360mW; SOT23-3
Drain-source voltage: 350V
On-state resistance: 35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.18A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.32 грн
7+61.31 грн
16+59.01 грн
25+55.94 грн
100+53.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.76 грн
3000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.30 грн
25+45.72 грн
100+41.76 грн
3000+38.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMicrochip TechnologyMOSFETs 350V 35Ohm
на замовлення 31874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.30 грн
25+46.62 грн
100+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.81 грн
25+50.93 грн
50+48.25 грн
100+43.89 грн
250+41.38 грн
500+40.62 грн
1000+39.86 грн
3000+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 360mW; SOT23-3
Drain-source voltage: 350V
On-state resistance: 35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.18A
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.19 грн
5+76.40 грн
16+70.81 грн
25+67.13 грн
100+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 90574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.93 грн
25+40.98 грн
100+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+58.70 грн
1000+57.30 грн
3000+55.81 грн
6000+52.43 грн
9000+47.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GSUPERTEX
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 15243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.69 грн
25+48.77 грн
100+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.57 грн
25+55.70 грн
100+52.87 грн
250+48.17 грн
500+45.50 грн
1000+44.75 грн
3000+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyMOSFETs 350V 35Ohm
на замовлення 4729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.63 грн
100+54.32 грн
500+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.88 грн
25+54.47 грн
100+48.11 грн
2000+43.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYDN3135N8-G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.11 грн
2000+43.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.22 грн
4000+65.49 грн
6000+63.72 грн
8000+59.91 грн
10000+54.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-gMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 35294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.44 грн
25+55.51 грн
100+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+63.79 грн
25+62.80 грн
100+59.59 грн
250+54.28 грн
500+51.25 грн
1000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-gMICROCHIP TECHNOLOGYDN3145N8-G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+62.49 грн
4000+61.53 грн
6000+60.57 грн
8000+57.58 грн
10000+52.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1.3
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 60
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-gMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-gSUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+69.78 грн
178+68.70 грн
181+67.63 грн
184+64.18 грн
250+58.46 грн
500+55.20 грн
1000+54.28 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-gMicrochip TechnologyMOSFETs 450V 60Ohm
на замовлення 68556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.12 грн
10+68.36 грн
25+52.45 грн
100+48.26 грн
1000+48.04 грн
4000+46.57 грн
10000+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DN3145N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3200MolexConn Circular Adapter PIN/SKT 5 POS T Style 5 Terminal 3 Port
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+6290.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DN32CH432G50BTKYOCERA05+NOP
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN32W5R104K100BTKYOCERA05+NOP
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN32W5R124K25BT
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3538+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3538
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.42 грн
40+21.04 грн
100+8.83 грн
500+6.48 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1071000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3334+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 3334
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2358+3.20 грн
3000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 2358
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.65 грн
16+19.39 грн
100+9.78 грн
500+7.48 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.69 грн
23+15.31 грн
100+6.69 грн
1000+6.11 грн
3000+4.12 грн
9000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4274+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 4274
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 404
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.83 грн
500+6.48 грн
1000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN350T05-7Diodes IncTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyMOSFETs 250V 6Ohm
на замовлення 128166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.75 грн
25+58.71 грн
100+45.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.04 грн
4000+66.41 грн
6000+65.77 грн
8000+62.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 360mA; Idm: 1A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.36A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G
Код товару: 165361
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+63.53 грн
25+62.56 грн
100+59.39 грн
250+54.14 грн
500+51.14 грн
1000+50.32 грн
3000+49.49 грн
6000+48.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
25+51.59 грн
100+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 360mA; Idm: 1A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.36A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.76 грн
25+56.20 грн
100+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+50.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525NDMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8Microchip TechnologyMOSFET 350V 10Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.52 грн
11+59.90 грн
25+59.27 грн
100+56.55 грн
250+51.80 грн
500+49.19 грн
1000+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.53 грн
7+61.31 грн
10+52.11 грн
100+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyMOSFETs 350V 10Ohm
на замовлення 14354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.84 грн
100+59.81 грн
500+47.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+56.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+75.78 грн
8000+69.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.35 грн
25+70.56 грн
100+64.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+65.18 грн
190+64.50 грн
192+63.83 грн
194+60.90 грн
250+55.78 грн
500+52.97 грн
1000+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 188
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.05 грн
25+53.74 грн
100+48.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+61.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+99.03 грн
4+76.40 грн
10+62.53 грн
100+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3Microchip TechnologyMOSFETs 450V 20Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+88.99 грн
250+74.38 грн
500+72.27 грн
1000+68.03 грн
3000+60.52 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 136MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.05 грн
25+53.74 грн
100+48.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMicrochip TechnologyMOSFETs 450V 20Ohm
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.38 грн
25+61.08 грн
100+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+59.87 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 136mA; Idm: 1.6A; 740mW; TO92
Case: TO92
Drain-source voltage: 450V
Drain current: 136mA
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.6A
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.21 грн
5+69.71 грн
19+57.93 грн
51+54.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+81.99 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 136 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.32 грн
25+59.09 грн
100+54.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 136mA; Idm: 1.6A; 740mW; TO92
Case: TO92
Drain-source voltage: 450V
Drain current: 136mA
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.6A
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.94 грн
19+48.28 грн
51+45.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-G P002Microchip TechnologyMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-G P003Microchip TechnologyMOSFETs N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-G P005Microchip TechnologyMOSFETs 3L TO-92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-G P013Microchip TechnologyMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-G P014Microchip TechnologyMOSFETs N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8Microchip TechnologyMOSFETs 450V 20Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+76.97 грн
161+75.80 грн
164+74.63 грн
167+70.84 грн
250+64.55 грн
500+60.96 грн
1000+59.96 грн
3000+58.96 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-G
Код товару: 176174
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+61.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.99 грн
25+63.79 грн
100+62.97 грн
2000+57.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 200mA; Idm: 0.3A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+70.33 грн
1000+70.05 грн
1500+69.67 грн
2000+66.81 грн
4000+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 20908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.42 грн
25+57.26 грн
100+53.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyMOSFETs 450V 20Ohm
на замовлення 12375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.05 грн
100+63.71 грн
500+51.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+61.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 200mA; Idm: 0.3A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+71.47 грн
10+70.39 грн
25+69.30 грн
100+65.78 грн
250+59.94 грн
500+56.61 грн
1000+55.68 грн
3000+54.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.97 грн
2000+57.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N8-G D561Microchip TechnologyMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3687GFPVRenesas Electronics CorporationDescription: IC MCU 16BIT 56KB FLASH 64LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Program Memory Size: 56KB (56K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 512 x 8
Core Processor: H8/300H
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SCI
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-LFQFP (10x10)
Number of I/O: 43
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3687GFPVRENESASQFP 07+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3687GFPVRenesas Electronics16-bit Microcontrollers - MCU MCU 3/5V 56K Pb-free 64-LQFP
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3687GFPVRenesasMCU 16-bit H8/300H CISC 56KB ROM 3.3V/5V 64-Pin LFQFP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1044.96 грн
10+958.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DN3694GFPVRenesas Electronics AmericaDescription: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 64LQFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3765K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+189.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3765K4-GMicrochip TechnologyMOSFET NCh DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.50 грн
25+222.51 грн
100+179.51 грн
4000+178.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3765K4-GMICROCHIP TECHNOLOGYDN3765K4-G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3765K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.09 грн
25+201.30 грн
100+182.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.