Продукція > IGC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IGC001 | ifm efector, inc. | Description: INDUCTIVE SENSOR, M18X1 FLUSH 8M | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC001 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC002 | ifm efector, inc. | Description: INDUCTIVE SENSOR, M18X1 NON-FLUS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC002 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC016K10S2XTMA1 | Infineon Technologies | Cool GaN Transistor G5 with Integrated Schottky Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC016K10S2XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MV GAN DISCRETES | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC019S06S1 | Infineon Technologies | MV GAN DISCRETES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC019S06S1XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC019S06S1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 35A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 12mA Supplier Device Package: PG-TSON-6-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±6.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V | на замовлення 2214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC019S06S1XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGC019S06S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 60 V, 99 A, 1900 µohm, 13 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 13nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm | на замовлення 10246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC019S06S1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC019S06S1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC019S06S1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 99A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 35A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 12mA Supplier Device Package: PG-TSON-6-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±6.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC019S06S1XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGC019S06S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 60 V, 99 A, 1900 µohm, 13 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 13nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: CoolGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm | на замовлення 10246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC019S06S1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC019S06S1XTMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm | на замовлення 2348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC025S08S1 | Infineon Technologies | MV GAN DISCRETES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC025S08S1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC025S08S1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TSON-6-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±6.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V | на замовлення 6850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC025S08S1XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 12nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: CoolGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm | на замовлення 1911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC025S08S1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC025S08S1XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC025S08S1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TSON-6-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±6.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC025S08S1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC025S08S1XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 12nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm | на замовлення 1911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC025S08S1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 80V 23A 6-Pin TSON T/R | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC025S08S1XTMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm | на замовлення 8598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC025S08S1XTMA1 транзистор польовий Код товару: 223372
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IGC033S101XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC033S101XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC033S101XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC033S101XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC033S101XTMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA Supplier Device Package: PG-VSON-6-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±6.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V | на замовлення 2228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC033S101XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC033S101XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 11nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC033S101XTMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs MV GAN DISCRETES | на замовлення 3157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC033S101XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC033S101XTMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA Supplier Device Package: PG-VSON-6-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±6.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC033S101XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC033S101XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin VSON T/R | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC033S101XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 11nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC033S10S1 | Infineon Technologies | MV GAN DISCRETES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC033S10S1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA Supplier Device Package: PG-TSON-6-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±6.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC033S10S1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin TSON T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC033S10S1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin TSON T/R | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC033S10S1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin TSON T/R | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC033S10S1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA Supplier Device Package: PG-TSON-6-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±6.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V | на замовлення 13940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC033S10S1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 21A 6-Pin TSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC033S10S1XTMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs MV GAN DISCRETES | на замовлення 1675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC033S10S1XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 76A; 45W Mounting: SMD Power dissipation: 45W Gate charge: 14nC Technology: GaN Drain current: 76A Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Gate-source voltage: -4...5.5V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC037S12S1 | Infineon Technologies | MV GAN DISCRETES | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC037S12S1XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 3700 µohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 10nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | на замовлення 706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC037S12S1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 7mA Supplier Device Package: PG-TSON-6-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±6.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 60 V | на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC037S12S1XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC037S12S1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 120V 19A 6-Pin TSON T/R | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC037S12S1XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 3700 µohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 10nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: CoolGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | на замовлення 706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC037S12S1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 7mA Supplier Device Package: PG-TSON-6-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±6.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 60 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC037S12S1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 120V 19A 6-Pin TSON T/R | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC037S12S1XTMA1 | Infineon Technologies | GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm | на замовлення 11848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC037S12S1XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH GaN 120V 19A 6-Pin TSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC03T60TEX7SA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 3A WAFER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC04R60SEX1SA1 | Infineon Technologies | SP000939356 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 68922 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC04R60SEX1SA1 | Infineon Technologies | SP000939356 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 68922 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC06R60DEX1SA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors The reverse conducting TRENCHSTOP IGBT combines the unique TRENCHSTOP and Fieldstop technology and a monolithically integrated diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC07T120T8LX1SA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC08T65U12QX7SA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT CHIP SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC090S18S1XTMA1 | Infineon Technologies | Cool Ga Transistor 175 V G3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC090S20S1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: 200 V G3 IN PQFN 3X5, 6.7 M,DSC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC090S20S1XTMA1 | Infineon Technologies | Description: 200 V G3 IN PQFN 3X5, 6.7 M,DSC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC109T120T6RLX1SA2 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC109T120T6RMX1SA3 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC114T170S8RHX1SA3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors The TRENCHSTOP IGBT combines the unique TRENCHSTOP and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC114T170S8RHX1SA3 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1700V 3-Pin Die Wafer | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC11T120T6LX1SA3 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC11T60TEX7SA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 11A WAFER Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC142T120T8RH | Infineon Technologies | IGBT Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC142T120T8RLX1SA2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors The TRENCHSTOP IGBT combines the unique TRENCHSTOP and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC142T120T8RLX1SA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3-Pin Die Wafer | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1530 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC168T170S8RHX1SA3 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1700V 3-Pin Die Wafer | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC168T170S8RHX1SA3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors The TRENCHSTOP IGBT combines the unique TRENCHSTOP and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC18T120T6LX1SA4 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC18T120T8LX1SA2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors The TRENCHSTOP IGBT combines the unique TRENCHSTOP and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC18T120T8LX1SA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 15A Supplier Device Package: Die IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC18T120T8QX1SA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 15A DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC204 | ifm efector, inc. | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Indicator: LED Ingress Protection: IP68 Sensor Type: Inductive Material - Body: Nickel-Plated Brass Voltage - Supply: 10V ~ 30V Termination Style: Connector Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Shielding: Unshielded Sensing Distance: 0.315" (8mm) Output Type: PNP-NO, 3-Wire Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Packaging: Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC204 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC206 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC20T60TEX7SA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 20A WAFER Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC212C | на замовлення 534 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IGC213 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC223 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC232 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC233 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC234 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC235 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC258 | ifm efector, inc. | Description: INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L = | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC259 | IFM ELECTRONIC | Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive Type of sensor: inductive | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IGC27T120T8LX1SA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 25A DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC320C | FUJITSU | 09+ SOP28 | на замовлення 1001 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IGC50T120T8RLX1SA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4779 шт В кошику од. на суму грн. |