Продукція > FF7

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FF7SURGEDescription: 1A -1000V - ESGA (SOD-123FL) - R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF7Good-ArkDiode Switching 1KV 1A 2-Pin SOD-123FL T/R
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R12ME7B11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF750R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 750 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 750A
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 750A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDual IGBT Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200 V, 750 A dual IGBT module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: ECONODUAL 3 WITH TRENCHSTOP IGBT
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 115 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 45 µA
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 750 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONOD
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 750A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11623.97 грн
10+10239.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDual IGBT Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesEcono DUAL 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesEcono DUAL 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+21831.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 750 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15831.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesEcono DUAL 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7B11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF750R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 750 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 750A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 750A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 750 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 78.1 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF750R17ME7DB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 750 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 20mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 750A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 750A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20644.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 750 A dual IGBT module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 750A 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7167.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DPB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF750R17ME7DPB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 650A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DPB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 650A 11-Pin Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13850.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DPB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 650A 11-Pin Tray
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+13850.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DPB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DPB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: FF750R17ME7DPB11BPSA1
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 78100 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 650 A
IGBT Type: Trench Field Stop
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 750A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Box
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17618.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF750R17ME7DPB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 650A 11-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R06KF3EUPECC3-4
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12KE3EUPECMODULE
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12KT3EUPECMODULE
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12RT4Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1200V 75A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12RT4
Код товару: 67169
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12RT4HOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 75A 395W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 395 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12RT4HOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF75R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 75 A, 1.85 V, 395 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 395W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12RT4HOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 75A 395W Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+9014.12 грн
100+8563.89 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12W1T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 65A 23-Pin Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12W1T7EB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF75R12W1T7EB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 65 A, 1.55 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 65A
Produktpalette: EasyDUAL Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12W1T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 65A 23-Pin Tray
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1988.58 грн
24+1936.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12W1T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules EASY
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12W1T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1200V 65A 23-Pin Tray
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1988.58 грн
24+1936.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12W1T7EB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 65A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1B
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15100 pF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2779.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12YT3Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.2KV 100A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12YT3BOMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 100A 345W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 345 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5 nF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF75R12YT3BOMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - FF75R12YT3BOMA1 - FF75R12 - IGBT MODULE
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF7MR12W1M1HB17BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1B
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 120A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 20mW
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Supplier Device Package: AG-EASY1B
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 56mA
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8414.25 грн
24+6999.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF7MR12W1M1HB17BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF7MR12W1M1HB17BPSA1 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 5800 µohm, 18 V, 5.15 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Produktpalette: EasyDUAL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF7MR12W1M1HB17BPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules EASY
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.