Продукція > NVJ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NVJD4152PT1GON Semiconductor
на замовлення 408123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4152PT1GonsemiMOSFETs Dual P-Channel Trench Small Signal ESD Protected MOSFET 20V, 0.88A, 260mohm
на замовлення 2077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.83 грн
14+23.06 грн
100+9.64 грн
1000+8.74 грн
3000+6.15 грн
9000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), 880mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V, 3.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4158CT1GonsemiMOSFETs Complementary Small Signal MOSFET
на замовлення 7771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.56 грн
14+23.39 грн
100+13.07 грн
500+9.85 грн
1000+8.74 грн
3000+7.48 грн
6000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), 880mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V, 3.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.38 грн
6000+12.73 грн
9000+12.16 грн
15000+10.81 грн
21000+10.45 грн
30000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1GonsemiMOSFETs NFET SC88 20V 630MA 375MO
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.96 грн
10+33.43 грн
100+21.24 грн
500+16.42 грн
1000+14.82 грн
3000+12.30 грн
6000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.75 грн
10+35.81 грн
100+23.23 грн
500+16.72 грн
1000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.375 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.375ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.48 грн
20+42.64 грн
100+27.72 грн
500+19.76 грн
1000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121Nonsemi NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.29 грн
34+24.30 грн
100+13.53 грн
500+9.24 грн
1000+5.42 грн
5000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2547+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 2547
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.99 грн
6000+5.22 грн
9000+4.94 грн
15000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GonsemiMOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
на замовлення 43645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.41 грн
39+8.28 грн
100+5.52 грн
500+5.38 грн
3000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GOn SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 0.295A (6-TSSOP, SC-88, SOT-363) Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+9.24 грн
1000+5.42 грн
5000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+12.72 грн
97+7.68 грн
98+7.60 грн
102+7.04 грн
250+6.24 грн
500+5.73 грн
1000+5.46 грн
3000+5.20 грн
6000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.52 грн
19+16.43 грн
100+10.33 грн
500+7.23 грн
1000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G-M06onsemiRF MOSFET Transistors NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
на замовлення 29550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.98 грн
18+18.56 грн
100+7.62 грн
1000+6.08 грн
3000+5.10 грн
9000+4.33 грн
24000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G-M06onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.46 грн
6000+5.63 грн
9000+5.33 грн
15000+4.68 грн
21000+4.50 грн
30000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G-M06onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 39910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.87 грн
18+17.72 грн
100+11.15 грн
500+7.80 грн
1000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.44 грн
23+13.32 грн
100+8.95 грн
500+6.47 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.12 грн
34+24.30 грн
100+13.53 грн
500+9.24 грн
1000+5.39 грн
5000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2GonsemiMOSFETs NFET SC88 60V 295MA 16OH
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.60 грн
19+17.84 грн
100+7.34 грн
1000+5.87 грн
3000+4.96 грн
9000+4.12 грн
24000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+9.24 грн
1000+5.39 грн
5000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS3151PT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 12V 3.3A 60MOHM
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.68 грн
14+24.67 грн
100+13.70 грн
500+10.34 грн
1000+9.22 грн
3000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.055 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.87 грн
500+16.35 грн
1000+13.21 грн
5000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 65842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.80 грн
18+17.56 грн
100+14.51 грн
500+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.055 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.79 грн
27+30.49 грн
100+20.87 грн
500+16.35 грн
1000+13.21 грн
5000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.74 грн
6000+12.13 грн
9000+11.72 грн
15000+10.95 грн
21000+10.60 грн
30000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4151PT1GonsemiMOSFETs 20V 4.2A 60MOHM PFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.49 грн
10+39.38 грн
100+23.41 грн
500+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4405NT1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4405NT1GonsemiMOSFET Single N-Channel Small Signal MOSFET 25V, 1.2A, 350mohm Automotive Version of the NTJS4405N
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.49 грн
13+25.72 грн
100+9.57 грн
1000+7.34 грн
3000+6.22 грн
9000+5.66 грн
24000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.95 грн
12+26.50 грн
100+16.49 грн
500+10.59 грн
1000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.