Продукція > IGD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IGD01N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 535 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD01N120H2BUMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns
Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 45 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD03N120S7ATMA1 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 45 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD03N120S7ATMA1 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 45 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/89ns
Switching Energy: 210µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 600V, 3A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+77.59 грн
100+52.03 грн
500+38.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD03N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY
на замовлення 9242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60T
Код товару: 94638
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1InfineonIGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C   IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+41.86 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 7172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.63 грн
10+88.43 грн
25+87.54 грн
50+83.55 грн
100+60.35 грн
250+57.36 грн
500+48.91 грн
1000+38.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 7172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N60TATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
на замовлення 4631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+77.59 грн
100+52.03 грн
500+38.55 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD06N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 106W
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 24A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 1511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGD08N120S7ATMA1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.19 грн
10+165.47 грн
25+164.73 грн
100+158.14 грн
250+145.76 грн
500+139.29 грн
1000+138.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 24A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/149ns
Switching Energy: 460µJ (on), 410µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.87 грн
10+105.59 грн
100+71.97 грн
500+54.03 грн
1000+49.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1Infineon TechnologiesIGD08N120S7ATMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 75W
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 23A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 23A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT6 Trench and Field-stop Technology
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD10N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 23A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 100W
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT6 Trench and Field-stop Technology
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD15N65T6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515E07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EIPower IntegrationsGate Drivers IGBT Gate Drive Core IGBT Driver
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EIPower IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 12V ~ 16V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.9V, 3.8V
Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11995.50 грн
10+9818.39 грн
40+9240.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EI-34Power IntegrationsGate Drivers IGD515EI-34 IGBT Driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EI-34Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD515EI1-34Power IntegrationsGate Drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD615A07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616Power IntegrationsPower Management Modules Single-Ch SCALE-1 IGBT Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Packaging: Box
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Supplier Device Package: Module
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.9V, 3.8V
Current - Peak Output (Source, Sink): 16A, 16A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616IC1Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Supplier Device Package: Module
Input Type: Inverting
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616IT1Power IntegrationsPower Management Modules Single-Ch 15V IGBT Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616IT1Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
DigiKey Programmable: Not Verified
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Supplier Device Package: Module
Input Type: Inverting
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616NT1Power IntegrationsPower Management Modules IGD616 IGBT Driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD616NT1Power IntegrationsDescription: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
DigiKey Programmable: Not Verified
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 80ns
Supplier Device Package: Module
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 14V ~ 16V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 36-DIP Module, 24 Leads
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R140D2SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R140D2SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD70R140D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.17 ohm, 1.9 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R140D2SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD70R140D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 10 A, 0.17 ohm, 1.9 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.9nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R200D2SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R200D2SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD70R200D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.24 ohm, 1.3 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.3nC
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R270D2SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 700V 5.8A T0252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-U03
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R270D2SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R270D2SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD70R270D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5.8 A, 0.33 ohm, 1 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R270D2SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 700V 5.8A T0252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-U03
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+88.46 грн
100+59.80 грн
500+44.59 грн
1000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R500D2SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGD70R500D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 3.4 A, 0.6 ohm, 0.53 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R500D2SAUMA1Infineon TechnologiesGaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGD962MicroPowerIGBT Drivers (hybrid integrated), +15/-10VDC, +5/-5A, isolation 3.750VCA Мікросхеми драйверів MOSFET/IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.