Продукція > NX7

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NX7002AKNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ptot, Вт = 0,265, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 17 @ 10, Qg, нКл = 0,43 @ 4,5 В, Rds = 4,5 Ом @ 100 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 2347 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+5.04 грн
500+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.89 грн
9000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaMOSFETs NX7002AK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 128467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NXPTransistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2809+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 2809 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 325mW
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6503 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.23 грн
76+5.54 грн
90+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+1.89 грн
9000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 122523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NXPTransistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 1068000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.93 грн
9000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215NexperiaN-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 1068000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7318+1.93 грн
9000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 7318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK-ESElecSuperTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; NX7002AK SOT23 (NEXPERIA replacement) TNX7002ak c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK-HXYHXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NX7002AK,215; NX7002AK HXY MOSFET TNX7002ak HXY
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
600+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK.215NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA NX7002AK - SMALL SI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK.RNXP USA Inc.Description: NX7002AK.R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK2NexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK2,215NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA NX7002AK - SMALL SIGNAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK215NXPDescription: NXP - NX7002AK215 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 391328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK215NXP SemiconductorsDescription: Nexperia NX7002AK - Small Signal
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK2215NXP SemiconductorsNX7002AK2215
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6913+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 6913 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK2RNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKA215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V TO-236AB
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKARNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKARNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKARNexperiaMOSFET NX7002AKA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 59424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+10.16 грн
100+8.50 грн
500+6.24 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1392+10.16 грн
1665+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 1392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115NexperiaMOSFETs NX7002AKS/SOT363/SC-88
на замовлення 4902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115NexperiaMosfet Array 60V 170mA 220mW Surface Mount 6-TSSOP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; 330mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.1A
Pulsed drain current: 0.68A
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.33W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKS/ZLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.06W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
на замовлення 18158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.41 грн
53+5.74 грн
75+4.05 грн
100+3.29 грн
500+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 7082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNexperiaMOSFETs NX7002AK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 75675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNexperiaMOSFET N-CH 60V SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVL
Код товару: 178988
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120mA; Idm: 760mA; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
63+6.71 грн
76+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 7082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKWNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2578+5.49 грн
3563+3.97 грн
7110+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 2578 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.1A
Pulsed drain current: 0.68A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta), 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
43+7.09 грн
61+5.00 грн
100+4.07 грн
500+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002AKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 4.5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 220mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 117105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115NexperiaMOSFETs NX7002AKW/SOT323/SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+5.49 грн
500+3.97 грн
1000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta), 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKZNexperia USA Inc.Description: NX7002AK/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKZNexperia USA Inc.Description: NX7002AK/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AKZNexperiaMOSFETs NX7002AK/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BK215Nexperia USA Inc.Description: NEXPERIA NX7002BK - SMALL SIGNAL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), 330mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BK215NEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BK215 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKHHNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKHHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKHHNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 30 V
на замовлення 24375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
86+3.55 грн
100+3.05 грн
118+2.40 грн
250+2.18 грн
500+2.04 грн
1000+1.90 грн
2500+1.78 грн
5000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKHHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+2.61 грн
50000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKHHNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKHHNexperiaMOSFETs SOT8001 N-CH 60V .35A
на замовлення 22849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKHHNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.2 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN0606-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKHHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+2.60 грн
50000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKM/S500YLNexperia USA Inc.Description: NX7002BKMY-CHANNMOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKM/S500YLNexperia USA Inc.Description: NX7002BKMY/L - N Channel MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 11985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11985+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 11985 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKM315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11357+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 11357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMB315NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYLNexperiaMOSFETs NX7002BKMB/SOT883B/XQFN3
на замовлення 25378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.39 грн
20000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKMBYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.39 грн
20000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKMBYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMBYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMYLNexperiaMOSFETs NX7002BKM/SOT883/XQFN3
на замовлення 27776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKMYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKRNEXPERIADescription: NEXPERIA - NX7002BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 310mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6667+2.12 грн
7043+2.01 грн
10274+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 6667 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 22944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.19 грн
49+6.19 грн
69+4.39 грн
100+3.57 грн
500+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002BKRNexperiaMOSFETs 60 V, dual N-channel Trench MOSFET
на замовлення 19834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]