Продукція > RU1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RU1
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-0511D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-0511S
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-0512D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-0512S
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-0513D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-0513S
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-0514D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-0514S
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-1211D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-1211S
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR020CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.02 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR027CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.027 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR030CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.03 OHM 1% 1/8W 0402
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 30 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR033CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.033 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR036CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.036 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR039CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.039 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR043CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.043 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR047CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.047 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR051CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.051 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR056CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.056 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR062CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.062 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR068CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.068 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR068CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.068 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR075CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.075 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR082CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.082 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 1% 1/8W 0402
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±150ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 100 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR027CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.027 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR030CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.03 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR033CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.033 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR036CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.036 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR039CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.039 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR043CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.043 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR047CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.047 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR051CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.051 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR056CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.056 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR062CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.062 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR068CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.068 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR075CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.075 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR082CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.082 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1088R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU10N08
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU120N15Q
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU12218TacoDescription: COPPER TUBE BUNDLE ASSY W/GASKET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU140N10
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR010CSSamsung Electro-Mechanics America, Inc.Description: RES SMD 0.01 OHM 1% 1/4W 0603
на замовлення 36515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR010CSSamsung Electro-Mechanics America, Inc.Description: RES SMD 0.01 OHM 1% 1/4W 0603
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR010CSSamsung Electro-Mechanics America, Inc.Description: RES SMD 0.01 OHM 1% 1/4W 0603
на замовлення 36515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR012CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.012 OHM 1% 1/4W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±600ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 12 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR016CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.016 OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±600ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 16 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR020CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.02 OHM 1% 1/4W 0603
на замовлення 18734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.16 грн
10+31.80 грн
25+24.80 грн
50+19.68 грн
100+15.51 грн
250+13.12 грн
500+10.56 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR020CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.02 OHM 1% 1/4W 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR022CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.022 OHM 1% 1/4W 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR022CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.022 OHM 1% 1/4W 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR024CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.024 OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±600ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 24 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR030CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.03 OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±400ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 30 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 1% 1/4W 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 1% 1/4W 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±150ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 100 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±150ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 100 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608JR016CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.016 OHM 5% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±600ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 16 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608JR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 5% 1/4W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±150ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 91 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608JR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 5% 1/4W 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU16208TacoDescription: COPPER TUBE BUNDLE ASSY W/GASKET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1890B04HAA
на замовлення 4983 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU190N00
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU190N08
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU190N08R
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU190N08R N-Ch Power Mosfet 80V 190A 3,9 mOhm
Код товару: 150137
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU190N10Q
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU190N10R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1AEICDiode Switching 600V 0.25A 2-Pin Case D-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
на замовлення 10689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.28 грн
24+12.80 грн
100+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 23465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.11 грн
6250+1.95 грн
6466+1.89 грн
6727+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLROHMDescription: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+6.54 грн
145+5.73 грн
174+4.75 грн
500+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.37 грн
6000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLROHMDescription: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+6.54 грн
145+5.73 грн
174+4.75 грн
500+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2703+4.51 грн
2783+4.38 грн
5000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 2703
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLROHM SemiconductorMOSFET 1.2V N-CHANNEL DRIVE
на замовлення 16402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.27 грн
14+25.97 грн
100+12.07 грн
500+7.95 грн
1000+5.37 грн
3000+4.93 грн
6000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLROHM SEMICONDUCTORRU1C001UNTCL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTLROHM SemiconductorMOSFETs 1.2V Drive Pch MOSFET
на замовлення 7754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+18.80 грн
31+11.25 грн
100+3.90 грн
1000+3.53 грн
3000+3.24 грн
9000+2.43 грн
24000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTLROHMDescription: ROHM - RU1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.77 грн
1000+3.10 грн
5000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTLROHM SEMICONDUCTORRU1C001ZPTL SMD P channel transistors
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.51 грн
390+2.77 грн
1071+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.71 грн
31+10.19 грн
100+6.34 грн
500+4.36 грн
1000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTLROHMDescription: ROHM - RU1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+15.02 грн
84+9.90 грн
186+4.46 грн
500+3.76 грн
1000+3.11 грн
5000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002UNTCLROHM SEMICONDUCTORRU1C002UNTCL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 25596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.87 грн
22+14.10 грн
100+8.84 грн
500+6.13 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 7994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2863+4.26 грн
2880+4.24 грн
3364+3.63 грн
3547+3.32 грн
6000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 2863
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.03 грн
6000+4.36 грн
9000+4.12 грн
15000+3.61 грн
21000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1505+8.11 грн
1555+7.85 грн
2500+7.61 грн
5000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 1505
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002UNTCLROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.87 грн
16+22.00 грн
100+10.89 грн
500+7.21 грн
1000+5.52 грн
3000+4.86 грн
6000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLROHMDescription: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+12.38 грн
99+8.42 грн
193+4.29 грн
500+3.37 грн
1000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 148037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.94 грн
39+8.05 грн
100+4.77 грн
500+3.94 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1080+11.31 грн
1116+10.94 грн
2500+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 1080
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 222500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3037+4.02 грн
3555+3.43 грн
3741+3.26 грн
3760+3.13 грн
6000+2.72 грн
12000+2.46 грн
24000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3037
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 200186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+12.27 грн
40+8.46 грн
100+4.34 грн
1000+3.31 грн
3000+2.80 грн
9000+2.28 грн
24000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLROHMDescription: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.37 грн
1000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.20 грн
6000+2.81 грн
9000+2.54 грн
15000+2.28 грн
21000+2.13 грн
30000+1.99 грн
75000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1080+11.31 грн
1116+10.94 грн
2500+10.61 грн
5000+9.96 грн
10000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 1080
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLROHM SEMICONDUCTORRU1C002ZPTCL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1CV1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 30500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.24 грн
15+23.35 грн
100+10.81 грн
500+7.14 грн
1000+4.86 грн
3000+4.27 грн
9000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCLROHMDescription: ROHM - RU1E002SPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-85, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-85
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.04 грн
40+20.63 грн
104+8.01 грн
500+6.39 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 9289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.90 грн
26+11.88 грн
100+7.42 грн
500+5.12 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCLROHMDescription: ROHM - RU1E002SPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-85, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-85
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.63 грн
104+8.01 грн
500+6.39 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.17 грн
6000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCLROHM SEMICONDUCTORRU1E002SPTCL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 5917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3290+3.71 грн
3769+3.24 грн
3897+3.13 грн
4855+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3290
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLROHM SemiconductorMOSFETs 0.9V Drive Nch MOSFET
на замовлення 140359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+12.27 грн
42+8.12 грн
100+3.60 грн
1000+3.24 грн
3000+2.43 грн
9000+2.06 грн
24000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLROHMDescription: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+7.92 грн
137+6.02 грн
200+4.13 грн
500+3.37 грн
1500+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 196427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.92 грн
33+9.50 грн
100+5.85 грн
500+4.01 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2852+4.28 грн
2936+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 2852
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLROHM SEMICONDUCTORRU1J002YNTCL SMD N channel transistors
на замовлення 909 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+21.36 грн
270+3.99 грн
742+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCL
Код товару: 158853
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLROHMDescription: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.37 грн
1500+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.62 грн
6000+2.31 грн
9000+1.87 грн
15000+1.74 грн
21000+1.71 грн
30000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RU1K1120INTERSIL01+ SOP8P
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1K120INTERSIL88+ SOP8P
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1K160D-L608
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SN TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTLROHM SEMICONDUCTORRU1L002SNTL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTLROHMDescription: ROHM - RU1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.26 грн
130+6.38 грн
500+4.47 грн
1000+2.77 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
на замовлення 20898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.28 грн
24+12.87 грн
100+8.03 грн
500+5.56 грн
1000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTLROHMDescription: ROHM - RU1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.85 грн
51+16.26 грн
130+6.38 грн
500+4.47 грн
1000+2.77 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.54 грн
6000+3.93 грн
9000+3.71 грн
15000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTLROHM SemiconductorMOSFETs N-Channel MOSFET, 2.5V. MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in
на замовлення 26929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+13.05 грн
33+10.49 грн
100+4.12 грн
1000+3.60 грн
3000+3.02 грн
9000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RU1N12
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1P
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1PV1
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1V1
на замовлення 12314 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.