Продукція > IGD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IGD-8-326-E1F12-BH-FASemikronIGBT Module Stack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD-8-424-P1F9-BH-FASemikronIGBT MODULE STACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns
Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+112.56 грн
10+68.20 грн
100+45.40 грн
500+33.43 грн
1000+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGD03N120S7ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 9958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.07 грн
10+78.43 грн
100+45.22 грн
500+35.70 грн
1000+33.22 грн
2500+28.18 грн
5000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD03N120S7ATMA1 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 45 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.40 грн
10+89.79 грн
100+69.95 грн
500+55.03 грн
1000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns
Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 45 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD03N120S7ATMA1 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 45 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 45W
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.95 грн
500+55.03 грн
1000+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60T
Код товару: 94638
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+94.28 грн
14+67.70 грн
100+47.50 грн
500+34.44 грн
1000+28.86 грн
5000+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1InfineonIGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C   IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 4678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+82.26 грн
10+49.78 грн
100+32.68 грн
500+23.75 грн
1000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.93 грн
10+55.69 грн
100+31.86 грн
500+24.65 грн
1000+22.41 грн
2500+19.85 грн
5000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.50 грн
500+34.44 грн
1000+28.86 грн
5000+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.48 грн
10+84.88 грн
25+84.03 грн
50+80.20 грн
100+57.93 грн
250+55.06 грн
500+46.95 грн
1000+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.27 грн
10+113.22 грн
100+78.20 грн
250+72.20 грн
500+65.48 грн
1000+56.11 грн
3000+53.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGD08N120S7ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 106W
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+118.52 грн
500+93.38 грн
1000+73.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 24A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.69 грн
10+113.06 грн
100+77.32 грн
500+58.20 грн
1000+57.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGD08N120S7ATMA1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.52 грн
10+158.84 грн
25+158.13 грн
100+151.80 грн
250+139.92 грн
500+133.70 грн
1000+133.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 24A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.38 грн
10+129.79 грн
100+77.08 грн
500+64.27 грн
1000+59.63 грн
2500+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.15 грн
10+159.83 грн
100+126.61 грн
500+98.39 грн
1000+77.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.28 грн
10+143.67 грн
100+120.32 грн
500+86.71 грн
1000+76.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.90 грн
10+143.60 грн
100+104.86 грн
250+100.85 грн
500+88.85 грн
1000+81.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 75W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 23A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+86.71 грн
1000+76.50 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT6 Trench and Field-stop Technology
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesSP004275478
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+88.38 грн
1000+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT6 Trench and Field-stop Technology
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesSP004275482
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+173.30 грн
10+135.59 грн
100+115.83 грн
500+88.38 грн
1000+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.49 грн
10+136.23 грн
100+100.85 грн
250+96.05 грн
500+84.85 грн
1000+78.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515E07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EIPower IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 12V ~ 16V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.9V, 3.8V
Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13250.94 грн
10+10845.97 грн
40+10207.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EIPower IntegrationsGate Drivers IGBT Gate Drive Core IGBT Driver
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15388.64 грн
10+12893.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EI-34Power IntegrationsGate Drivers IGD515EI-34 IGBT Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EI-34Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EI1-34Power IntegrationsGate Drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD615A07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616Power IntegrationsPower Management Modules Single-Ch SCALE-1 IGBT Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Box
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.9V, 3.8V
Current - Peak Output (Source, Sink): 16A, 16A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616IC1Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616IT1Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616IT1Power IntegrationsPower Management Modules Single-Ch 15V IGBT Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616NT1Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616NT1Power IntegrationsPower Management Modules IGD616 IGBT Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R140D2SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.78 грн
10+137.15 грн
100+84.85 грн
500+70.92 грн
1000+61.15 грн
2500+56.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R140D2SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD70R140D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.17 ohm, 1.9 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.9nC
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+231.66 грн
10+150.85 грн
100+106.85 грн
500+85.05 грн
1000+72.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R200D2SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD70R200D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.24 ohm, 1.3 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.3nC
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.58 грн
10+117.63 грн
100+85.30 грн
500+68.20 грн
1000+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R200D2SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.57 грн
10+119.66 грн
100+71.56 грн
500+61.07 грн
1000+50.99 грн
2500+44.74 грн
5000+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R270D2SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.42 грн
10+103.10 грн
100+62.11 грн
500+52.67 грн
1000+44.02 грн
2500+39.38 грн
5000+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R270D2SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD70R270D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5.8 A, 0.33 ohm, 1 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.34 грн
10+101.46 грн
100+73.54 грн
500+58.78 грн
1000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R500D2SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.81 грн
10+89.47 грн
100+52.35 грн
500+42.90 грн
1000+37.54 грн
2500+33.06 грн
5000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.