Продукція > XPN
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
XPN06103J345HT | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
XPN12006NC,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN12006NC,L1XHQ | Toshiba | MOSFETs TSON N CHAN 60V | на замовлення 57309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN12006NC,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN12006NC,L1XHQ(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - XPN12006NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.012 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TSON Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN12006NC,L1XHQ(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - XPN12006NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.012 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TSON Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN1300ANC,L1XHQ(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - XPN1300ANC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0133 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSON Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN1300ANC,L1XHQ(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - XPN1300ANC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0133 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSON Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN315100.000000K | Renesas Electronics Corporation | Description: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCSL Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Frequency Stability: ±50ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 95mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Frequency: 100 MHz Base Resonator: Crystal | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN316100.000000I | Renesas Electronics Corporation | Description: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCSL Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 95mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Frequency: 100 MHz Base Resonator: Crystal | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN316161.132812I | Renesas Electronics | Standard Clock Oscillators XPN316161.13281 PROGRAMMABLE XO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN316161.132812I | Renesas Electronics Corporation | Description: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCSL Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 1.8V Current - Supply (Max): 95mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Frequency: 161.132812 MHz Base Resonator: Crystal | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN326156.250000I | Renesas Electronics Corporation | Description: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCSL Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 2.5V Current - Supply (Max): 95mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Frequency: 156.25 MHz Base Resonator: Crystal | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN326156.250000I | Renesas / IDT | Standard Clock Oscillators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN326156.250000K | Renesas / IDT | Standard Clock Oscillators | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN326156.250000K | Renesas Electronics Corporation | Description: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCSL Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 2.5V Current - Supply (Max): 95mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Frequency: 156.25 MHz Base Resonator: Crystal | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN336025.000000I | Renesas Electronics Corporation | Description: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCSL Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 83mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Frequency: 25 MHz Base Resonator: Crystal Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN336025.000000I | Renesas Electronics | Standard Clock Oscillators XPN336025.00000 PROGRAMMABLE XO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN336078.125000I | Renesas Electronics | Standard Clock Oscillators XPN336078.12500 PROGRAMMABLE XO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN336100.000000I | Renesas Electronics Corporation | Description: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCSL Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 83mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Frequency: 100 MHz Base Resonator: Crystal Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN336100.000000I | Renesas Electronics | Standard Clock Oscillators XPN336100.00000 PROGRAMMABLE XO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN336100.000000I | Renesas / IDT | Standard Clock Oscillators XPN336100.00000 PROGRAMMABLE XO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN336156.250000I | Renesas Electronics | Standard Clock Oscillators XPN336156.25000 PROGRAMMABLE XO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN336156.250000I | Renesas Electronics Corporation | Description: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCSL Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 83mA Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm) Frequency: 156.25 MHz Base Resonator: Crystal Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN336156.253906I | Renesas Electronics | Standard Clock Oscillators XPN3 5032 HCMOS XO LOW JITTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN336161.132812I | Renesas Electronics Corporation | Description: XTAL OSC XO 161.132812MHZ HCSL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCSL Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 83mA Height - Seated (Max): 0.047" (1.19mm) Frequency: 161.132812 MHz Base Resonator: Crystal Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN336161.132812I | Renesas Electronics | Standard Clock Oscillators XPN336161.13281 PROGRAMMABLE XO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN336312.500000I | Renesas Electronics Corporation | Description: XTAL OSC XO 312.5000MHZ HCSL SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCSL Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 83mA Height - Seated (Max): 0.047" (1.19mm) Frequency: 312.5 MHz Base Resonator: Crystal Supplier Device Package: 4-VDFN (3.2x2.5) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN336312.500000I | Renesas Electronics | Standard Clock Oscillators XPN336312.50000 PROGRAMMABLE XO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN3R804NC,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 10 V | на замовлення 14885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN3R804NC,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 10 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN3R804NC,L1XHQ | Toshiba | MOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 | на замовлення 8156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN3R804NC,L1XHQ(O | Toshiba | MOSFETs Silicon N-channel MOS - Automotive Version | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN3R804NC,L1XHQ(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - XPN3R804NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0038 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSON Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN3R804NC,L1XHQ(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - XPN3R804NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0038 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSON Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN536100.000000I | Renesas Electronics | Standard Clock Oscillators XPN536100.00000 PROGRAMMABLE XO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN536100.000000I | Renesas Electronics Corporation | Description: XTAL OSC XO 100.0000MHZ HCSL SMD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCSL Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 83mA Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm) Frequency: 100 MHz Base Resonator: Crystal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN536100.000000I | Renesas Electronics Corporation | Description: XTAL OSC XO 100.0000MHZ HCSL SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCSL Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 83mA Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm) Frequency: 100 MHz Base Resonator: Crystal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN536156.250000I | Renesas Electronics Corporation | Description: CLCC 5.00X3.20X1.10 MM, 1.27MM P Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCSL Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 83mA Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Frequency: 156.25 MHz Base Resonator: Crystal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN536156.250000I | Renesas Electronics | Standard Clock Oscillators XPN536156.25000 PROGRAMMABLE XO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN536156.250000I | Renesas Electronics Corporation | Description: CLCC 5.00X3.20X1.10 MM, 1.27MM P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCSL Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 83mA Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm) Frequency: 156.25 MHz Base Resonator: Crystal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN6R706NC,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN6R706NC,L1XHQ | Toshiba | MOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 | на замовлення 3289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN6R706NC,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V | на замовлення 27960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN6R706NC,L1XHQ(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - XPN6R706NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0067 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSON Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN6R706NC,L1XHQ(O | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin TSOP Advance(WF) EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN6R706NC,L1XHQ(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - XPN6R706NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0067 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSON Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN716156.253906I | Renesas Electronics | Standard Clock Oscillators XPN716156.25390 PROGRAMMABLE XO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN736103.000000I | Renesas Electronics Corporation | Description: XPN736103.00000 PROGRAMMABLE XO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: HCSL Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 83mA Height - Seated (Max): 0.074" (1.88mm) Frequency: 103 MHz Base Resonator: Crystal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN7R104NC,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 10 V | на замовлення 11842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN7R104NC,L1XHQ | Toshiba | MOSFETs 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101 | на замовлення 2537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN7R104NC,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 10 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN7R104NC,L1XHQ(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - XPN7R104NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0071 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TSON Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN7R104NC,L1XHQ(O | Toshiba | POWER MOSFETs Silicon N-channel MOS - AUTOMOTIVE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPN9R614MC,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN9R614MC,L1XHQ | Toshiba | MOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 | на замовлення 5309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN9R614MC,L1XHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPN9R614MC,L1XHQ(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - XPN9R614MC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0096 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TSON Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 4727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
XPND600 | Apex Tool Group | Description: NUT DRIVER SET W/CASE 6PC | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPND600 | Apex Tool Group | Screwdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Precision Nutdriver 6 Piece Set | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
XPNX392PB5S5100 | Belden Inc. | Description: FLEXPON HOUSE BOX W/100F OF QP Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |