Продукція > IGD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IGD-8-326-E1F12-BH-FASemikronIGBT Module Stack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD-8-424-P1F9-BH-FASemikronIGBT MODULE STACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1200V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns
Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.16 грн
10+61.00 грн
25+55.15 грн
100+45.71 грн
250+42.82 грн
500+41.08 грн
1000+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 4945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.53 грн
10+85.74 грн
100+58.48 грн
500+49.58 грн
1000+40.37 грн
2500+38.03 грн
5000+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1200V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns
Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 45 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGD03N120S7ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60T
Код товару: 94638
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+83.22 грн
10+71.00 грн
25+70.29 грн
50+67.09 грн
100+48.46 грн
250+46.06 грн
500+39.28 грн
1000+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.88 грн
14+63.83 грн
100+44.78 грн
500+32.46 грн
1000+27.21 грн
5000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 4756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.69 грн
10+57.77 грн
100+38.20 грн
500+27.97 грн
1000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1INFINEON TECHNOLOGIESIGD06N60TATMA1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.92 грн
10+61.96 грн
100+37.05 грн
500+29.43 грн
1000+26.26 грн
2500+23.85 грн
5000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.78 грн
500+32.46 грн
1000+27.21 грн
5000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1InfineonIGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C   IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.41 грн
10+106.74 грн
100+73.72 грн
250+68.07 грн
500+61.73 грн
1000+52.90 грн
3000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.15 грн
10+150.68 грн
100+119.36 грн
500+92.75 грн
1000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 24A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.60 грн
10+131.27 грн
100+90.56 грн
500+70.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.36 грн
500+92.75 грн
1000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGD08N120S7ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 24A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.64 грн
10+137.11 грн
100+94.33 грн
500+79.23 грн
1000+67.91 грн
2500+64.75 грн
5000+62.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGD08N120S7ATMA1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+133.44 грн
10+132.87 грн
25+132.28 грн
100+126.98 грн
250+117.04 грн
500+111.84 грн
1000+111.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT6 Trench and Field-stop Technology
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.31 грн
10+135.38 грн
100+98.85 грн
250+95.08 грн
500+83.76 грн
1000+76.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesSP004275478
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.84 грн
10+135.44 грн
100+113.43 грн
500+81.75 грн
1000+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 75W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 23A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+81.75 грн
1000+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+83.32 грн
1000+70.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT6 Trench and Field-stop Technology
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.39 грн
10+128.43 грн
100+95.08 грн
250+90.55 грн
500+79.99 грн
1000+74.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesSP004275482
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+163.38 грн
10+127.82 грн
100+109.20 грн
500+83.32 грн
1000+70.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515E07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EIPower IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 12V ~ 16V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.9V, 3.8V
Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13789.40 грн
10+11287.00 грн
40+10622.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EIPower IntegrationsGate Drivers IGBT Gate Drive Core IGBT Driver
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14507.65 грн
10+12155.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EI-34Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EI-34Power IntegrationsGate Drivers IGD515EI-34 IGBT Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EI1-34Power IntegrationsGate Drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD615A07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616Power IntegrationsPower Management Modules Single-Ch SCALE-1 IGBT Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Box
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.9V, 3.8V
Current - Peak Output (Source, Sink): 16A, 16A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616IC1Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616IT1Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616IT1Power IntegrationsPower Management Modules Single-Ch 15V IGBT Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616NT1Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616NT1Power IntegrationsPower Management Modules IGD616 IGBT Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.