Продукція > SIU

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SIU175-40-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED STANDARD
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 273
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+175302.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-40-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 2.4
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 273
Width (Inches): 13
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+182951.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-40-TG-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 273
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+186177.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-40-TG-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 273
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+180371.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-50-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED STANDARD
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 333
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+239161.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-50-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 333
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+204792.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIU175-50-TG-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED TOUGHGUY
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 6-1/4"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 333
Width (Inches): 31
BTU's: 175000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+240829.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.23 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+35.62 грн
39+22.50 грн
100+10.60 грн
500+9.12 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3VISHAYSIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.43 грн
127+9.00 грн
348+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 11795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.47 грн
20+17.81 грн
100+9.45 грн
1000+7.36 грн
3000+6.27 грн
9000+5.42 грн
24000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 0.32A 3-Pin PowerPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.23 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.60 грн
500+9.12 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 0.32A 3-Pin PowerPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.573Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD402ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD402ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.57 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+21.89 грн
58+15.03 грн
112+7.82 грн
500+6.62 грн
1000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD402ED-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 132843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.86 грн
14+26.36 грн
100+9.53 грн
1000+7.05 грн
3000+5.27 грн
9000+4.80 грн
24000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD402ED-T1-GE3VishayN-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD402ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD403ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.70 грн
6000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD403ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.25 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+12.86 грн
105+8.30 грн
150+5.81 грн
500+4.96 грн
1000+4.25 грн
5000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD403ED-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIUD403ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.25 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: PowerPAK 0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.96 грн
1000+4.25 грн
5000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD403ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 10 V
на замовлення 11119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.62 грн
20+16.86 грн
100+9.45 грн
500+6.97 грн
1000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD403ED-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 25685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+12.20 грн
45+8.02 грн
100+4.80 грн
3000+4.18 грн
6000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD403ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.37A 3-Pin PowerPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.35 грн
6000+5.81 грн
9000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 0.37A 3-Pin PowerPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+34.68 грн
31+23.31 грн
32+22.86 грн
50+21.54 грн
100+10.56 грн
250+10.06 грн
500+9.33 грн
1000+6.75 грн
3000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds; 8V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 12682 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.14 грн
15+25.29 грн
100+9.84 грн
1000+7.74 грн
3000+6.66 грн
9000+5.89 грн
24000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD406ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.46Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 15 V
на замовлення 13666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.03 грн
16+21.30 грн
100+10.12 грн
500+9.44 грн
1000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V Vds 5V Vgs PowerPAK 0806
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.66 грн
13+29.66 грн
100+14.56 грн
500+9.68 грн
1000+7.36 грн
3000+6.58 грн
6000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
на замовлення 98041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.70 грн
13+25.41 грн
100+12.84 грн
500+9.83 грн
1000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD412ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+21.41 грн
43+16.57 грн
100+9.14 грн
250+8.39 грн
500+6.89 грн
1000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
SiUD412ED-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 0806
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 0806
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.71 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 6 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.79 грн
6000+6.25 грн
9000+5.40 грн
30000+4.98 грн
75000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD412ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD412ED-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin PowerPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIUPC3Carlo GavazziInterface Modules RS485/USB CONVERTER REV.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIUTCP2Carlo GavazziInterface Modules VIRTUAL COMM PORT GATEWAY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.