Продукція > RH6

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RH600ExtechEnvironmental Test Equipment Extech RH600 Handheld Dewpoint Meter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 3R Rain Hood - Use w/ PF50, 60, 70, 65, 67000 - Steel/Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000GYHammond ManufacturingDescription: RAIN HOOD USE W/ PF50 60 70 65
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 3R Rain Hood - Use w/ PF50, 60, 70, 65, 67000 - Steel/Lt.Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000LGHammond ManufacturingDescription: RAIN HOOD USE W/ PF50 60 70 65
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000N4GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 4 Rain Hood - Use w/ PF6x000/PFA60000 - Steel/Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000N4LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 4 Rain Hood - Use w/ PF6x000/PFA60000 - Steel/Lt.Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000N4S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories RAINHOOD N4 S16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000N4S16FDAHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories RAINHOOD N4 S16 FDA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000N4SSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 4X Rain Hood - Use w/ PF6x000/PFA60000 - 304 SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000SSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 3R Rain Hood - Use w/ PF50, 60, 70, 65, 67000 - 304 SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000SSHammond ManufacturingDescription: RAIN HOOD USE W/ PF50 60 70 65
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6003TOSHIBASOT-89
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH601ExtechEnvironmental Test Equipment Replacement Probe for RH600
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+49526.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RH601693HANRUN02+ SMD
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6045TLF-101MPASSIVE TECHSMD power inductor; inductance: 100uH; 20%; current: 1A; resistance: 0.559R; dimensions: 6x6x5mm equivalent: SRN6045-101M; VLS6045EX-101M SMD Power Inductor; 100uH D DJNR6045-100.0
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RH60DZ-HMITSUBISHI60A/800V/DIODE/2U
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH611C106KA30A3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 10uF 100V X7R 10% SMD 125C Low ESR Waffle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH611C106KA3LA3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 10uF 100V X7R 10% SMD 125C Waffle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH611C106KA3LA3KYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH611C106KAA0A3KYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH611C106KAA0A3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 10uF 100V X7R 10% SMD 2 Stacked 125C Low ESR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH611C106KAARA3KYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH611C106KAARA3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 10uF 100V X7R 10% Pad SMD 125C Low ESR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH615C106MA30A3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 10uF 50V X7R 20% SMD 2 Stacked 125C Low ESR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH625C226KA30A3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 22uF 50V X7R 10% SMD 2 Stacked 125C Low ESR T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH627C155KA30A3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 1.5uF 500V X7R 10% SMD 125C Low ESR Waffle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH627C155KA3RA3Kyocera AVX ComponentsCap Ceramic 1.5uF 500V X7R 10% SMD 125C Low ESR Waffle
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH650OmegaDescription: HANDHELD MULTI-FUNCTION THERMO-H
Packaging: Bulk
Type: Hygro Thermometer (Thermo Hygrometer)
Includes: Battery, Manual, Sensor
For Measuring: Humidity, Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH6590AKU-AE2
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH68R0JS55
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6D28-330M
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6E040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 125A, HSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RH6E040BGTB1ROHMDescription: ROHM - RH6E040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 0.0029 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RH6E040BGTB1ROHMDescription: ROHM - RH6E040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 0.0029 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.87 грн
10+104.16 грн
100+81.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RH6E040BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.75 грн
10+108.52 грн
100+73.90 грн
500+62.88 грн
1000+51.18 грн
3000+48.16 грн
6000+45.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RH6E040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 125A, HSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.05 грн
10+99.16 грн
100+68.75 грн
500+52.56 грн
1000+47.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RH6G040BGTB1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 40V 95A MOSFET
на замовлення 5961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.96 грн
10+131.09 грн
100+92.10 грн
500+76.24 грн
1000+68.47 грн
3000+58.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RH6G040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH6G040BGTB1ROHMDescription: ROHM - RH6G040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0036 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RH6G040BGTB1ROHMDescription: ROHM - RH6G040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0036 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+208.32 грн
10+133.80 грн
100+89.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RH6G040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 20 V
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.38 грн
10+109.38 грн
100+74.81 грн
500+56.34 грн
1000+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RH6L040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 18953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.73 грн
10+121.65 грн
100+83.92 грн
500+64.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RH6L040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RH6L040BGTB1ROHMDescription: ROHM - RH6L040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.0055 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+204.09 грн
10+139.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RH6L040BGTB1ROHM SemiconductorMOSFET N CHAN 60V HSMT8
на замовлення 8369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.93 грн
10+132.82 грн
100+92.85 грн
250+85.30 грн
500+77.00 грн
1000+73.75 грн
3000+62.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RH6L040BGTB1ROHMDescription: ROHM - RH6L040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.0055 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6N040BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6N040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 0.0083 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.41 грн
10+96.54 грн
100+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RH6N040BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6N040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 0.0083 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.19 грн
10+118.82 грн
100+95.49 грн
500+73.63 грн
1000+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 100V 40A MOSFET
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.32 грн
10+118.93 грн
100+82.28 грн
250+75.49 грн
500+68.85 грн
1000+66.13 грн
3000+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.00 грн
10+126.18 грн
100+92.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RH6R025BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6R025BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.046 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6R025BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6R025BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.046 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.00 грн
10+128.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RH6R025BHTB1ROHM SemiconductorMOSFET RH6R025BH is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching.
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.84 грн
10+121.54 грн
100+85.30 грн
250+77.75 грн
500+70.88 грн
1000+64.02 грн
3000+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RH6R20JS12N
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6VA24CA-T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.