Продукція > sq7

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SQ7002K-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ701
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ721
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ741
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7414AEN-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 16A, POWERPAK 1212
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 16893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AENW-T1_GE3VishayAutomotive N-Channel 60 V (D-S) 175 Degree C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7414CENW-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.22 грн
16+52.44 грн
100+39.44 грн
500+30.50 грн
1000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7414CENW-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.44 грн
500+30.50 грн
1000+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.37 грн
6000+25.38 грн
9000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 72A; 62W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7414CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.016 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 107653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.56 грн
50+50.30 грн
100+36.31 грн
500+32.95 грн
1500+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
на замовлення 78104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.90 грн
10+63.72 грн
100+40.88 грн
500+33.91 грн
1000+28.26 грн
3000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.76 грн
10+54.97 грн
100+35.60 грн
500+31.81 грн
1000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 18A; Idm: 72A; 62W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 18A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 72A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_JE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 8387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.95 грн
10+60.94 грн
100+36.18 грн
500+30.16 грн
1000+30.09 грн
3000+25.61 грн
6000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414EN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414EN-T1-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1VishaySQ7415AEN-T1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+58.03 грн
13+49.49 грн
25+49.00 грн
100+35.68 грн
250+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SQ7415AEN-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_BE3VishaySQ7415AEN-T1_BE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET P-CHANNEL 60V (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415AEN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415AEN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+31.74 грн
402+29.23 грн
419+24.93 грн
500+24.04 грн
1000+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 384
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415AENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.05 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.80 грн
13+65.86 грн
100+47.17 грн
500+37.15 грн
1000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415AENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.05 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.17 грн
500+37.15 грн
1000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.049 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 53W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
на замовлення 16634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.88 грн
500+34.10 грн
1000+23.78 грн
5000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 9571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.83 грн
10+63.05 грн
100+38.38 грн
500+32.07 грн
1000+27.30 грн
3000+24.22 грн
6000+22.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.09 грн
10+60.55 грн
100+40.12 грн
500+29.40 грн
1000+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.049 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.33 грн
50+67.35 грн
100+45.12 грн
500+33.18 грн
1500+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VishayP-Channel 60 V 16A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
на замовлення 48 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+172.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.86 грн
6000+23.09 грн
9000+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415EN-T1VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.6A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415EN-T1-E3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415EN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.6A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415EN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ742
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
sq747ea
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ74FCT2X2245ATQ2IDT00/01
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.