Продукція > YJS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| YJS03N10A | Yangjie Technology | Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS03N10A | YANGJIE TECHNOLOGY | YJS03N10A-YAN SMD N channel transistors | на замовлення 18040 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS05N06A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS05N15B | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 2.9A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 3.1W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJS12G06D | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS12G10A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 100V 12A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS12N03A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS12N10A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 3.3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJS18N03A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 30V 18A Transistors FET | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS2022A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 20V; -10.4A; 3W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: -10.4A Pulsed drain current: -55A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 8787 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS2022A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 20V; -10.4A; 3W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: -10.4A Pulsed drain current: -55A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 8787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS2301A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS2301A | Yangjie Technology | Description: SOT-23-6L P -20V -3.7A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS2301A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS3404A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 30V 8.5A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS4407A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 12A SOP-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJS4407A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 12A SOP-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12A, 20V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJS4407A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 12A SOP-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJS4407A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 12A SOP-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJS4407J | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS4409A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS4435A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 10A SOP-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJS4435A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS4435A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 10A SOP-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJS4435A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 10A SOP-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJS4435A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 10A SOP-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJS4447B | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS4606A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N/P 30 -30V 6.0 -5.0A Tra Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS4606A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6/-5A Pulsed drain current: 24...-20A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 6937 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS4606A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6/-5A; Idm: 24÷-20A; 2W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6/-5A Pulsed drain current: 24...-20A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 6937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS4953A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -5.1A Transistors | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS7328A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 10A SOP-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJS7328A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS7328A | Yangjie Electronic Technology | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS7328A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 10A SOP-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJS7328A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 10A SOP-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJS7328A-F2-0000HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 10A SOP-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJS8205A | Yangjie Technology | Description: SOT-23-6L N 20V 5.5A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS8205B | Yangjie Technology | Description: SOT-23-6L N 20V 7A Transistors | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS9435A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS9435A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJS9435A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.1A; 2.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.1A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJSD12N03A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 7475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJSD12N03A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 9.6A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 7475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJSD12N03A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET | на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| YJSS-10A | Rogerele | Контролер сонячного зарядного пристрою; Тексп, °C = -25...+50; Макс. струм заряду, А = 10; 133x70x35mm | на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| YJSS-30A | Rogerele | Контролер сонячного зарядного пристрою; Тексп, °C = -25...+50; Макс. струм заряду, А = 30; 133x70x35mm | на замовлення 9 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |