Продукція > NEXPERIA > Всі товари виробника NEXPERIA (86086) > Сторінка 369 з 1435

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 143 286 364 365 366 367 368 369 370 371 372 373 374 429 572 715 858 1001 1144 1287 1430 1435  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 NEXPERIA PSMN015-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+259.64 грн
10+197.23 грн
50+152.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS,127 NEXPERIA PSMN015-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+474.78 грн
10+344.39 грн
100+297.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127 NEXPERIA PSMN017-30PL.pdf PSMN017-30PL.127 THT N channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.57 грн
10+89.93 грн
35+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA PSMN017-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 36.1mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.06 грн
10+58.86 грн
25+46.05 грн
100+41.04 грн
250+37.99 грн
500+36.31 грн
1000+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-80PS,127 PSMN017-80PS,127 NEXPERIA PSMN017-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.24 грн
10+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 NEXPERIA PSMN018-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.57 грн
10+94.02 грн
25+80.69 грн
100+67.90 грн
250+61.01 грн
500+54.12 грн
1000+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS,115 NEXPERIA PSMN026-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 66mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.87 грн
10+42.51 грн
25+37.99 грн
100+36.21 грн
250+32.47 грн
500+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 NEXPERIA PSMN030-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 116A
Drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 49.6mΩ
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.87 грн
10+36.89 грн
25+31.98 грн
100+29.52 грн
250+28.24 грн
500+25.39 грн
1000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127 NEXPERIA PSMN034-100PS.pdf PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.97 грн
16+74.79 грн
43+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX NEXPERIA PSMN038-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 120A
Drain current: 21.3A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 39.2nC
On-state resistance: 103.5mΩ
Power dissipation: 94.9W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 699 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.30 грн
10+54.88 грн
25+47.83 грн
100+44.28 грн
250+42.22 грн
500+37.89 грн
1000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX NEXPERIA PSMN041-80YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 21.9nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.65 грн
10+42.51 грн
25+35.03 грн
100+31.59 грн
250+29.23 грн
500+27.85 грн
1000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 NEXPERIA PSMN057-200P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+505.51 грн
3+437.38 грн
10+373.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA PSMN0R9-25YLC.115.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.125mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.98 грн
10+153.29 грн
25+123.99 грн
100+112.18 грн
250+103.33 грн
500+98.41 грн
1000+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX NEXPERIA PSMN0R9-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+438.74 грн
10+377.09 грн
100+340.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.74 грн
10+138.98 грн
25+121.04 грн
100+112.18 грн
250+107.26 грн
500+96.44 грн
1000+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 255A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 121.35nC
On-state resistance: 2.15mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.05 грн
10+116.50 грн
25+107.26 грн
100+96.44 грн
250+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 NEXPERIA PSMN1R1-30PL.pdf PSMN1R1-30PL.127 THT N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+437.68 грн
4+345.41 грн
10+326.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 NEXPERIA PSMN1R2-25YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1133A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Power dissipation: 179W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.50 грн
10+74.60 грн
25+62.00 грн
100+59.04 грн
250+54.12 грн
500+52.16 грн
1000+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+633.74 грн
5+524.24 грн
10+464.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 117nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+329.59 грн
3+287.16 грн
10+241.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA PSMN2R0-30YLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.93 грн
10+107.30 грн
25+95.45 грн
100+90.53 грн
250+82.66 грн
500+80.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 NEXPERIA PSMN2R2-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.20 грн
10+125.70 грн
25+90.53 грн
100+82.66 грн
250+75.77 грн
500+72.82 грн
1000+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 NEXPERIA PSMN3R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+662.35 грн
3+590.67 грн
10+502.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN3R5-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 447A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+173.80 грн
10+132.85 грн
25+96.44 грн
100+86.60 грн
250+80.69 грн
500+76.76 грн
1000+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA PSMN3R9-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+393.17 грн
3+342.34 грн
10+290.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX NEXPERIA PSMN4R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.09 грн
10+32.09 грн
25+28.73 грн
100+27.36 грн
250+24.60 грн
500+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA psmn4r0-40ys.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX NEXPERIA PSMN4R1-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 593A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.47 грн
10+106.28 грн
25+91.52 грн
100+84.63 грн
250+81.68 грн
500+72.82 грн
1000+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX NEXPERIA PSMN4R2-30MLD.pdf PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+62.95 грн
34+34.44 грн
94+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEX
+1
 		PSMN4R2-80YSEX NEXPERIA PSMN4R2-80YSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 698A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+264.94 грн
10+168.62 грн
50+146.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS,118 NEXPERIA PSMN4R4-80BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+510.81 грн
5+452.71 грн
10+403.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 NEXPERIA PSMN4R6-60BS.pdf PSMN4R6-60BS.118 SMD N channel transistors
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+245.87 грн
10+117.10 грн
28+110.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 NEXPERIA PSMN5R5-60YS.pdf PSMN5R5-60YS.115 SMD N channel transistors
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+216.19 грн
10+119.07 грн
28+112.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80PS,127 NEXPERIA PSMN6R5-80PS.pdf PSMN6R5-80PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+311.57 грн
6+197.80 грн
17+186.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; Idm: 260A; 51W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 260A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 6.97mΩ
Power dissipation: 51W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.35 грн
10+40.98 грн
25+31.98 грн
100+29.52 грн
250+28.24 грн
500+25.39 грн
1000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 245A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 7.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 48W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.65 грн
10+46.50 грн
25+40.25 грн
100+37.30 грн
250+35.62 грн
500+31.98 грн
1000+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 NEXPERIA PSMN7R0-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 63A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Power dissipation: 117W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.14 грн
10+116.50 грн
25+101.36 грн
100+94.47 грн
250+90.53 грн
500+80.69 грн
1000+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX NEXPERIA PSMN7R5-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 346A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 60.6nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+104.92 грн
10+85.84 грн
25+73.81 грн
100+68.88 грн
250+64.95 грн
500+59.04 грн
1000+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127 NEXPERIA PSMN8R0-40PS.pdf PSMN8R0-40PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.50 грн
16+76.76 грн
42+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 NEXPERIA PSMN8R2-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 326A
Drain current: 82A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+137.77 грн
10+119.56 грн
25+96.44 грн
100+86.60 грн
250+80.69 грн
500+76.76 грн
1000+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS,115 NEXPERIA PSMN8R5-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 303A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 5.6mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.32 грн
10+81.75 грн
25+72.82 грн
100+68.88 грн
250+62.00 грн
500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127 NEXPERIA PSMN8R7-80PS.pdf PSMN8R7-80PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.65 грн
10+113.43 грн
12+106.28 грн
31+100.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS10VP1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf PTVS10VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.79 грн
78+15.06 грн
214+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS10VS1UTR,115 NEXPERIA PTVSXS1UTR_SER.pdf PTVS10VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.93 грн
109+10.73 грн
300+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS11VP1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf PTVS11VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 633 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.27 грн
77+15.25 грн
211+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS11VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS11VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.60 грн
103+11.42 грн
282+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS12VP1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf PTVS12VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 656 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.86 грн
70+16.83 грн
192+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS12VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS12VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+24.37 грн
113+10.43 грн
309+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS13VP1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf PTVS13VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.24 грн
78+15.06 грн
214+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS13VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS13VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.83 грн
113+10.43 грн
309+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS14VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS14VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.27 грн
113+10.43 грн
309+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS15VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS15VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+25.43 грн
113+10.43 грн
309+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS15VS1UTR,115 NEXPERIA PTVSXS1UTR_SER.pdf PTVS15VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+20.14 грн
113+10.43 грн
309+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS16VP1UP,115 PTVS16VP1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 18.75V; 23.1A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Mounting: SMD
Case: SOD128F
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Operating temperature: max. 150°C
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 23.1A
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.33 грн
10+30.76 грн
25+18.70 грн
100+16.93 грн
250+15.65 грн
500+14.96 грн
1000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS16VS1UR,115 PTVS16VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Mounting: SMD
Case: SOD123W
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Operating temperature: max. 150°C
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 15.4A
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+23.31 грн
18+17.99 грн
25+12.99 грн
100+11.71 грн
250+10.82 грн
500+10.33 грн
1000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS16VS1UTR,115 PTVS16VS1UTR,115 NEXPERIA PTVSXS1UTR_SER.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.185°C
Mounting: SMD
Case: SOD123W
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Operating temperature: max. 185°C
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 15.4A
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+25.43 грн
16+19.72 грн
25+14.17 грн
100+12.79 грн
250+11.91 грн
500+11.32 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS17VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS17VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.45 грн
113+10.43 грн
309+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS22VP1UP,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003407895-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw PTVS22VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.59 грн
78+15.06 грн
214+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS24VP1UP,115 PTVS24VP1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 28.1V; 15.4A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Operating temperature: max. 150°C
Type of diode: TVS
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 15.4A
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 28.1V
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.85 грн
14+22.48 грн
25+17.71 грн
100+16.53 грн
250+15.84 грн
500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS24VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS24VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+24.06 грн
113+10.43 грн
309+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS.pdf
PSMN015-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.64 грн
10+197.23 грн
50+152.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS.pdf
PSMN015-60PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.78 грн
10+344.39 грн
100+297.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN017-30PL.127 THT N channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.57 грн
10+89.93 грн
35+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS.pdf
PSMN017-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 36.1mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.06 грн
10+58.86 грн
25+46.05 грн
100+41.04 грн
250+37.99 грн
500+36.31 грн
1000+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-80PS,127 PSMN017-80PS.pdf
PSMN017-80PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.24 грн
10+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS.pdf
PSMN018-80YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.57 грн
10+94.02 грн
25+80.69 грн
100+67.90 грн
250+61.01 грн
500+54.12 грн
1000+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS.pdf
PSMN026-80YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 66mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.87 грн
10+42.51 грн
25+37.99 грн
100+36.21 грн
250+32.47 грн
500+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS.pdf
PSMN030-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 116A
Drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 49.6mΩ
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.87 грн
10+36.89 грн
25+31.98 грн
100+29.52 грн
250+28.24 грн
500+25.39 грн
1000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.97 грн
16+74.79 грн
43+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLX PSMN038-100YL.pdf
PSMN038-100YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 120A
Drain current: 21.3A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 39.2nC
On-state resistance: 103.5mΩ
Power dissipation: 94.9W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 699 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.30 грн
10+54.88 грн
25+47.83 грн
100+44.28 грн
250+42.22 грн
500+37.89 грн
1000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YL.pdf
PSMN041-80YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 21.9nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.65 грн
10+42.51 грн
25+35.03 грн
100+31.59 грн
250+29.23 грн
500+27.85 грн
1000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P.pdf
PSMN057-200P,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.51 грн
3+437.38 грн
10+373.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC.115.pdf
PSMN0R9-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.125mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.98 грн
10+153.29 грн
25+123.99 грн
100+112.18 грн
250+103.33 грн
500+98.41 грн
1000+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLD.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.74 грн
10+377.09 грн
100+340.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLD.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.74 грн
10+138.98 грн
25+121.04 грн
100+112.18 грн
250+107.26 грн
500+96.44 грн
1000+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLD.pdf
PSMN1R0-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 255A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 121.35nC
On-state resistance: 2.15mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.05 грн
10+116.50 грн
25+107.26 грн
100+96.44 грн
250+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R1-30PL.127 THT N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.68 грн
4+345.41 грн
10+326.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC.pdf
PSMN1R2-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1133A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Power dissipation: 179W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.50 грн
10+74.60 грн
25+62.00 грн
100+59.04 грн
250+54.12 грн
500+52.16 грн
1000+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67
PSMN1R7-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+633.74 грн
5+524.24 грн
10+464.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513
PSMN2R0-30PL,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 117nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.59 грн
3+287.16 грн
10+241.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE.pdf
PSMN2R0-30YLE,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.93 грн
10+107.30 грн
25+95.45 грн
100+90.53 грн
250+82.66 грн
500+80.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC.pdf
PSMN2R2-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.20 грн
10+125.70 грн
25+90.53 грн
100+82.66 грн
250+75.77 грн
500+72.82 грн
1000+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS.pdf
PSMN3R0-60PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+662.35 грн
3+590.67 грн
10+502.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL.pdf
PSMN3R5-30YL,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 447A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.80 грн
10+132.85 грн
25+96.44 грн
100+86.60 грн
250+80.69 грн
500+76.76 грн
1000+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PS.pdf
PSMN3R9-60PSQ
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+393.17 грн
3+342.34 грн
10+290.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.09 грн
10+32.09 грн
25+28.73 грн
100+27.36 грн
250+24.60 грн
500+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 psmn4r0-40ys.pdf
PSMN4R0-40YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YL.pdf
PSMN4R1-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 593A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.47 грн
10+106.28 грн
25+91.52 грн
100+84.63 грн
250+81.68 грн
500+72.82 грн
1000+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLD.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.95 грн
34+34.44 грн
94+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSE.pdf
PSMN4R2-80YSEX
+1
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 698A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.94 грн
10+168.62 грн
50+146.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS.pdf
PSMN4R4-80BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.81 грн
5+452.71 грн
10+403.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R6-60BS.118 SMD N channel transistors
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.87 грн
10+117.10 грн
28+110.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN5R5-60YS.115 SMD N channel transistors
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.19 грн
10+119.07 грн
28+112.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R5-80PS.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R5-80PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.57 грн
6+197.80 грн
17+186.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115 PSMN7R0-30YL.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; Idm: 260A; 51W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 260A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 6.97mΩ
Power dissipation: 51W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.35 грн
10+40.98 грн
25+31.98 грн
100+29.52 грн
250+28.24 грн
500+25.39 грн
1000+25.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC.pdf
PSMN7R0-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 245A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 7.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 48W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.65 грн
10+46.50 грн
25+40.25 грн
100+37.30 грн
250+35.62 грн
500+31.98 грн
1000+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS.pdf
PSMN7R0-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 63A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Power dissipation: 117W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.14 грн
10+116.50 грн
25+101.36 грн
100+94.47 грн
250+90.53 грн
500+80.69 грн
1000+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YL.pdf
PSMN7R5-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 346A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 60.6nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.92 грн
10+85.84 грн
25+73.81 грн
100+68.88 грн
250+64.95 грн
500+59.04 грн
1000+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R0-40PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.50 грн
16+76.76 грн
42+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS.pdf
PSMN8R2-80YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 326A
Drain current: 82A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.77 грн
10+119.56 грн
25+96.44 грн
100+86.60 грн
250+80.69 грн
500+76.76 грн
1000+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS.pdf
PSMN8R5-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 303A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 5.6mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.32 грн
10+81.75 грн
25+72.82 грн
100+68.88 грн
250+62.00 грн
500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127 PSMN8R7-80PS.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R7-80PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
10+113.43 грн
12+106.28 грн
31+100.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS10VP1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS10VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.79 грн
78+15.06 грн
214+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS10VS1UTR,115 PTVSXS1UTR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS10VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.93 грн
109+10.73 грн
300+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS11VP1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS11VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 633 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.27 грн
77+15.25 грн
211+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS11VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS11VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.60 грн
103+11.42 грн
282+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS12VP1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS12VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 656 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.86 грн
70+16.83 грн
192+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS12VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS12VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.37 грн
113+10.43 грн
309+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS13VP1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS13VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.24 грн
78+15.06 грн
214+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS13VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS13VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 201 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.83 грн
113+10.43 грн
309+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS14VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS14VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.27 грн
113+10.43 грн
309+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS15VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS15VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4781 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.43 грн
113+10.43 грн
309+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS15VS1UTR,115 PTVSXS1UTR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS15VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.14 грн
113+10.43 грн
309+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS16VP1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
PTVS16VP1UP,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 18.75V; 23.1A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Mounting: SMD
Case: SOD128F
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Operating temperature: max. 150°C
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 23.1A
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.33 грн
10+30.76 грн
25+18.70 грн
100+16.93 грн
250+15.65 грн
500+14.96 грн
1000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS16VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
PTVS16VS1UR,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Mounting: SMD
Case: SOD123W
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Operating temperature: max. 150°C
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 15.4A
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.31 грн
18+17.99 грн
25+12.99 грн
100+11.71 грн
250+10.82 грн
500+10.33 грн
1000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS16VS1UTR,115 PTVSXS1UTR_SER.pdf
PTVS16VS1UTR,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.185°C
Mounting: SMD
Case: SOD123W
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Operating temperature: max. 185°C
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 15.4A
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.43 грн
16+19.72 грн
25+14.17 грн
100+12.79 грн
250+11.91 грн
500+11.32 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS17VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS17VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.45 грн
113+10.43 грн
309+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS22VP1UP,115 NEXP-S-A0003407895-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: NEXPERIA
PTVS22VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.59 грн
78+15.06 грн
214+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS24VP1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
PTVS24VP1UP,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 28.1V; 15.4A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Operating temperature: max. 150°C
Type of diode: TVS
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 15.4A
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 28.1V
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.85 грн
14+22.48 грн
25+17.71 грн
100+16.53 грн
250+15.84 грн
500+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS24VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS24VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.06 грн
113+10.43 грн
309+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 143 286 364 365 366 367 368 369 370 371 372 373 374 429 572 715 858 1001 1144 1287 1430 1435  [ Наступна Сторінка >> ]