Продукція > RH6

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RH600ExtechEnvironmental Test Equipment Extech RH600 Handheld Dewpoint Meter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 3R Rain Hood - Use w/ PF50, 60, 70, 65, 67000 - Steel/Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000GYHammond ManufacturingDescription: RAIN HOOD USE W/ PF50 60 70 65
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 3R Rain Hood - Use w/ PF50, 60, 70, 65, 67000 - Steel/Lt.Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000LGHammond ManufacturingDescription: RAIN HOOD USE W/ PF50 60 70 65
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000N4GYHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 4 Rain Hood - Use w/ PF6x000/PFA60000 - Steel/Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000N4LGHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 4 Rain Hood - Use w/ PF6x000/PFA60000 - Steel/Lt.Gray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000N4S16Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories RAINHOOD N4 S16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000N4S16FDAHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories RAINHOOD N4 S16 FDA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000N4SSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 4X Rain Hood - Use w/ PF6x000/PFA60000 - 304 SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000SSHammond ManufacturingDescription: RAIN HOOD USE W/ PF50 60 70 65
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH60000SSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Type 3R Rain Hood - Use w/ PF50, 60, 70, 65, 67000 - 304 SS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH6003TOSHIBASOT-89
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH601ExtechEnvironmental Test Equipment Replacement Probe for RH600
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+44794.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RH601693HANRUN02+ SMD
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6045TLF-101MPASSIVE TECHSMD Power inductor; inductance: 100uH; 20%; current: 1A; resistance: 0.559R; dimensions: 6x6x5mm equivalent: SRN6045-101M; VLS6045EX-101M; SRN6045TA-101M SMD Power inductor; 100uH D DJNR6045-100.0
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RH60DZ-HMITSUBISHI60A/800V/DIODE/2U
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH611C106KA3LA3KYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH611C106KAA0A3KYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH611C106KAARA3KYOCERA AVXSpeciality Ceramic Capacitors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH650OmegaDescription: HANDHELD MULTI-FUNCTION THERMO-H
Packaging: Bulk
Type: Hygro Thermometer (Thermo Hygrometer)
Includes: Battery, Manual, Sensor
For Measuring: Humidity, Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH6590AKU-AE2
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH68R0JS55
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6D28-330M
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6E040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 125A, HSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RH6E040BGTB1ROHMDescription: ROHM - RH6E040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 0.0029 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.28 грн
10+97.98 грн
100+76.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RH6E040BGTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.87 грн
10+98.15 грн
100+66.84 грн
500+56.87 грн
1000+46.29 грн
3000+43.56 грн
6000+41.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RH6E040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 125A, HSMT8, POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.24 грн
10+91.27 грн
100+62.03 грн
500+46.45 грн
1000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RH6E040BGTB1ROHMDescription: ROHM - RH6E040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 0.0029 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RH6G040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 20 V
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.91 грн
10+102.89 грн
100+70.36 грн
500+52.99 грн
1000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RH6G040BGTB1ROHMDescription: ROHM - RH6G040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0036 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RH6G040BGTB1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 40V 95A MOSFET
на замовлення 5961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.82 грн
10+118.56 грн
100+83.30 грн
500+68.96 грн
1000+61.93 грн
3000+52.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RH6G040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RH6G040BGTB1ROHMDescription: ROHM - RH6G040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 95 A, 0.0036 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.95 грн
10+125.86 грн
100+84.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RH6L040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 18953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.82 грн
10+114.42 грн
100+78.94 грн
500+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RH6L040BGTB1ROHMDescription: ROHM - RH6L040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.0055 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.97 грн
10+131.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RH6L040BGTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 65A, HSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RH6L040BGTB1ROHMDescription: ROHM - RH6L040BGTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.0055 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6L040BGTB1ROHM SemiconductorMOSFET N CHAN 60V HSMT8
на замовлення 8369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.36 грн
10+120.13 грн
100+83.98 грн
250+77.15 грн
500+69.64 грн
1000+66.71 грн
3000+56.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RH6N040BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6N040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 0.0083 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RH6N040BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6N040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 65 A, 0.0083 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.67 грн
10+90.81 грн
100+74.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.04 грн
10+111.76 грн
100+89.82 грн
500+69.26 грн
1000+57.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1ROHM SemiconductorMOSFET NCH 100V 40A MOSFET
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.43 грн
10+107.57 грн
100+74.42 грн
250+68.28 грн
500+62.27 грн
1000+59.81 грн
3000+50.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6P040BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.83 грн
10+118.69 грн
100+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RH6P040BHTB1Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RH6R025BHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSMT8 150V 25A N-CH
на замовлення 5869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.22 грн
10+113.85 грн
100+68.96 грн
500+54.83 грн
1000+52.50 грн
3000+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RH6R025BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6R025BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.046 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.83 грн
10+121.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RH6R025BHTB1ROHMDescription: ROHM - RH6R025BHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.046 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6R040CHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs HSMT8 N-CH 150V 40A
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.18 грн
10+91.87 грн
100+53.80 грн
500+42.81 грн
1000+40.01 грн
3000+34.75 грн
6000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RH6R20JS12N
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RH6VA24CA-T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.