Продукція > SIU

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIU175-40-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED STANDARD
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 273
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+162505.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-40-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 273
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+169595.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-40-TG-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 273
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+172585.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-40-TG-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 273
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+167203.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-50-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED STANDARD
Ignition Type: Direct Spark
BTU's: 175000
Width (Inches): 31
Length (Inches): 333
Fuel Type: Propane
Part Status: Active
Height: 6-1/4"
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Packaging: Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+221702.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-50-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 333
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+189842.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-50-TG-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 333
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+223248.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 0.32A 3-Pin PowerPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.573 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.573ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.05 грн
41+19.73 грн
100+12.56 грн
500+8.75 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 11795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.48 грн
20+15.88 грн
100+8.42 грн
1000+6.56 грн
3000+5.59 грн
9000+4.83 грн
24000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.573 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.573ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.56 грн
500+8.75 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD402ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD402ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.57 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.30 грн
58+13.93 грн
112+7.25 грн
500+6.13 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD402ED-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 132843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.75 грн
14+23.50 грн
100+8.49 грн
1000+6.28 грн
3000+4.69 грн
9000+4.28 грн
24000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD402ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD403ED-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 23575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.56 грн
12+28.02 грн
100+15.39 грн
500+9.66 грн
1000+8.49 грн
3000+7.46 грн
6000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD403ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD403ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.25 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 52142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.80 грн
44+18.36 грн
100+11.60 грн
500+7.43 грн
1000+6.07 грн
5000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD403ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.25 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 52142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.60 грн
500+7.43 грн
1000+6.07 грн
5000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD403ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.74 грн
18+17.05 грн
100+10.75 грн
500+7.51 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
на замовлення 13666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.40 грн
16+19.74 грн
100+9.39 грн
500+8.75 грн
1000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.37A 3-Pin PowerPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.89 грн
6000+5.38 грн
9000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.37A 3-Pin PowerPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.98 грн
31+24.85 грн
32+24.38 грн
50+22.97 грн
100+11.26 грн
250+10.72 грн
500+9.95 грн
1000+7.20 грн
3000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds; 8V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 12682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.22 грн
15+22.55 грн
100+8.77 грн
1000+6.90 грн
3000+5.94 грн
9000+5.25 грн
24000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V Vds 5V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.24 грн
13+26.44 грн
100+12.98 грн
500+8.63 грн
1000+6.56 грн
3000+5.87 грн
6000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
на замовлення 98041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
13+23.56 грн
100+11.90 грн
500+9.11 грн
1000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD412ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.83 грн
43+17.67 грн
100+9.74 грн
250+8.94 грн
500+7.35 грн
1000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.29 грн
6000+5.79 грн
9000+5.01 грн
30000+4.61 грн
75000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD412ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 0.5A; Idm: 1.5A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 0806-3
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 1.5A
Drain current: 0.5A
Drain-source voltage: 12V
Gate-source voltage: ±5V
Gate charge: 0.71nC
On-state resistance: 2.5Ω
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIUPC3Carlo GavazziInterface Modules RS485/USB CONVERTER REV.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIUTCP2Carlo GavazziInterface Modules VIRTUAL COMM PORT GATEWAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.