Продукція > IGD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IGD01N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns
Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 45 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD03N120S7ATMA1 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 45 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 45W
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.05 грн
500+48.82 грн
1000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns
Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.62 грн
10+61.02 грн
100+40.66 грн
500+29.94 грн
1000+27.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 9958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.53 грн
10+66.90 грн
100+38.58 грн
500+30.45 грн
1000+28.33 грн
2500+24.03 грн
5000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD03N120S7ATMA1 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 45 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.91 грн
10+79.66 грн
100+62.05 грн
500+48.82 грн
1000+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60T
Код товару: 94638
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 6645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.71 грн
10+47.50 грн
100+27.17 грн
500+21.03 грн
1000+19.12 грн
2500+16.93 грн
5000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.14 грн
500+30.55 грн
1000+25.60 грн
5000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.56 грн
10+86.65 грн
25+85.78 грн
50+81.87 грн
100+59.14 грн
250+56.21 грн
500+47.93 грн
1000+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.64 грн
14+60.06 грн
100+42.14 грн
500+30.55 грн
1000+25.60 грн
5000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1InfineonIGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C   IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 4678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.97 грн
10+43.94 грн
100+28.85 грн
500+20.97 грн
1000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.09 грн
10+96.58 грн
100+66.71 грн
250+61.58 грн
500+55.85 грн
1000+47.86 грн
3000+45.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 24A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.04 грн
10+110.71 грн
100+65.75 грн
500+54.83 грн
1000+50.87 грн
2500+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.46 грн
10+141.79 грн
100+112.31 грн
500+87.28 грн
1000+68.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGD08N120S7ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 106W
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.14 грн
500+82.84 грн
1000+65.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 24A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.61 грн
10+101.26 грн
100+69.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGD08N120S7ATMA1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.86 грн
10+162.15 грн
25+161.43 грн
100+154.97 грн
250+142.84 грн
500+136.49 грн
1000+135.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT6 Trench and Field-stop Technology
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.70 грн
10+127.45 грн
100+106.74 грн
500+76.92 грн
1000+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.72 грн
10+122.49 грн
100+89.44 грн
250+86.03 грн
500+75.79 грн
1000+69.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 75W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 23A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+76.92 грн
1000+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.73 грн
10+120.28 грн
100+102.76 грн
500+78.40 грн
1000+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.55 грн
10+116.21 грн
100+86.03 грн
250+81.93 грн
500+72.37 грн
1000+67.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+78.40 грн
1000+66.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT6 Trench and Field-stop Technology
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515E07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EIPower IntegrationsGate Drivers IGBT Gate Drive Core IGBT Driver
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13126.38 грн
10+10997.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EIPower IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 12V ~ 16V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.9V, 3.8V
Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11755.05 грн
10+9621.58 грн
40+9055.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EI-34Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EI-34Power IntegrationsGate Drivers IGD515EI-34 IGBT Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EI1-34Power IntegrationsGate Drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD615A07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616Power IntegrationsPower Management Modules Single-Ch SCALE-1 IGBT Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Box
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.9V, 3.8V
Current - Peak Output (Source, Sink): 16A, 16A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616IC1Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616IT1Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616IT1Power IntegrationsPower Management Modules Single-Ch 15V IGBT Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616NT1Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616NT1Power IntegrationsPower Management Modules IGD616 IGBT Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R140D2SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD70R140D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.17 ohm, 1.9 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.9nC
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.51 грн
10+133.82 грн
100+94.79 грн
500+75.44 грн
1000+64.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R140D2SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.21 грн
10+116.99 грн
100+72.37 грн
500+60.49 грн
1000+52.16 грн
2500+48.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R200D2SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.70 грн
10+102.07 грн
100+61.04 грн
500+52.09 грн
1000+43.49 грн
2500+38.17 грн
5000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R200D2SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD70R200D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.24 ohm, 1.3 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.3nC
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.31 грн
10+104.35 грн
100+75.67 грн
500+60.50 грн
1000+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R270D2SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD70R270D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5.8 A, 0.33 ohm, 1 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.80 грн
10+90.01 грн
100+65.24 грн
500+52.15 грн
1000+44.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R270D2SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.40 грн
10+87.94 грн
100+52.98 грн
500+44.93 грн
1000+37.55 грн
2500+33.59 грн
5000+32.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R500D2SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.67 грн
10+76.32 грн
100+44.65 грн
500+36.60 грн
1000+32.02 грн
2500+28.20 грн
5000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.