Продукція > IGC

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IGC019S06S1Infineon Technologies MV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.94 грн
10+198.47 грн
100+127.02 грн
500+108.38 грн
2500+101.48 грн
5000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 35A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 12mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 395000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+213.73 грн
200000+196.25 грн
300000+183.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC019S06S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 60 V, 99 A, 1900 µohm, 13 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 13nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.46 грн
10+226.32 грн
100+168.33 грн
500+139.10 грн
1000+118.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 35A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 12mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.66 грн
10+192.65 грн
100+136.02 грн
500+109.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH GaN 60V 27A 6-Pin TSON T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.82 грн
10+227.27 грн
25+220.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC019S06S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 60 V, 99 A, 1900 µohm, 13 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 13nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 3494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+168.33 грн
500+139.10 грн
1000+118.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.14 грн
10+225.03 грн
100+158.91 грн
500+122.62 грн
1000+114.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.94 грн
10+201.35 грн
100+148.19 грн
500+117.42 грн
1000+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 80V 23A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 2500 µohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 12nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+148.19 грн
500+117.42 грн
1000+106.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm
на замовлення 9078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.94 грн
10+198.47 грн
100+127.02 грн
500+108.38 грн
2500+104.24 грн
5000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MV GAN DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-VSON-6-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.58 грн
10+181.66 грн
100+128.23 грн
500+109.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.43 грн
10+227.12 грн
100+179.60 грн
500+142.10 грн
1000+120.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1Infineon TechnologiesGaN FETs MV GAN DISCRETES
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.94 грн
10+207.21 грн
100+127.02 грн
500+108.38 грн
2500+104.24 грн
5000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-VSON-6-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC033S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+172.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 6668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.14 грн
10+225.03 грн
100+158.91 грн
500+122.62 грн
1000+114.11 грн
2000+109.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.43 грн
10+227.12 грн
100+179.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 100V 21A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+109.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC033S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 76 A, 3300 µohm, 11 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 11nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+179.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S10S1XTMA1Infineon TechnologiesGaN FETs MV GAN DISCRETES
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.94 грн
10+201.65 грн
100+127.02 грн
500+108.38 грн
2500+104.24 грн
5000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 60 V
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.25 грн
10+226.90 грн
100+160.18 грн
500+123.60 грн
1000+115.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 3700 µohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 10nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+151.41 грн
500+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
на замовлення 3165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+314.91 грн
10+200.85 грн
100+127.02 грн
500+108.38 грн
2500+101.48 грн
5000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 3700 µohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 10nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.35 грн
10+207.79 грн
100+151.41 грн
500+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC03T60TEX7SA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 3A WAFER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC06R60DEX1SA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors The reverse conducting TRENCHSTOP IGBT combines the unique TRENCHSTOP and Fieldstop technology and a monolithically integrated diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC109T120T6RLX1SA2Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC109T120T6RMX1SA3Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC114T170S8RHX1SA3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1700V 3-Pin Die Wafer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC114T170S8RHX1SA3Infineon TechnologiesIGBT Transistors The TRENCHSTOP IGBT combines the unique TRENCHSTOP and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC11T120T6LX1SA3Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC11T60TEX7SA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 11A WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC142T120T8RHInfineon TechnologiesIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC142T120T8RLX1SA2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3-Pin Die Wafer
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1530 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC142T120T8RLX1SA2Infineon TechnologiesIGBT Transistors The TRENCHSTOP IGBT combines the unique TRENCHSTOP and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC168T170S8RHX1SA3Infineon TechnologiesIGBT Transistors The TRENCHSTOP IGBT combines the unique TRENCHSTOP and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC168T170S8RHX1SA3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1700V 3-Pin Die Wafer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC18T120T6LX1SA4Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC18T120T8LX1SA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC18T120T8LX1SA2Infineon TechnologiesIGBT Transistors The TRENCHSTOP IGBT combines the unique TRENCHSTOP and Fieldstop technology and is a benchmark in the industry.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC18T120T8QX1SA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 15A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC202IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC204IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC204ifm efector, inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Indicator: LED
Ingress Protection: IP68
Sensor Type: Inductive
Material - Body: Nickel-Plated Brass
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Termination Style: Connector
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Shielding: Unshielded
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC206IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC209IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC20T60TEX7SA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 20A WAFER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC212C
на замовлення 534 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC213IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC223IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC232IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC233IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC234IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC235IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC258ifm efector, inc.Description: INDUCTIVE SENSOR; M18 X 1 / L =
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC259IFM ELECTRONICCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive
Type of sensor: inductive
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+5369.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGC27T120T8LX1SA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 25A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC320CFUJITSU09+ SOP28
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGC50T120T8RLX1SA2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4779 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC50T120T8RLX7SA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 50A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC50T120T8RQX1SA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 50A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGC54T65R3QEX1SA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCIXF440ACINTELBGA
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04B60GAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT IPM 600V 4A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 4 A
Voltage: 600 V
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+564.43 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04B60GAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT IPM 600V 4A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 4 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04B60HAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT IPM 600V 4A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 4 A
Voltage: 600 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+494.95 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04B60HAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT IPM 600V 4A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 4 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04F60GAInfineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Dual In-Line Intell. Pwr Module; 600V 4A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04F60GA
Код товару: 180814
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04F60GAInfineon technologies
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04F60GAXKMA1Infineon TechnologiesIPM IGBT 600V 4A 24-Pin MDIP Tube
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+870.58 грн
21+681.58 грн
50+641.42 грн
100+559.28 грн
200+488.32 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04F60GAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT IPM 600V 4A 24-PWRDIP MOD
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module, Offset Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Active
Current: 4 A
Voltage: 600 V
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+794.50 грн
14+502.62 грн
112+388.08 грн
504+314.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04F60GAXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGCM04F60GAXKMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 13.5V-18.5V, 600V/4A/6 Ausgänge, SIP-24
tariffCode: 85423911
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 4A
Motortyp: Drehstrommotor (AC)
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 600V
Bauform - IPM: DIP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
Versorgungsspannung, min.: 13.5V
Bauform - Treiber: SIP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 4A
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Mini
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Mini
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+571.03 грн
5+500.15 грн
10+429.28 грн
50+372.44 грн
100+319.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04F60GAXKMA1Infineon TechnologiesIPM IGBT 600V 4A 24-Pin MDIP Tube
на замовлення 158584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+588.26 грн
100+558.73 грн
500+529.20 грн
1000+481.82 грн
10000+419.77 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04F60GAXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; -4÷4A
Mounting: THT
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 21.8W
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4...4A
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+600.47 грн
3+506.89 грн
5+479.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04F60GAXKMA1Infineon TechnologiesIPM IGBT 600V 4A 24-Pin MDIP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04F60GAXKMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers CIPOS MINI
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+452.63 грн
10+343.76 грн
25+296.16 грн
100+258.88 грн
280+254.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04F60GAXKMA1
Код товару: 168902
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04F60GAXKMA1Infineon TechnologiesIPM IGBT 600V 4A 24-Pin MDIP Tube
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+832.05 грн
26+550.69 грн
100+426.26 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04F60GAXKMA1Infineon TechnologiesIPM IGBT 600V 4A 24-Pin MDIP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04F60HAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 24MDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Current: 4 A
Voltage: 600 V
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+354.23 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04F60HAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 24MDIP
Voltage: 600 V
Current: 4 A
Part Status: Obsolete
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60GAXKMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers LSPS MODULES
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60GAXKMA1Infineon TechnologiesIPM IGBT 600V 4A 24-Pin MDIP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60GAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 4A 24PWRDIP MOD
Voltage: 600 V
Current: 4 A
Part Status: Active
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Packaging: Tube
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+564.61 грн
14+355.29 грн
112+307.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60GAXKMA1InfineonPower Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 4 A 24-PowerDIP Module Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAInfineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers CIPOS MINI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; ClPOS™ Mini,TRENCHSTOP™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -4...4A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 21.8W
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+596.89 грн
3+504.40 грн
5+470.33 грн
10+416.31 грн
14+394.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAXKMA1Infineon TechnologiesIPM IGBT 600V 4A 24-Pin MDIP Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAXKMA1
Код товару: 128622
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAXKMA1Infineon TechnologiesIntelligent Power Modules - IPMs LSPS MODULES
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+749.83 грн
10+485.07 грн
100+325.84 грн
560+292.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAXKMA1Infineon TechnologiesIPM IGBT 600V 4A 24-Pin MDIP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 24MDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Active
Current: 4 A
Voltage: 600 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+702.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAXKMA1Infineon TechnologiesIPM IGBT 600V 4A 24-Pin MDIP Tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+952.40 грн
20+717.92 грн
25+707.63 грн
50+669.09 грн
100+425.49 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]