Продукція > T2N

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
T2N3055CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.98 грн
6+71.71 грн
25+53.36 грн
100+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
T2N3055CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 15A; 115W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 15A
Power dissipation: 115W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 930 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+116.37 грн
5+89.36 грн
25+64.03 грн
100+58.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
T2N3055HVCDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 100W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.28 грн
7+65.87 грн
25+58.36 грн
100+51.69 грн
500+49.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
T2N3055HVCDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 15A; 100W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2.5MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1114 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+113.14 грн
5+82.08 грн
25+70.04 грн
100+62.03 грн
500+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
T2N3773CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 16A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+194.85 грн
5+135.07 грн
25+122.57 грн
100+108.39 грн
500+103.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
T2N3773CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 16A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 589 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+233.82 грн
5+168.32 грн
25+147.08 грн
100+130.07 грн
500+124.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
T2N40E
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T2N50
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T2N5087CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 250...800
Mounting: THT
Frequency: 40MHz
на замовлення 8140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+5.88 грн
180+2.45 грн
500+2.21 грн
2000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
T2N5172CDIL2N5172-CDI NPN THT transistors
на замовлення 259 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
78+4.16 грн
710+1.70 грн
1930+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
T2N60E
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T2N6257CDIL2N6257-CDI NPN THT transistors
на замовлення 690 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+79.74 грн
20+62.03 грн
53+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
T2N6371CDIL2N6371-CDI NPN THT transistors
на замовлення 974 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+77.58 грн
20+62.03 грн
53+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
T2N6371HVCDIL2N6371HV-CDI NPN THT transistors
на замовлення 883 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+79.74 грн
20+62.03 грн
53+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AKToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LMToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET
на замовлення 144794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+10.46 грн
55+6.72 грн
100+3.60 грн
500+2.56 грн
1000+2.24 грн
3000+1.52 грн
6000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.92 грн
6000+1.64 грн
9000+1.53 грн
15000+1.32 грн
21000+1.26 грн
30000+1.19 грн
75000+1.03 грн
150000+0.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.90 грн
6000+1.84 грн
9000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 171729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+10.39 грн
56+6.00 грн
100+3.68 грн
500+2.49 грн
1000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7143+1.77 грн
7390+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 7143
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LM(BToshibaT2N7002AK,LM(B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LM(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2033+6.23 грн
3268+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 2033
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BKToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 45258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+11.26 грн
53+6.34 грн
100+3.94 грн
500+2.67 грн
1000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LMToshibaMOSFETs Small Signal Mosfet
на замовлення 4588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+12.05 грн
52+7.09 грн
100+3.84 грн
500+2.72 грн
1000+2.24 грн
3000+1.52 грн
6000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LMToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.06 грн
6000+1.76 грн
9000+1.65 грн
15000+1.43 грн
21000+1.36 грн
30000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LMToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+13.07 грн
64+11.31 грн
167+4.19 грн
250+3.85 грн
500+3.66 грн
1000+2.41 грн
3000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(BToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(BToshibaChannel Power MOSFET
на замовлення 7548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2852+4.44 грн
2936+4.32 грн
5000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 2852
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(ES)ElecSuperN-Channel 60V 300mA 350mW Surface Mount SOT-23 T2N7002BK-ES SOT23 ELECSUPER T2N7002bk ES
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 27000
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 41369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+20.47 грн
68+13.29 грн
106+8.48 грн
500+6.35 грн
1500+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(TToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 27000
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(TTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.4A; Idm: 1.2A; 320mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.32W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+16.16 грн
100+3.27 грн
500+2.78 грн
3000+2.50 грн
12000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BK,LM(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - T2N7002BK,LM(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 1.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 320mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.98 грн
1000+1.57 грн
5000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002BKLM(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
t2nanoX-AL-E3930-2GADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Apollo Lake-I E3930, 2GB I-temp DDR3L, ETT -40~+85
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
t2nanoX-AL-E3940-4G/32GBADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM t2nanoX-AL-E3940-4G/32GBMini COM Express Type10 module with Intel Apollo Lake-I Atom E3940, 4GB DDR3L 1600MHz I-temp DDR3L w/ETT test
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
t2nanoX-AL-E3950-8G/TPM2.0ADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type10 module with Intel Apollo Lake-I Atom E3950, 8GB DDR3L wide temperature range, TPM2.0 and ETT screening support
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
t2nanoX-BT-E3815-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3815 BAY TRAIL 2GB ETT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
t2nanoX-BT-E3815-2G/8G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3815 BAY TRAIL 2GB/8 ETT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
t2nanoX-BT-E3825-2GADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3825 at 1.33 GHz and 2GB non ECC DDR3L, ETT -40~+85
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
t2nanoX-BT-E3825-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3825 BAY TRAIL 2GB ETT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
t2nanoX-BT-E3825-2G/8G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3825 BAY TRAIL 2GB/8 ETT
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
t2nanoX-BT-E3826-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3826 at 1.46 GHz and 2GB I-temp non ECC DDR3L, ETT -40~+85
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
t2nanoX-BT-E3826-2G/8G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM EA) Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3826 at 1.46 GHz and 2GB non ECC DDR3L,and 8GB eMMC flash storage,ETT -40+85
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
t2nanoX-BT-E3827-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3827 BAY TRAIL 2GB ETT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
t2nanoX-BT-E3827-2G/8G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3827 BAY TRAIL 2GB/8 ETT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
t2nanoX-BT-E3827-2G/8GBADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3827 at 1.75 GHz and 2GB non ECC DDR3, 8GB eMMC flash storage, ETT -40~+85
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
t2nanoX-BT-E3845-2GADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM t2nanoX-BT-E3845-2GMini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3845 at 1.91 GHz and 2GB I-temp non ECC DDR3L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
t2nanoX-BT-E3845-2G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3845 BAY TRAIL 2GB ETT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
t2nanoX-BT-E3845-2G/8G-ETTADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM MINI COM EXP E3845 BAY TRAIL 2GB/8 ETT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
t2nanoX-BT-E3845-4GADLINK TechnologyComputer-On-Modules - COM Mini COM Express Type 10 module with Intel Atom E3845 at 1.91 GHz and 4GB non ECC DDR3L, ETT -40 +85
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.