Продукція > GD4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GD40014 | на замовлення 14038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GD4001B | на замовлення 18700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GD4001BD | на замовлення 3781 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GD4002B | GS | 90+ DIP | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD4007UB | LG | 90+ DIP | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD4007UBD | SOP 0140+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| GD4007UBD | GS SOP | на замовлення 440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| GD400CLY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1200V; screw Case: C2 62mm Topology: buck chopper Semiconductor structure: diode/transistor Pulsed collector current: 800A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 400A кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD400CLY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1200V; screw Case: C2 62mm Topology: buck chopper Semiconductor structure: diode/transistor Pulsed collector current: 800A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 400A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD400CLY120C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400CLY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 630 A, 1.7 V, 2.083 kW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 630A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 2.083kW Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| GD400CUY120C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400CUY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 630 A, 1.7 V, 2.083 kW, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Modul rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 630A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 2.083kW Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| GD400CUY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400CUY120C2S IGBT modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD400HFU120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 400A Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Technology: NPT Ultra Fast IGBT Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD400HFU120C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400HFU120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 660 A, 3.1 V, 2.66 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V Dauer-Kollektorstrom: 660A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V Verlustleistung Pd: 2.66kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.66kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 660A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| GD400HFU120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 400A Case: C2 62mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Technology: NPT Ultra Fast IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD400HFX170C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400HFX170C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 648 A, 1.85 V, 2.38 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85 Dauer-Kollektorstrom: 648 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85 Verlustleistung Pd: 2.38 Verlustleistung: 2.38 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 648 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| GD400HFX170C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400HFX170C2S IGBT modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD400HFX65C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400HFX65C2S IGBT modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD400HFX65C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 509 A, 1.45 V, 1.26 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V Dauer-Kollektorstrom: 509A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V Verlustleistung Pd: 1.26kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.26kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 509A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| GD400HFY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A Pulsed collector current: 800A Collector current: 400A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C2 62mm Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD400HFY120C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 630 A, 2 V, 2.083 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2 Verlustleistung Pd: 2.083 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 630 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| GD400HFY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A Pulsed collector current: 800A Collector current: 400A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C2 62mm Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge кількість в упаковці: 10 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD400SGU120C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400SGU120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 549 A, 2.9 V, 2.659 kW, 125 °C, Module IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9 Dauer-Kollektorstrom: 549 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9 Verlustleistung Pd: 2.659 Verlustleistung: 2.659 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Einfach DC-Kollektorstrom: 549 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD400SGU120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Topology: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 400A Case: C2 62mm Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Technology: NPT Ultra Fast IGBT Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD400SGU120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Topology: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 400A Case: C2 62mm Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 800A Technology: NPT Ultra Fast IGBT Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD400SGX170C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400SGX170C2S IGBT modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD400SGX170C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400SGX170C2S - IGBT-Modul, Einfach, 648 A, 1.85 V, 2.38 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 648A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 2.38kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.38kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 648A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| GD400SGY120C2S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD400SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 630 A, 1.65 V, 2.083 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65 Verlustleistung Pd: 2.083 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Einfach DC-Kollektorstrom: 630 SVHC: To Be Advised | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| GD400SGY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400SGY120C2S IGBT modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD4011BD | на замовлення 1026 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GD4012B | DIP | на замовлення 156 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| GD4013B | N/A | на замовлення 1878 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| GD4013B | LG | 00+ DIP | на замовлення 50030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD40163B | на замовлення 1297 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GD4017 | GOLDSTAR | на замовлення 346 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| GD4019B | 90 | на замовлення 560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| GD4019B | на замовлення 560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GD4020B | на замовлення 703 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GD4021B | 96 | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| GD4021B | DIP | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| GD4021BD | GS | SOP16 | на замовлення 891 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD4024B | LG | 94+ | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD4025B | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GD4025B | 91 | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| GD4027B | GOLDSTAR | 1993 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD4027B | GS | на замовлення 1099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| GD4028B | LG | 92+ DIP | на замовлення 22 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD4030352ZA6N | KYOCERA AVX | Description: MICRO-W SLC Packaging: Tray Tolerance: -20%, +80% Voltage - Rated: 25V Package / Case: Nonstandard SMD Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.040" L x 0.040" W (1.02mm x 1.02mm) Mounting Type: Surface Mount, SLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Thickness (Max): 0.007" (0.18mm) Capacitance: 3500 pF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD4030B | GOLDALLASTAR | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| GD4040B | 93 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| GD4040B | DIP | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| GD4049B | General Semiconductor | Description: GD4049 - HEX INVERTING BUFFER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD4051B | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GD4053BD | на замовлення 794 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GD4066BD | GS | 9030 | на замовлення 2495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD4066BD | N/A | 96+ SOP | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD4067B | GS | 06+ PLCC | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD4069B | GS | DIP | на замовлення 75 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD4069UB | GS | DIP | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD4070B | GS | 03+ DIP14 | на замовлення 56 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD4071B | на замовлення 2498 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GD4093B | DIP | на замовлення 124 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| GD40PIY120C5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 80A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: C5 45mm | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||
| GD40PIY120C5S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; screw Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 80A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: C5 45mm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||
| GD40PIY120C5S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD40PIY120C5S - IGBT-Modul, PIM, 72 A, 1.7 V, 280 W, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench-Transistor Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 72 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 280 Verlustleistung: 280 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: PIM DC-Kollektorstrom: 72 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: To Be Advised | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| GD450HFX170C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD450HFX170C6S IGBT modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD450HFX170C6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD450HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 706 A, 1.85 V, 2.542 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 706A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 2.542kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.542kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 706A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| GD450HFX65C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD450HFX65C6S IGBT modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD450HFY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Pulsed collector current: 900A Collector current: 450A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C2 62mm Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD450HFY120C2S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Pulsed collector current: 900A Collector current: 450A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C2 62mm Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge кількість в упаковці: 12 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD450HFY120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Pulsed collector current: 900A Collector current: 450A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: Press-in PCB; screw Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C6 62mm Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge кількість в упаковці: 10 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD450HFY120C6S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Pulsed collector current: 900A Collector current: 450A Gate-emitter voltage: ±20V Semiconductor structure: transistor/transistor Electrical mounting: Press-in PCB; screw Mechanical mounting: screw Max. off-state voltage: 1.2kV Case: C6 62mm Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD450HFY120C6S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD450HFY120C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 680 A, 2 V, 2.173 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2 Dauer-Kollektorstrom: 680 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2 Verlustleistung Pd: 2.173 Verlustleistung: 2.173 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Halbbrücke DC-Kollektorstrom: 680 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| GD450HTX170C7S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD450HTX170C7S IGBT modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD450HTY120C7S | STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD450HTY120C7S IGBT modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD450HTY120C7S | STARPOWER | Description: STARPOWER - GD450HTY120C7S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 680 A, 1.7 V, 2.173 kW, 150 °C, Module IGBT-Technologie: Trench/Feldstop Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 2.173 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 29 Produktpalette: - IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 680 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| GD4510B | GS | 93+ DIP | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD4511BD | на замовлення 1988 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GD4528B | 92 | на замовлення 525 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| GD4528BD | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GD4703B | на замовлення 488 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GD4723BJ | Rochester Electronics, LLC | Description: GD4723BJ | на замовлення 5565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| GD4725 | на замовлення 481 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GD4725B | на замовлення 660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GD4731B | DIP | на замовлення 325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |