Продукція > SQ7

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SQ7002K-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ701
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ721
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ741
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7414AEN-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 16A, POWERPAK 1212
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 16893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7414CENW-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.96 грн
14+60.72 грн
100+40.13 грн
500+30.63 грн
1000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.63 грн
10+53.66 грн
100+30.86 грн
500+25.34 грн
1000+22.68 грн
3000+19.21 грн
6000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7414CENW-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.13 грн
500+30.63 грн
1000+25.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7414CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 107358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.85 грн
50+70.97 грн
100+45.30 грн
500+34.39 грн
1500+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.99 грн
10+53.06 грн
100+34.37 грн
500+30.70 грн
1000+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
на замовлення 61226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.93 грн
10+62.83 грн
100+36.31 грн
500+28.47 грн
1000+25.95 грн
3000+22.68 грн
6000+21.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.39 грн
6000+24.50 грн
9000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_JE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 8127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.63 грн
10+53.66 грн
100+30.86 грн
500+25.34 грн
1000+22.68 грн
3000+19.21 грн
6000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414EN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414EN-T1-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.00 грн
13+60.55 грн
25+59.95 грн
100+43.66 грн
250+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SQ7415AEN-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_BE3VishaySQ7415AEN-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415AEN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+33.65 грн
402+31.00 грн
419+26.44 грн
500+25.50 грн
1000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 384
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415AEN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415AENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.05 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.54 грн
500+35.87 грн
1000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415AENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.05 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.86 грн
13+63.58 грн
100+45.54 грн
500+35.87 грн
1000+23.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.81 грн
10+55.07 грн
100+31.61 грн
500+25.00 грн
1000+22.96 грн
3000+19.48 грн
6000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.75 грн
50+66.60 грн
100+44.11 грн
500+32.10 грн
1500+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.95 грн
6000+20.50 грн
9000+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.049 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 53W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
на замовлення 16634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.36 грн
500+32.91 грн
1000+22.96 грн
5000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.13 грн
10+53.80 грн
100+35.61 грн
500+26.09 грн
1000+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 9571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.46 грн
10+58.52 грн
100+35.63 грн
500+29.77 грн
1000+25.34 грн
3000+22.48 грн
6000+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415EN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415EN-T1-E3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ742
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
sq747ea
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ74FCT2X2245ATQ2IDT00/01
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.