Продукція > NEXPERIA > Всі товари виробника NEXPERIA (74048) > Сторінка 1203 з 1235

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 123 246 369 492 615 738 861 984 1107 1198 1199 1200 1201 1202 1203 1204 1205 1206 1207 1208 1230 1235  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
74AHC164PW,118 74AHC164PW,118 NEXPERIA 74AHC164PW,118.pdf Category: Shift registers
Description: IC: digital; 8bit,shift register,serial input,parallel out
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; parallel out; serial input; shift register
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Family: AHC
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 2...5.5V DC
Technology: CMOS
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AUP2G125GXX NEXPERIA 74AUP2G125.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,line driver; Ch: 2; CMOS; SMD; X2SON8; -40÷125°C
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: X2SON8
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 0.8...3.6V DC
Number of channels: 2
Kind of output: 3-state
Kind of integrated circuit: buffer; line driver
Family: AUP
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-A13,215 BZX84-A13,215 NEXPERIA BZX84_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.25W; 13V; SMD; SOT23; reel,tape; Ifmax: 200mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.25W
Zener voltage: 13V
Mounting: SMD
Tolerance: ±1%
Max. forward voltage: 0.9V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 547 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.82 грн
16+26.35 грн
18+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZV85-C9V1,133 BZV85-C9V1,133 NEXPERIA BZV85-C10.113.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1/1.3W; 9.1V; Ammo Pack; DO41; single diode; 500mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1/1.3W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Case: DO41
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.5A
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
75+6.12 грн
130+3.23 грн
250+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52H-C9V1,115 BZT52H-C9V1,115 NEXPERIA BZT52H-DTE.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.375/0.83W; 9.1V; SMD; SOD123F; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.375/0.83W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.9V
Max. load current: 0.25A
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.21 грн
84+4.94 грн
100+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZV85-C9V1,113 BZV85-C9V1,113 NEXPERIA BZV85-C10.113.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1/1.3W; 9.1V; reel,tape; DO41; single diode; 500mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1/1.3W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Case: DO41
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.5A
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.19 грн
40+10.38 грн
48+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K89-100E,115 NEXPERIA BUK9K89-100E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K8R7-40EX NEXPERIA BUK9K8R7-40E.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 211A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 211A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS56,215 BAS56,215 NEXPERIA BAS56.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 60V; 200mA; 6ns; SOT143B; Ufmax: 1V; Ifsm: 9A
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double independent
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 6ns
Max. forward impulse current: 9A
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA144EU,115 PDTA144EU,115 NEXPERIA PDTA144E_SER.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.21 грн
93+4.45 грн
107+3.85 грн
136+3.05 грн
250+2.61 грн
500+1.96 грн
1000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA144ET,215 PDTA144ET,215 NEXPERIA PDTA144E_SER.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 180MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA144WT,215 PDTA144WT,215 NEXPERIA PDTA144W_SERIES.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Current gain: 60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA144WU,115 PDTA144WU,115 NEXPERIA PDTA144W_SERIES.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Current gain: 60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA144TT,215 PDTA144TT,215 NEXPERIA PDTA144T_SERIES.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB; 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Current gain: 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA144TU,115 PDTA144TU,115 NEXPERIA Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Current gain: 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA144VT,215 PDTA144VT,215 NEXPERIA PDTA144V_SER.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA144VU,115 PDTA144VU,115 NEXPERIA PDTA144V_SER.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 40
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122,115 NEXPERIA BSP122.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.55A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±2V
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115 BSP126,115 NEXPERIA BSP126.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.375A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.12 грн
12+35.33 грн
25+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115 BSP19,115 NEXPERIA BSP19_20.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 40
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Frequency: 70MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX54-16,115 BCX54-16,115 NEXPERIA BCX54_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Current gain: 100...250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX54-16,135 BCX54-16,135 NEXPERIA BCX54_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Current gain: 100...250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX54-16-QX BCX54-16-QX NEXPERIA BCX54-Q_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Application: automotive industry
Current gain: 100...250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ALVCH16501DGGY NEXPERIA 74ALVCH16501DGGY.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 18bit,3-state,bus transceiver; CMOS,TTL; SMD; ALVCH
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; 18bit; bus transceiver
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: TSSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 1.2...3.6V DC
Family: ALVCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PESD24VS2UT,215 PESD24VS2UT,215 NEXPERIA PESD24VS2UT.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.5÷27.5V; 3A; 160W; ESD; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.5...27.5V
Max. forward impulse current: 3A
Semiconductor structure: common anode; double; unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Application: automotive industry
Peak pulse power dissipation: 0.16kW
на замовлення 11186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.70 грн
20+21.08 грн
100+13.09 грн
500+9.14 грн
1000+6.84 грн
3000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PESD3V3L1BAZ PESD3V3L1BAZ NEXPERIA PESD3V3L1BA.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 500W; 5.8÷6.9V; 18A; bidirectional; SC76,SOD323
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5.8...6.9V
Max. forward impulse current: 18A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SC76; SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 2µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC125D,118 74VHC125D,118 NEXPERIA 74VHC_VHCT125.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,line driver; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; line driver
Technology: CMOS
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -40...125°C
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SO14
Family: VHC
Number of channels: 4
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC125PW,118 74VHC125PW,118 NEXPERIA 74VHC_VHCT125.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,line driver; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; line driver
Technology: CMOS
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -40...125°C
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP14
Family: VHC
Number of channels: 4
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 NEXPERIA PSMN5R5-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.65 грн
10+111.18 грн
100+99.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX NEXPERIA PSMN4R1-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+110.87 грн
10+85.65 грн
25+76.59 грн
100+70.83 грн
250+68.36 грн
500+60.94 грн
1000+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX NEXPERIA PSMN013-40VLD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.94 грн
10+60.12 грн
25+50.24 грн
100+45.30 грн
250+42.00 грн
500+39.53 грн
1000+36.24 грн
1500+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+144.57 грн
10+112.01 грн
25+101.30 грн
100+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX NEXPERIA PSMN4R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 378A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.33 грн
14+31.13 грн
50+26.93 грн
100+25.70 грн
200+24.71 грн
250+24.38 грн
500+22.73 грн
1000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX NEXPERIA PSMN7R5-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+87.81 грн
10+69.18 грн
25+61.77 грн
100+57.65 грн
250+54.36 грн
500+49.41 грн
1000+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.06 грн
22+19.60 грн
25+18.12 грн
100+17.38 грн
250+16.06 грн
500+15.40 грн
1000+13.84 грн
1500+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA PSMN1R7-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+258.98 грн
5+206.72 грн
10+190.25 грн
25+183.66 грн
50+172.13 грн
100+162.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS,115 NEXPERIA PSMN8R5-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.94 грн
10+65.89 грн
25+60.94 грн
100+57.65 грн
250+51.89 грн
500+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN3R5-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+145.46 грн
10+107.07 грн
25+80.71 грн
100+72.48 грн
250+67.53 грн
500+64.24 грн
1000+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA PSMN017-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 942 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.31 грн
10+47.44 грн
25+38.54 грн
100+34.34 грн
250+31.79 грн
500+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 NEXPERIA PSMN015-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+108.21 грн
10+79.06 грн
25+69.18 грн
100+63.42 грн
250+60.94 грн
500+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX NEXPERIA PSMN013-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+148.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA PSMN0R9-25YLC.115.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+148.12 грн
10+123.54 грн
25+103.77 грн
100+93.89 грн
250+86.48 грн
500+82.36 грн
1000+74.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 NEXPERIA PSMN013-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.46 грн
12+34.76 грн
25+31.54 грн
100+22.81 грн
250+20.59 грн
500+19.02 грн
1000+18.20 грн
1500+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX NEXPERIA PSMN0R9-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.42 грн
10+144.95 грн
25+139.18 грн
100+135.07 грн
250+130.13 грн
500+126.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 NEXPERIA PSMN030-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.57 грн
14+29.73 грн
25+26.77 грн
100+24.71 грн
250+23.64 грн
500+21.25 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 NEXPERIA PSMN1R2-25YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.60 грн
10+60.12 грн
25+51.89 грн
100+49.41 грн
250+45.30 грн
500+43.65 грн
1000+39.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX NEXPERIA PSMN038-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+63.86 грн
10+44.23 грн
25+40.03 грн
100+37.06 грн
250+35.33 грн
500+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 NEXPERIA PSMN4R6-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+180.93 грн
10+126.01 грн
25+113.65 грн
100+105.42 грн
250+100.48 грн
500+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA PSMN2R0-30YLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.88 грн
10+86.48 грн
25+79.89 грн
100+75.77 грн
250+69.18 грн
500+67.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 NEXPERIA PSMN3R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+270.51 грн
3+232.25 грн
10+227.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA PSMN3R9-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.95 грн
10+162.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 NEXPERIA PSMN2R0-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+145.77 грн
10+130.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.18 грн
10+43.07 грн
100+27.18 грн
250+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 NEXPERIA PSMN012-100YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.14 грн
10+96.36 грн
25+80.71 грн
100+72.48 грн
250+67.53 грн
500+64.24 грн
1000+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL,127 NEXPERIA PSMN017-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 45W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+71.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS,127 NEXPERIA PSMN8R0-40PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.63 грн
10+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL,127 NEXPERIA PSMN1R1-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1609A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 243nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+321.96 грн
3+270.13 грн
10+263.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 NEXPERIA PSMN7R0-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+135.70 грн
10+93.89 грн
25+84.83 грн
100+79.06 грн
250+75.77 грн
500+67.53 грн
1000+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJ NEXPERIA PSMN1R8-80SSF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 205A; Idm: 1158A; 341W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 222nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 341W
Pulsed drain current: 1158A
Drain current: 205A
Case: LFPAK88; SOT1235
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX NEXPERIA PSMN1R2-25YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 205A; Idm: 1163A
Technology: NextPowerS3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60.3nC
On-state resistance: 2.87mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 172W
Pulsed drain current: 1163A
Drain current: 205A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC164PW,118 74AHC164PW,118.pdf
74AHC164PW,118
Виробник: NEXPERIA
Category: Shift registers
Description: IC: digital; 8bit,shift register,serial input,parallel out
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; parallel out; serial input; shift register
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Family: AHC
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 2...5.5V DC
Technology: CMOS
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AUP2G125GXX 74AUP2G125.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,line driver; Ch: 2; CMOS; SMD; X2SON8; -40÷125°C
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: X2SON8
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 0.8...3.6V DC
Number of channels: 2
Kind of output: 3-state
Kind of integrated circuit: buffer; line driver
Family: AUP
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-A13,215 BZX84_SER.pdf
BZX84-A13,215
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.25W; 13V; SMD; SOT23; reel,tape; Ifmax: 200mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.25W
Zener voltage: 13V
Mounting: SMD
Tolerance: ±1%
Max. forward voltage: 0.9V
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 547 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.82 грн
16+26.35 грн
18+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZV85-C9V1,133 BZV85-C10.113.pdf
BZV85-C9V1,133
Виробник: NEXPERIA
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1/1.3W; 9.1V; Ammo Pack; DO41; single diode; 500mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1/1.3W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Case: DO41
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.5A
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+6.12 грн
130+3.23 грн
250+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52H-C9V1,115 BZT52H-DTE.pdf
BZT52H-C9V1,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.375/0.83W; 9.1V; SMD; SOD123F; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.375/0.83W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 0.9V
Max. load current: 0.25A
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.21 грн
84+4.94 грн
100+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZV85-C9V1,113 BZV85-C10.113.pdf
BZV85-C9V1,113
Виробник: NEXPERIA
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1/1.3W; 9.1V; reel,tape; DO41; single diode; 500mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1/1.3W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Case: DO41
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Max. load current: 0.5A
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.19 грн
40+10.38 грн
48+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K89-100E,115 BUK9K89-100E.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 8.9A; Idm: 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.9A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9K8R7-40EX BUK9K8R7-40E.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 30A; Idm: 211A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 211A
Power dissipation: 53W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 18.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS56,215 BAS56.pdf
BAS56,215
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 60V; 200mA; 6ns; SOT143B; Ufmax: 1V; Ifsm: 9A
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double independent
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 6ns
Max. forward impulse current: 9A
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: fast switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA144EU,115 PDTA144E_SER.pdf
PDTA144EU,115
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.21 грн
93+4.45 грн
107+3.85 грн
136+3.05 грн
250+2.61 грн
500+1.96 грн
1000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA144ET,215 PDTA144E_SER.pdf
PDTA144ET,215
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 180MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA144WT,215 PDTA144W_SERIES.pdf
PDTA144WT,215
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Current gain: 60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA144WU,115 PDTA144W_SERIES.pdf
PDTA144WU,115
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Current gain: 60
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA144TT,215 PDTA144T_SERIES.pdf
PDTA144TT,215
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB; 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Current gain: 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA144TU,115
PDTA144TU,115
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323; 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Current gain: 100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA144VT,215 PDTA144V_SER.pdf
PDTA144VT,215
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA144VU,115 PDTA144V_SER.pdf
PDTA144VU,115
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 40
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122.pdf
BSP122,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.55A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±2V
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115 BSP126.pdf
BSP126,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.375A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+46.12 грн
12+35.33 грн
25+30.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115 BSP19_20.pdf
BSP19,115
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 40
Kind of package: reel; tape
Case: SC73; SOT223
Frequency: 70MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX54-16,115 BCX54_SER.pdf
BCX54-16,115
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Current gain: 100...250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX54-16,135 BCX54_SER.pdf
BCX54-16,135
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Current gain: 100...250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX54-16-QX BCX54-Q_SER.pdf
BCX54-16-QX
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Application: automotive industry
Current gain: 100...250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ALVCH16501DGGY 74ALVCH16501DGGY.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 18bit,3-state,bus transceiver; CMOS,TTL; SMD; ALVCH
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; 18bit; bus transceiver
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: TSSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 1.2...3.6V DC
Family: ALVCH
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PESD24VS2UT,215 PESD24VS2UT.pdf
PESD24VS2UT,215
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.5÷27.5V; 3A; 160W; ESD; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.5...27.5V
Max. forward impulse current: 3A
Semiconductor structure: common anode; double; unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Application: automotive industry
Peak pulse power dissipation: 0.16kW
на замовлення 11186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.70 грн
20+21.08 грн
100+13.09 грн
500+9.14 грн
1000+6.84 грн
3000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PESD3V3L1BAZ PESD3V3L1BA.pdf
PESD3V3L1BAZ
Виробник: NEXPERIA
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 500W; 5.8÷6.9V; 18A; bidirectional; SC76,SOD323
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5.8...6.9V
Max. forward impulse current: 18A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SC76; SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 2µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC125D,118 74VHC_VHCT125.pdf
74VHC125D,118
Виробник: NEXPERIA
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,line driver; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; line driver
Technology: CMOS
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -40...125°C
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: SO14
Family: VHC
Number of channels: 4
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC125PW,118 74VHC_VHCT125.pdf
74VHC125PW,118
Виробник: NEXPERIA
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,line driver; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; line driver
Technology: CMOS
Supply voltage: 2...5.5V DC
Kind of output: 3-state
Operating temperature: -40...125°C
Number of inputs: 2
Kind of package: reel; tape
Case: TSSOP14
Family: VHC
Number of channels: 4
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS.pdf
PSMN5R5-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.65 грн
10+111.18 грн
100+99.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YL.pdf
PSMN4R1-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+110.87 грн
10+85.65 грн
25+76.59 грн
100+70.83 грн
250+68.36 грн
500+60.94 грн
1000+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLD.pdf
PSMN013-40VLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+78.94 грн
10+60.12 грн
25+50.24 грн
100+45.30 грн
250+42.00 грн
500+39.53 грн
1000+36.24 грн
1500+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLD.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+144.57 грн
10+112.01 грн
25+101.30 грн
100+93.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 378A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+52.33 грн
14+31.13 грн
50+26.93 грн
100+25.70 грн
200+24.71 грн
250+24.38 грн
500+22.73 грн
1000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YL.pdf
PSMN7R5-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+87.81 грн
10+69.18 грн
25+61.77 грн
100+57.65 грн
250+54.36 грн
500+49.41 грн
1000+48.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.06 грн
22+19.60 грн
25+18.12 грн
100+17.38 грн
250+16.06 грн
500+15.40 грн
1000+13.84 грн
1500+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS.pdf
PSMN1R7-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.98 грн
5+206.72 грн
10+190.25 грн
25+183.66 грн
50+172.13 грн
100+162.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS.pdf
PSMN8R5-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+78.94 грн
10+65.89 грн
25+60.94 грн
100+57.65 грн
250+51.89 грн
500+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL.pdf
PSMN3R5-30YL,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+145.46 грн
10+107.07 грн
25+80.71 грн
100+72.48 грн
250+67.53 грн
500+64.24 грн
1000+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS.pdf
PSMN017-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 942 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+60.31 грн
10+47.44 грн
25+38.54 грн
100+34.34 грн
250+31.79 грн
500+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS.pdf
PSMN015-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+108.21 грн
10+79.06 грн
25+69.18 грн
100+63.42 грн
250+60.94 грн
500+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC.115.pdf
PSMN0R9-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.12 грн
10+123.54 грн
25+103.77 грн
100+93.89 грн
250+86.48 грн
500+82.36 грн
1000+74.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC.pdf
PSMN013-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.46 грн
12+34.76 грн
25+31.54 грн
100+22.81 грн
250+20.59 грн
500+19.02 грн
1000+18.20 грн
1500+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLD.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+161.42 грн
10+144.95 грн
25+139.18 грн
100+135.07 грн
250+130.13 грн
500+126.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS.pdf
PSMN030-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.57 грн
14+29.73 грн
25+26.77 грн
100+24.71 грн
250+23.64 грн
500+21.25 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC.pdf
PSMN1R2-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.60 грн
10+60.12 грн
25+51.89 грн
100+49.41 грн
250+45.30 грн
500+43.65 грн
1000+39.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLX PSMN038-100YL.pdf
PSMN038-100YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 589 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+63.86 грн
10+44.23 грн
25+40.03 грн
100+37.06 грн
250+35.33 грн
500+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+180.93 грн
10+126.01 грн
25+113.65 грн
100+105.42 грн
250+100.48 грн
500+90.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE.pdf
PSMN2R0-30YLE,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+102.88 грн
10+86.48 грн
25+79.89 грн
100+75.77 грн
250+69.18 грн
500+67.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS.pdf
PSMN3R0-60PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.51 грн
3+232.25 грн
10+227.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PS.pdf
PSMN3R9-60PSQ
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+172.95 грн
10+162.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL.pdf
PSMN2R0-30PL,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.77 грн
10+130.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC.pdf
PSMN7R0-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+69.18 грн
10+43.07 грн
100+27.18 грн
250+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS.pdf
PSMN012-100YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+140.14 грн
10+96.36 грн
25+80.71 грн
100+72.48 грн
250+67.53 грн
500+64.24 грн
1000+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL.pdf
PSMN017-30PL,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 45W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+71.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS.pdf
PSMN8R0-40PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+65.63 грн
10+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL.pdf
PSMN1R1-30PL,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1609A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 243nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+321.96 грн
3+270.13 грн
10+263.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS.pdf
PSMN7R0-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+135.70 грн
10+93.89 грн
25+84.83 грн
100+79.06 грн
250+75.77 грн
500+67.53 грн
1000+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJ PSMN1R8-80SSF.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 205A; Idm: 1158A; 341W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 222nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 341W
Pulsed drain current: 1158A
Drain current: 205A
Case: LFPAK88; SOT1235
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLD.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 205A; Idm: 1163A
Technology: NextPowerS3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60.3nC
On-state resistance: 2.87mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 172W
Pulsed drain current: 1163A
Drain current: 205A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 123 246 369 492 615 738 861 984 1107 1198 1199 1200 1201 1202 1203 1204 1205 1206 1207 1208 1230 1235  [ Наступна Сторінка >> ]