Продукція > SIU

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SIU175-40-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED STANDARD
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 273
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+160354.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-40-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 273
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+167351.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-40-TG-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 273
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+170302.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-40-TG-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 273
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+164991.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-50-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED STANDARD
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 333
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+218769.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-50-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 333
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+187330.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-50-TG-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 333
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+220294.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.23 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.58 грн
39+20.58 грн
100+9.70 грн
500+8.34 грн
1000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3VISHAYSIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+37.19 грн
127+9.25 грн
349+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 11795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.16 грн
20+15.67 грн
100+8.31 грн
1000+6.47 грн
3000+5.52 грн
9000+4.77 грн
24000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.23 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.70 грн
500+8.34 грн
1000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 0.32A 3-Pin PowerPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD402ED-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 132843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.30 грн
14+23.19 грн
100+8.38 грн
1000+6.20 грн
3000+4.63 грн
9000+4.22 грн
24000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD402ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD402ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD402ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.57 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.03 грн
58+13.75 грн
112+7.15 грн
500+6.05 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD403ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.25 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.54 грн
1000+3.89 грн
5000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD403ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
на замовлення 13065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.82 грн
19+15.79 грн
100+9.94 грн
500+6.95 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD403ED-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.5A; Idm: -0.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: PowerPAK® 0806-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD403ED-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 23685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.34 грн
19+16.69 грн
100+9.13 грн
500+6.88 грн
1000+5.99 грн
3000+5.11 грн
6000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD403ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.76 грн
6000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD403ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.25 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+11.76 грн
105+7.59 грн
150+5.32 грн
500+4.54 грн
1000+3.89 грн
5000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.81 грн
6000+5.31 грн
9000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.37A 3-Pin PowerPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.07 грн
31+24.25 грн
32+23.79 грн
50+22.41 грн
100+10.98 грн
250+10.46 грн
500+9.70 грн
1000+7.02 грн
3000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds; 8V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 12682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.79 грн
15+22.25 грн
100+8.65 грн
1000+6.81 грн
3000+5.86 грн
9000+5.18 грн
24000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
на замовлення 13666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.95 грн
16+19.48 грн
100+9.26 грн
500+8.64 грн
1000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.37A 3-Pin PowerPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.21 грн
6000+5.72 грн
9000+4.94 грн
30000+4.55 грн
75000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD412ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V Vds 5V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.76 грн
13+26.09 грн
100+12.81 грн
500+8.52 грн
1000+6.47 грн
3000+5.79 грн
6000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
на замовлення 98041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.49 грн
13+23.25 грн
100+11.74 грн
500+8.99 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD412ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.27 грн
43+17.24 грн
100+9.50 грн
250+8.73 грн
500+7.17 грн
1000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
SIUPC3Carlo GavazziInterface Modules RS485/USB CONVERTER REV.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIUTCP2Carlo GavazziInterface Modules VIRTUAL COMM PORT GATEWAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.