Продукція > sq7

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQ7002K-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ701
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ721
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ741
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7414AEN-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 16A, POWERPAK 1212
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 62
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 62
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AEN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 16A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 16893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414AENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7414CENW-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7414CENW-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.17 грн
100+42.67 грн
500+31.37 грн
1000+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7414CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 104378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.71 грн
6000+24.78 грн
9000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7414CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.023 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 62W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 102178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
на замовлення 56717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK-W EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414CENW-T1_JE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 9407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414EN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7414EN-T1-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.77 грн
13+62.07 грн
25+61.45 грн
100+44.75 грн
250+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT SQ7415AEN-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_BE3VishaySQ7415AEN-T1_BE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415AEN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+36.96 грн
402+34.04 грн
419+29.04 грн
500+28.00 грн
1000+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415AEN-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AEN-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415AENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.05 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415AENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.05 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 40095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415AENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415CENW-T1"GE3 - P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 87AJ3537
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 53W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.42 грн
10+56.02 грн
50+41.61 грн
100+34.69 грн
500+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A 8-Pin PowerPAK 1212-W EP Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.66 грн
9000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 16A 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 53W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 53W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.049ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 5712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ7415CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 16 A, 0.065 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 53W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 5712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE P-CHANNEL 60-V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+60.13 грн
50+44.77 грн
100+37.35 грн
500+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415CENW-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415EN-T1-E3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ7415EN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ742
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
sq747ea
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ74FCT2X2245ATQ2IDT00/01
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.