НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GD40014
на замовлення 14038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4001B
на замовлення 18700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4001BD
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4002BGS90+ DIP
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4007UBLG90+ DIP
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4007UBDSOP 0140+
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4007UBDGS SOP
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD400CLY120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD400CLY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 630 A, 1.7 V, 2.083 kW, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 630A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.083kW
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7673.27 грн
GD400CLY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD400CLY120C2S IGBT modules
товар відсутній
GD400CUY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD400CUY120C2S IGBT modules
товар відсутній
GD400CUY120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD400CUY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 630 A, 1.7 V, 2.083 kW, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 630A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.083kW
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7673.27 грн
GD400HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Case: C2 62mm
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній
GD400HFU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Case: C2 62mm
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 12 шт
товар відсутній
GD400HFU120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD400HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 660 A, 3.1 V, 2.66 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 660A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 2.66kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.66kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 660A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8694.44 грн
GD400HFX170C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD400HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 648 A, 1.85 V, 2.38 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 648
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 2.38
Verlustleistung: 2.38
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 648
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10099.38 грн
GD400HFX170C2SSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Case: C2 62mm
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Technology: Trench FS IGBT
Type of module: IGBT
Max. off-state voltage: 1700V
Collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
товар відсутній
GD400HFX170C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD400HFX170C2S IGBT modules
товар відсутній
GD400HFX65C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD400HFX65C2S IGBT modules
товар відсутній
GD400HFX65C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD400HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 509 A, 1.45 V, 1.26 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Dauer-Kollektorstrom: 509
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45
Verlustleistung Pd: 1.26
Verlustleistung: 1.26
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 509
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5837.69 грн
GD400HFY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Pulsed collector current: 800A
Collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C2 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товар відсутній
GD400HFY120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD400HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 630 A, 2 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 2.083
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 630
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7910.52 грн
5+ 7799.71 грн
GD400HFY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A
Pulsed collector current: 800A
Collector current: 400A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C2 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
GD400SGU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD400SGU120C2S IGBT modules
товар відсутній
GD400SGU120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD400SGU120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 549 A, 2.9 V, 2.659 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
Dauer-Kollektorstrom: 549
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9
Verlustleistung Pd: 2.659
Verlustleistung: 2.659
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 549
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
GD400SGX170C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1700V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Case: C2 62mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 12 шт
товар відсутній
GD400SGX170C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD400SGX170C2S - IGBT-Modul, Einfach, 648 A, 1.85 V, 2.38 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Dauer-Kollektorstrom: 648
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85
Verlustleistung Pd: 2.38
Verlustleistung: 2.38
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 648
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6585.91 грн
5+ 6331.54 грн
10+ 6014.71 грн
GD400SGX170C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1700V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Case: C2 62mm
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
товар відсутній
GD400SGY120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD400SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 630 A, 1.65 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 2.083
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 630
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5584.08 грн
GD400SGY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1200V
Collector current: 400A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
GD400SGY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Topology: single transistor
Max. off-state voltage: 1200V
Collector current: 400A
Case: C2 62mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 800A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 12 шт
товар відсутній
GD4011BD
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4012BDIP
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4013BN/A
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4013BLG00+ DIP
на замовлення 50030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD40163B
на замовлення 1297 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4017GOLDSTAR
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4019B90
на замовлення 560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4019B
на замовлення 560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4020B
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4021B96
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4021BDIP
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4021BDGSSOP16
на замовлення 891 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4024BLG94+
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4025B
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4025B91
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4027BGOLDSTAR1993
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4027BGS
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4028BLG92+ DIP
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4030352ZA6NKYOCERA AVXDescription: MICRO-W SLC
Tolerance: -20%, +80%
Packaging: Tray
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: Nonstandard SMD
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.040" L x 0.040" W (1.02mm x 1.02mm)
Mounting Type: Surface Mount, SLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.007" (0.18mm)
Capacitance: 3500 pF
товар відсутній
GD4030BGOLDALLASTAR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4040B93
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4040BDIP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4049BGeneral SemiconductorDescription: GD4049 - HEX INVERTING BUFFER
товар відсутній
GD4051B
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4053BD
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4066BDN/A96+ SOP
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4066BDGS9030
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4067BGS06+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4069BGSDIP
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4069UBGSDIP
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4070BGS03+ DIP14
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4071B
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4093BDIP
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD40PIY120C5SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD40PIY120C5S IGBT modules
товар відсутній
GD40PIY120C5SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD40PIY120C5S - IGBT-Modul, PIM, 72 A, 1.7 V, 280 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 72
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 280
Verlustleistung: 280
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM
DC-Kollektorstrom: 72
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3917.33 грн
5+ 3863.04 грн
GD450HFX170C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD450HFX170C6S IGBT modules
товар відсутній
GD450HFX170C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD450HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 706 A, 1.85 V, 2.542 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 706A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 2.542kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.542kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 706A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11075.18 грн
5+ 10293.5 грн
GD450HFX65C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORGD450HFX65C6S IGBT modules
товар відсутній
GD450HFY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Pulsed collector current: 900A
Collector current: 450A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C2 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товар відсутній
GD450HFY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Pulsed collector current: 900A
Collector current: 450A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C2 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 12 шт
товар відсутній
GD450HFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Pulsed collector current: 900A
Collector current: 450A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C6 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
GD450HFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Pulsed collector current: 900A
Collector current: 450A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C6 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товар відсутній
GD450HFY120C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD450HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 680 A, 2 V, 2.173 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Dauer-Kollektorstrom: 680
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 2.173
Verlustleistung: 2.173
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 680
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11348.14 грн
5+ 9726.02 грн
10+ 8509.99 грн
GD450HTX170C7SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 450A
Case: C7
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 900A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
GD450HTX170C7SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 450A
Case: C7
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 900A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
GD450HTY120C7SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 450A
Case: C7
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 900A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 8 шт
товар відсутній
GD450HTY120C7SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD450HTY120C7S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 680 A, 1.7 V, 2.173 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 2.173
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 29
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 680
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21878.89 грн
5+ 21441.57 грн
GD450HTY120C7SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; C7
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 450A
Case: C7
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 900A
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
GD4510BGS93+ DIP
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4511BD
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4528B92
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4528BD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4703B
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4723BJRochester Electronics, LLCDescription: GD4723BJ
на замовлення 5565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GD4725
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4725B
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD4731BDIP
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)