Продукція > NX7

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NX7002AKNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 31428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15152+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 15152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 633000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7576+1.87 грн
318000+1.71 грн
477000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 7576 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 8048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2476+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 2476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 12513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
54+5.61 грн
100+3.41 грн
500+2.31 грн
1000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NXPTransistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10639+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 10639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 359600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15152+2.34 грн
100000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 15152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 828000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 325mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6673 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.16 грн
76+5.48 грн
90+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.83 грн
6000+1.56 грн
9000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaMOSFETs NX7002AK/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ptot, Вт = 0,265, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 17 @ 10, Qg, нКл = 0,43 @ 4,5 В, Rds = 4,5 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 2347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 828000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10345+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 10345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 904000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15152+2.34 грн
100000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 15152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 135929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.18 грн
73+11.11 грн
135+5.98 грн
500+3.74 грн
1000+2.96 грн
5000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NXPTransistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK-ESElecSuperTranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement) TNX7002ak c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK-HXYHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NX7002AK,215; NX7002AK HXY MOSFET TNX7002ak HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
600+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK.215NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA NX7002AK - SMALL SI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK.RNXP USA Inc.Description: NX7002AK.R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK2NexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK2,215NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA NX7002AK - SMALL SIGNAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK215NXPDescription: NXP - NX7002AK215 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 391328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23584+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 23584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK215NXP SemiconductorsDescription: Nexperia NX7002AK - Small Signal
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK2RNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKA215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKARNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKARNexperiaMOSFET NX7002AKA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 59424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.45 грн
47+6.83 грн
100+3.93 грн
1000+3.52 грн
3000+1.86 грн
9000+1.59 грн
24000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKARNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3598+3.94 грн
6000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 3598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.65 грн
100+5.97 грн
500+4.10 грн
1000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115NexperiaMOSFETs SOT363 2NCH 60V .17A
на замовлення 227814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.41 грн
27+12.15 грн
100+4.56 грн
500+4.35 грн
1000+3.80 грн
3000+2.62 грн
6000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
955+16.73 грн
1220+11.62 грн
2006+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 170 mA, 170 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+22.79 грн
58+13.93 грн
141+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115NexperiaMosfet Array 60V 170mA 220mW Surface Mount 6-TSSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4190+3.38 грн
6000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 4190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.93 грн
6000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.38 грн
6000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 170 mA, 170 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS/ZLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.06W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.15 грн
250+6.64 грн
1000+3.57 грн
5000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVL
Код товару: 178988
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23
на замовлення 450000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10870+1.30 грн
Мінімальне замовлення: 10870 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+17.64 грн
80+10.15 грн
250+6.64 грн
1000+3.57 грн
5000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 60V .19A
на замовлення 24646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.66 грн
59+5.40 грн
125+2.21 грн
500+2.14 грн
1000+1.73 грн
2500+1.66 грн
5000+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23
на замовлення 450000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.32 грн
55+5.53 грн
100+3.38 грн
500+2.29 грн
1000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNexperiaMOSFET N-CH 60V SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKWNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta), 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 14910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.87 грн
47+6.43 грн
100+3.93 грн
500+2.68 грн
1000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 19550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3686+3.85 грн
4190+3.38 грн
9000+2.72 грн
18000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 3686 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.1A
Pulsed drain current: 0.68A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.26 грн
91+4.57 грн
107+3.89 грн
124+3.37 грн
250+2.63 грн
500+1.98 грн
1000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6881+2.06 грн
8109+1.75 грн
9000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 6881 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta), 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.13 грн
6000+1.82 грн
9000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.05 грн
6000+1.75 грн
9000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 4.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 158580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+15.54 грн
83+9.75 грн
134+6.02 грн
500+4.05 грн
1000+3.29 грн
5000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115NexperiaMOSFETs NX7002AKW/SOT323/SC-70
на замовлення 6295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.11 грн
46+6.91 грн
100+3.66 грн
500+2.69 грн
1000+2.35 грн
3000+1.93 грн
6000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15152+2.34 грн
100000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 15152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+0.72 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKZNexperiaMOSFETs NX7002AK/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKZNexperia USA Inc.Description: NX7002AK/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BK215Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA NX7002BK - SMALL SIGNAL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BK215NEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BK215 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKHHNexperiaMOSFETs SOT8001 N-CH 60V .35A
на замовлення 22849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
47+6.93 грн
96+3.33 грн
125+2.21 грн
500+2.07 грн
1000+1.93 грн
2500+1.86 грн
5000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKHHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+2.61 грн
50000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKHHNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 30 V
на замовлення 24375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.99 грн
86+3.51 грн
100+3.02 грн
118+2.38 грн
250+2.16 грн
500+2.03 грн
1000+1.88 грн
2500+1.77 грн
5000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKHHNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.48 грн
1000+2.16 грн
5000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKHHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKHHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+2.62 грн
50000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKHHNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN0606-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKHHNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+7.65 грн
216+3.75 грн
285+2.83 грн
500+2.48 грн
1000+2.16 грн
5000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKM/S500YLNexperia USA Inc.Description: NX7002BKMY-CHANNMOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKM/S500YLNexperia USA Inc.Description: NX7002BKMY/L - N Channel MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 11985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11985+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 11985 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKM315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11357+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 11357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMB315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKMBYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.39 грн
20000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKMBYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYLNexperiaMOSFETs NX7002BKMB/SOT883B/XQFN3
на замовлення 25378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.20 грн
21+15.48 грн
100+5.59 грн
1000+3.38 грн
2500+2.97 грн
10000+2.28 грн
20000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.39 грн
20000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
на замовлення 10263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
30+10.25 грн
100+4.50 грн
500+3.60 грн
1000+3.45 грн
2000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
на замовлення 79349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.98 грн
39+7.78 грн
100+3.49 грн
500+2.77 грн
1000+2.67 грн
2000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+15.79 грн
91+8.86 грн
250+4.33 грн
1000+2.84 грн
5000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMYLNexperiaMOSFETs NX7002BKM/SOT883/XQFN3
на замовлення 27776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.96 грн
27+11.99 грн
100+4.28 грн
1000+2.55 грн
2500+2.35 грн
10000+1.93 грн
20000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-883
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.88 грн
20000+1.74 грн
30000+1.68 грн
50000+1.51 грн
70000+1.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]