НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SQ90501+
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ905
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ905-CQSQO436
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ905-L
на замовлення 3350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ905-PVQSQ0318+ QFP
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ905B0203+
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ905B-CQ02+
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ905b-HVQ
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ905b-IVQ
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ905b-lVQ0234+
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ905BCQSQ TechnQFP 04+
на замовлення 11748 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ905BHVLSQ TechnLQFQ 04+
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ905BHVQSQ TechnQPF 04+
на замовлення 10224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ905CSQ TechnLQFP100 04+
на замовлення 10840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ905C-D
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ905C-LSQ05/04+
на замовлення 886 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ905CQSQ
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ906-LSQ0345+
на замовлення 41166 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ907B-L
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ908DIE 06+
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ908
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ909-D
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ909-L
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ913C-L
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ913D-LSQ Technolog2004
на замовлення 83629 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ913D-LTECHNOLOGYLQFP128 425
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ913D-LSQQFP128
на замовлення 86246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ913D-LTECHNOLOGY425 LQFP128
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ915
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ915D
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ915D-LSQ Technolog2004
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ916B-L
на замовлення 4527 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ916D07+
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ917A-L
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ930B-B
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ930B-L
на замовлення 13652 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ930C-LSQ TechnLQFP 04+
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ930C-LSQQFP
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ931CV-LSQTECH07+ QFP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ931DV-F
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ931PA-LSQ Technolog2007
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ9407EY-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_BE3
Код товару: 198760
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60 V
на замовлення 71944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.64 грн
10+72.89 грн
100+47.54 грн
500+37.43 грн
1000+34.11 грн
2500+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.69 грн
10+82.06 грн
100+55.03 грн
500+40.74 грн
1000+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.69 грн
10+82.06 грн
100+55.03 грн
500+40.74 грн
1000+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 4.6A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ9407EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.6 A, 0.067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.32 грн
500+39.70 грн
1000+32.94 грн
5000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V -4.6A 3.75W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.32 грн
10+75.06 грн
100+50.78 грн
500+43.01 грн
1000+35.09 грн
2500+32.98 грн
5000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.00 грн
5000+33.13 грн
7500+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9407EY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ9407EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.6 A, 0.067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.75W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.90 грн
10+86.34 грн
100+58.32 грн
500+39.70 грн
1000+32.94 грн
5000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9505AE/FFLR3-511na02+
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945AEY
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945AEY-T1VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945AEY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945AEY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 3.7A 2.4W 80mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945AEY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945AEY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 3.7A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945AEY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1-E3
на замовлення 87520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT S Q9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1-GE3
на замовлення 798200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.23 грн
5000+36.08 грн
10000+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+72.55 грн
100+48.48 грн
500+35.81 грн
1000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.68 грн
5000+33.67 грн
10000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CH 60V (D-S)
на замовлення 4044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.30 грн
10+81.23 грн
100+47.16 грн
500+37.13 грн
1000+33.88 грн
2500+29.58 грн
5000+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.43 грн
5000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.1A; 4W; SO8
Power dissipation: 4W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 64mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.01 грн
5+85.02 грн
10+73.95 грн
24+48.01 грн
64+45.37 грн
500+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V 5.4A 4W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.24 грн
10+90.25 грн
100+60.90 грн
500+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.1A; 4W; SO8
Power dissipation: 4W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 64mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.51 грн
6+68.23 грн
10+61.63 грн
24+40.01 грн
64+37.81 грн
500+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.62 грн
500+37.97 грн
1000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+72.55 грн
100+48.48 грн
500+35.81 грн
1000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ9945BEY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6 A, 6 A, 0.045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 4W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.18 грн
50+57.90 грн
100+50.62 грн
500+37.97 грн
1000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9945BEY-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.43 грн
5000+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9Z-LDIDECRelay Sockets & Fixings SQ Socket Plug-in LED/Diode 6-
на замовлення 30 шт:
термін постачання 574-583 дні (днів)
1+368.88 грн
10+341.04 грн
25+263.36 грн
100+236.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9Z-LD1IDECRelay Sockets & Fixings SQ Socket Plug-in LED/Diode Re
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ9Z-LRIDECRelay Sockets & Hardware SQ Socket Plug-in LED/RC 110-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.