Продукція > RU1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RU1
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-0511D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-0511S
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-0512D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-0512S
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-0513D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-0513S
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-0514D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-0514S
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-1211D
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1-1211S
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR020CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.02 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR027CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.027 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR030CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.03 OHM 1% 1/8W 0402
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±500ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 30 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR033CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.033 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR036CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.036 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR039CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.039 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR043CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.043 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR047CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.047 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR051CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.051 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR056CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.056 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR062CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.062 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR068CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.068 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR068CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.068 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR075CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.075 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR082CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.082 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 1% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005FR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 1% 1/8W 0402
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±150ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 100 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR027CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.027 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR030CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.03 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR033CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.033 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR036CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.036 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR039CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.039 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR043CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.043 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR047CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.047 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR051CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.051 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR056CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.056 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR062CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.062 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR068CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.068 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR075CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.075 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR082CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.082 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1005JR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 5% 1/8W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1088R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU10N08
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU120N15Q
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU12218TacoDescription: COPPER TUBE BUNDLE ASSY W/GASKET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU140N10
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR010CSSamsung Electro-Mechanics America, Inc.Description: RES SMD 0.01 OHM 1% 1/4W 0603
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR010CSSamsung Electro-Mechanics America, Inc.Description: RES SMD 0.01 OHM 1% 1/4W 0603
на замовлення 36515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR010CSSamsung Electro-Mechanics America, Inc.Description: RES SMD 0.01 OHM 1% 1/4W 0603
на замовлення 36515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR012CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.012 OHM 1% 1/4W 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±600ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 12 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR016CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.016 OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±600ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 16 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR020CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.02 OHM 1% 1/4W 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR020CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.02 OHM 1% 1/4W 0603
на замовлення 18734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.69 грн
10+32.17 грн
25+25.08 грн
50+19.90 грн
100+15.68 грн
250+13.27 грн
500+10.68 грн
1000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR022CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.022 OHM 1% 1/4W 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR022CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.022 OHM 1% 1/4W 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR024CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.024 OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±600ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 24 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR030CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.03 OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±400ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 30 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 1% 1/4W 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±150ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 100 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608FR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 1% 1/4W 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±150ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 100 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608JR016CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.016 OHM 5% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±600ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 16 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608JR091CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.091 OHM 5% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Current Sense, Moisture Resistant
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±150ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 91 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1608JR100CSSamsung Electro-MechanicsDescription: RES 0.1 OHM 5% 1/4W 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU16208TacoDescription: COPPER TUBE BUNDLE ASSY W/GASKET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1890B04HAA
на замовлення 4983 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU190N00
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU190N08
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU190N08R
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU190N08R N-Ch Power Mosfet 80V 190A 3,9 mOhm
Код товару: 150137
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU190N10Q
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU190N10R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1A
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1AEICDiode Switching 600V 0.25A 2-Pin Case D-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLROHMDescription: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+6.62 грн
145+5.79 грн
174+4.80 грн
500+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2703+4.51 грн
2783+4.38 грн
5000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 2703
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLROHM SemiconductorMOSFET 1.2V N-CHANNEL DRIVE
на замовлення 16402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.64 грн
14+26.27 грн
100+12.20 грн
500+8.04 грн
1000+5.43 грн
3000+4.99 грн
6000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLROHM SEMICONDUCTORRU1C001UNTCL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
на замовлення 10689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.93 грн
26+12.32 грн
100+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 23465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5770+2.11 грн
6250+1.95 грн
6466+1.89 грн
6727+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 5770
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLROHMDescription: ROHM - RU1C001UNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+6.62 грн
145+5.79 грн
174+4.80 грн
500+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.1A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.25 грн
6000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.90 грн
31+10.31 грн
100+6.41 грн
500+4.41 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTLROHMDescription: ROHM - RU1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+19.12 грн
73+11.44 грн
159+5.26 грн
500+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTLROHM SemiconductorMOSFETs 1.2V Drive Pch MOSFET
на замовлення 7754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+19.01 грн
31+11.38 грн
100+3.94 грн
1000+3.57 грн
3000+3.27 грн
9000+2.46 грн
24000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTLROHMDescription: ROHM - RU1C001ZPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.83 грн
1000+3.13 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C001ZPTLROHM SEMICONDUCTORRU1C001ZPTL SMD P channel transistors
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.79 грн
390+2.80 грн
1071+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 19140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.61 грн
6000+3.27 грн
9000+3.13 грн
15000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1505+8.11 грн
1555+7.85 грн
2500+7.61 грн
5000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 1505
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002UNTCLROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.21 грн
16+22.25 грн
100+11.01 грн
500+7.29 грн
1000+5.58 грн
3000+4.91 грн
6000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002UNTCLROHM SEMICONDUCTORRU1C002UNTCL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 21626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.54 грн
23+13.49 грн
100+8.46 грн
500+5.87 грн
1000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002UNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 7994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2863+4.26 грн
2880+4.24 грн
3364+3.63 грн
3547+3.32 грн
6000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 2863
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLROHM SEMICONDUCTORRU1C002ZPTCL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1080+11.31 грн
1116+10.94 грн
2500+10.61 грн
5000+9.96 грн
10000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 1080
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 144906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.51 грн
26+12.32 грн
100+7.77 грн
500+4.50 грн
1000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLROHMDescription: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+12.52 грн
99+8.51 грн
193+4.34 грн
500+3.41 грн
1000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1080+11.31 грн
1116+10.94 грн
2500+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 1080
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 222500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3037+4.02 грн
3555+3.43 грн
3741+3.26 грн
3760+3.13 грн
6000+2.72 грн
12000+2.46 грн
24000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 3037
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLROHM SemiconductorMOSFETs 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 200186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+12.41 грн
40+8.56 грн
100+4.39 грн
1000+3.35 грн
3000+2.83 грн
9000+2.31 грн
24000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.09 грн
6000+2.59 грн
9000+2.33 грн
15000+2.03 грн
21000+2.00 грн
30000+1.85 грн
75000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RU1C002ZPTCLROHMDescription: ROHM - RU1C002ZPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.8 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.41 грн
1000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
RU1CV1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.99 грн
6000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCLROHMDescription: ROHM - RU1E002SPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-85, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-85
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.87 грн
104+8.10 грн
500+6.46 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCLROHM SEMICONDUCTORRU1E002SPTCL SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCLROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
на замовлення 30500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.56 грн
15+23.62 грн
100+10.94 грн
500+7.22 грн
1000+4.91 грн
3000+4.32 грн
9000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 10 V
на замовлення 9230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.32 грн
28+11.39 грн
100+7.09 грн
500+4.90 грн
1000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RU1E002SPTCLROHMDescription: ROHM - RU1E002SPTCL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 250 mA, 0.9 ohm, SC-85, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SC-85
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.39 грн
40+20.87 грн
104+8.10 грн
500+6.46 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 99450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.53 грн
6000+2.22 грн
9000+1.81 грн
15000+1.68 грн
21000+1.65 грн
30000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLROHMDescription: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.41 грн
1500+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 5917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3290+3.71 грн
3769+3.24 грн
3897+3.13 грн
4855+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3290
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLROHM SemiconductorMOSFETs 0.9V Drive Nch MOSFET
на замовлення 140359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+12.41 грн
42+8.22 грн
100+3.65 грн
1000+3.27 грн
3000+2.46 грн
9000+2.08 грн
24000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 101209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.29 грн
34+9.15 грн
100+5.64 грн
500+3.87 грн
1000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLROHMDescription: ROHM - RU1J002YNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+8.01 грн
137+6.09 грн
200+4.17 грн
500+3.41 грн
1500+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLROHM SEMICONDUCTORRU1J002YNTCL SMD N channel transistors
на замовлення 909 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+21.61 грн
270+4.04 грн
742+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2852+4.28 грн
2936+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 2852
В кошику  од. на суму  грн.
RU1J002YNTCL
Код товару: 158853
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1K1120INTERSIL01+ SOP8P
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1K120INTERSIL88+ SOP8P
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1K160D-L608
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SN TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTLROHM SemiconductorMOSFETs N-Channel MOSFET, 2.5V. MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in
на замовлення 26929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+13.20 грн
33+10.61 грн
100+4.17 грн
1000+3.65 грн
3000+3.05 грн
9000+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTLROHM SEMICONDUCTORRU1L002SNTL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
на замовлення 8651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.54 грн
22+14.50 грн
100+9.28 грн
500+5.32 грн
1000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTLROHMDescription: ROHM - RU1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.7ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.44 грн
130+6.45 грн
500+4.52 грн
1000+2.80 грн
5000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RU1L002SNTLROHMDescription: ROHM - RU1L002SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.7 ohm, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.12 грн
51+16.44 грн
130+6.45 грн
500+4.52 грн
1000+2.80 грн
5000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
RU1N12
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1P
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1PV1
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RU1V1
на замовлення 12314 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.