Продукція > IDB
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDB-12 | J.S.T. Deutschland GmbH | Pistol Tool | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB-12 | JST Sales America Inc. | Description: TOOL HAND CRIMPER DISCRETE TOP Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Discrete Wire Tool Type: Hand Crimper Part Status: Active Tool Method: Manual Tool Type Feature: Without Die Set Ratcheting: No Ratchet Wire Entry Location: Top Entry | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB-12 | JST | Category: Dedicated Crimping Tools Description: Tool: for crimping; IDC; without crimping dies; KR,NR Related items: IDH-KR-12; IDH-NR-12 Type of tool: for crimping Version: without crimping dies Application - series/manufacturer: KR; NR Kind of connector: IDC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB-12 | JST | Category: Dedicated Crimping Tools Description: Tool: for crimping; IDC; without crimping dies; KR,NR Related items: IDH-KR-12; IDH-NR-12 Type of tool: for crimping Version: without crimping dies Application - series/manufacturer: KR; NR Kind of connector: IDC | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB04E120 | INF | TO-263 | на замовлення 34000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB06E60 | INF | TO-263 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB06S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers 2ND GEN THINQ 600V SiC Schottky Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB06S60C | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB06S60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB06S60CATMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB06S60CATMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB06S60CATMA2 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDB06S60CATMA2 - IDB06S60 - COOLSIC SCHOTTKY DIODE euEccn: TBC hazardous: true productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 38373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB06S60CATMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO263-3-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 280pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 600 V | на замовлення 38373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB06S60CATMA2 | Infineon Technologies | Diode Schottky 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB09E120 | INF | TO-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB09E120 | infineon | 03+ | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB09E60 | infineon | 03+ | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB09E60 | INF | TO-263 | на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB09E60ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 19.3A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 19.3A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 9 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB10S60C | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers 2ND GEN THINQ 600V SiC Schottky Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB10S60C | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB10S60CATMA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB10S60CATMA2 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB10S60CATMA2 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB10S60CXT | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB12E120 | infineon | 03+ | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB12E120ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB12E120ATMA1 | Rochester Electronics, LLC | Description: RECTIFIER DIODE | на замовлення 4504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB15E60 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IDB15E60 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB15E60 | infineon | 03+ | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB15E60ATMA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 29.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB15E60ATMA1 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode | на замовлення 312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB15E60ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 29.2A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 87 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 29.2A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB18E120 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 31A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 18 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | на замовлення 21100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB18E120ATMA1 | Rochester Electronics, LLC | Description: RECTIFIER DIODE, 31A, 1200V | на замовлення 5811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB18E120ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB23E60 | infineon | 03+ | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB23E60ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 41A TO263-3-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 41A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 23 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB23E60ATMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IDB23E60ATMA1 - IDB23E60 FAST SWITCHING EMITTER CONTROL tariffCode: 85423190 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB23E60ATMA1 | Infineon Technologies | Diode Switching 600V 41A 3-Pin(2+Tab) TO-263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB23E60ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 41A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 41A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 23 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB30E120 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A | на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB30E120 діод Код товару: 194204
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IDB30E120ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1200V; 30A; TO263-3 Case: TO263-3 Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB30E120ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 1200V 50A PGTO26332 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 243 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB30E120ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IDB30E120ATMA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 50 A, Einfach, 2.15 V, 243 ns, 102 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 102A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.15V Sperrverzögerungszeit: 243ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IDB30 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB30E120ATMA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 1.2KV 50A 243ns 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB30E120ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1200V; 30A; TO263-3 Case: TO263-3 Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching Mounting: SMD | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB30E120ATMA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 1.2KV 50A 243ns 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB30E120ATMA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 1.2KV 50A 243ns 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB30E120ATMA1 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A | на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB30E120ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE STD 1200V 50A PGTO26332 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 243 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.15 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | на замовлення 2432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB30E120ATMA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 1.2KV 50A 243ns 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB30E60 | Infineon Technologies | Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 30A | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB30E60 | infineon | 03+ | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB30E60 | INF | TO-263 | на замовлення 74000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB30E60 | Infineon technologies | на замовлення 76 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IDB30E60ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GP 600V 52.3A TO263-3-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 126 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 52.3A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB30E60ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 30A; TO263-3 Case: TO263-3 Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching Mounting: SMD кількість в упаковці: 1000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB30E60ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 30A; TO263-3 Case: TO263-3 Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB30E60ATMA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 600V 52.3A 126ns 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDB45E60 | infineon | 03+ | на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB45E60 | Infineon Technologies | Small Signal Switching Diodes FAST SWITCH EMCON DIODE 600V 45A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB45E60ATMA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 600V 71A 140ns 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB45E60ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 71A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 45 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDB45E60XT | Infineon Technologies | Rectifier Diode Switching 600V 71A 140ns 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IDBH-KR12 | JST (JAPAN SOLDERLESS TERMINALS) | Description: JST (JAPAN SOLDERLESS TERMINALS) - IDBH-KR12 - Crimpwerkzeug, Crimpzange, IDC-Steckverbinder zum Anschluss von Einzeladern, IDBH tariffCode: 82031000 productTraceability: No rohsCompliant: NA euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA Zur Verwendung mit: IDC-Steckverbinder zum Anschluss von Einzeladern usEccn: EAR99 Crimpwerkzeug: Crimpzange Produktpalette: IDBH SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IDBH-NR12 | JST (JAPAN SOLDERLESS TERMINALS) | Description: JST (JAPAN SOLDERLESS TERMINALS) - IDBH-NR12 - Crimpwerkzeug, Crimpzange, IDC-Steckverbinder zum Anschluss von Einzeladern, IDBH Zur Verwendung mit: IDC-Steckverbinder zum Anschluss von Einzeladern Crimpwerkzeug: Crimpzange Produktpalette: IDBH SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|