Продукція > NVJ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVJD4152PT1GON Semiconductor
на замовлення 408123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4152PT1GonsemiMOSFETs Dual P-Channel Trench Small Signal ESD Protected MOSFET 20V, 0.88A, 260mohm
на замовлення 2077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.37 грн
14+22.78 грн
100+9.53 грн
1000+8.63 грн
3000+6.08 грн
9000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.25A SC88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V, 3.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), 880mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 270mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4158CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.25A SC88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V, 3.5nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), 880mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 270mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4158CT1GonsemiMOSFETs Complementary Small Signal MOSFET
на замовлення 7771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.10 грн
14+23.10 грн
100+12.91 грн
500+9.73 грн
1000+8.63 грн
3000+7.39 грн
6000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.375 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.375ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.97 грн
22+37.93 грн
100+24.65 грн
500+17.57 грн
1000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.20 грн
6000+12.57 грн
9000+12.01 грн
15000+10.68 грн
21000+10.32 грн
30000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1GonsemiMOSFETs NFET SC88 20V 630MA 375MO
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.39 грн
10+33.03 грн
100+20.99 грн
500+16.22 грн
1000+14.64 грн
3000+12.15 грн
6000+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD4401NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 550mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 550mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD4401NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 270mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
на замовлення 42376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.02 грн
10+35.37 грн
100+22.95 грн
500+16.51 грн
1000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121Nonsemi NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.23 грн
100+10.21 грн
500+7.14 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.89 грн
34+24.00 грн
100+13.37 грн
500+9.12 грн
1000+5.35 грн
5000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2547+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 2547 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.91 грн
6000+5.16 грн
9000+4.88 грн
15000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GonsemiMOSFETs NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
на замовлення 43645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+15.22 грн
39+8.18 грн
100+5.45 грн
500+5.32 грн
3000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.212A
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.00 грн
33+12.96 грн
37+11.47 грн
100+8.14 грн
500+6.81 грн
1000+6.23 грн
3000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GOn SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 0.295A (6-TSSOP, SC-88, SOT-363) Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 295 mA, 295 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 295mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 20050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+9.12 грн
1000+5.35 грн
5000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+13.01 грн
97+7.85 грн
98+7.78 грн
102+7.20 грн
250+6.38 грн
500+5.86 грн
1000+5.59 грн
3000+5.31 грн
6000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G-M06onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 35111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
18+17.20 грн
100+10.87 грн
500+7.61 грн
1000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G-M06onsemiRF MOSFET Transistors NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
на замовлення 16597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.44 грн
18+18.34 грн
100+10.08 грн
500+7.52 грн
1000+6.70 грн
3000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT1G-M06onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.89 грн
6000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+9.12 грн
1000+5.32 грн
5000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
23+13.16 грн
100+8.84 грн
500+6.39 грн
1000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.73 грн
34+24.00 грн
100+13.37 грн
500+9.12 грн
1000+5.32 грн
5000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2GonsemiMOSFETs NFET SC88 60V 295MA 16OH
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.24 грн
19+17.62 грн
100+7.25 грн
1000+5.80 грн
3000+4.90 грн
9000+4.07 грн
24000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS3151PT1GonsemiMOSFETs NFET SO8FL 12V 3.3A 60MOHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.93 грн
13+26.12 грн
100+14.50 грн
500+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.58 грн
6000+11.98 грн
9000+11.58 грн
15000+10.82 грн
21000+10.47 грн
30000+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4151PT1GonsemiMOSFETs 20V 4.2A 60MOHM PFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.71 грн
10+38.90 грн
100+23.13 грн
500+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.055 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.62 грн
500+16.15 грн
1000+13.05 грн
5000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 65842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
18+17.35 грн
100+14.34 грн
500+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.055 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.36 грн
27+30.12 грн
100+20.62 грн
500+16.15 грн
1000+13.05 грн
5000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4405NT1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4405NT1GonsemiMOSFET Single N-Channel Small Signal MOSFET 25V, 1.2A, 350mohm Automotive Version of the NTJS4405N
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.07 грн
13+25.40 грн
100+9.46 грн
1000+7.25 грн
3000+6.14 грн
9000+5.59 грн
24000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVJS4405NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 1A SC88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
12+26.18 грн
100+16.29 грн
500+10.46 грн
1000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.