| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBTA42,215 | NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 50MHz Pulsed collector current: 0.2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBTA92,215 | NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Pulsed collector current: 0.2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MMBZ10VAL,215 | NEXPERIA |
MMBZ10VAL.215 Protection diodes - arrays |
на замовлення 5426 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MMBZ15VDL,215 | NEXPERIA |
MMBZ15VDL.215 Protection diodes - arrays |
на замовлення 2719 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MMBZ27VAL,215 | NEXPERIA |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 27V; 40W; unidirectional,double,common anode Type of diode: TVS array Case: SOT23 Mounting: SMD Semiconductor structure: common anode; double; unidirectional Leakage current: 5nA Number of channels: 2 Version: ESD Max. off-state voltage: 22V Application: automotive industry Breakdown voltage: 27V Peak pulse power dissipation: 40W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1914 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBZ27VCL,215 | NEXPERIA |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 27V; 40W; unidirectional,double,common cathode Type of diode: TVS array Case: SOT23 Mounting: SMD Semiconductor structure: common cathode; double; unidirectional Leakage current: 5nA Number of channels: 2 Version: ESD Max. off-state voltage: 22V Application: automotive industry Breakdown voltage: 27V Peak pulse power dissipation: 40W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12438 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MMBZ33VAL,215 | NEXPERIA |
MMBZ33VAL.215 Protection diodes - arrays |
на замовлення 668 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MMBZ33VCL,215 | NEXPERIA |
MMBZ33VCL.215 Protection diodes - arrays |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MMBZ9V1AL,215 | NEXPERIA |
MMBZ9V1AL.215 Protection diodes - arrays |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NCR401UX | NEXPERIA |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; SOT457; 10mA; Ch: 1; 40VDC; OUT: transistor Case: SOT457 Mounting: SMD Kind of output: transistor Operating temperature: -55...150°C Output current: 10mA Supply voltage: 40V DC Type of integrated circuit: driver Application: automotive industry Kind of integrated circuit: LED driver Number of channels: 1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1547 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCR405UX | NEXPERIA |
Category: LED driversDescription: IC: driver; LED driver; SOT457; 50mA; Ch: 1; 40VDC; OUT: transistor Case: SOT457 Mounting: SMD Kind of output: transistor Operating temperature: -55...150°C Output current: 50mA Supply voltage: 40V DC Type of integrated circuit: driver Application: automotive industry Kind of integrated circuit: LED driver Number of channels: 1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2942 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NSF040120L3A0Q | NEXPERIA |
NSF040120L3A0Q THT N channel transistors |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NSF080120L3A0Q | NEXPERIA |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -10...22V Gate charge: 52nC On-state resistance: 0.12Ω Drain current: 25A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 183W Drain-source voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NUP1301,215 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SOT23 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 220W Max. off-state voltage: 80V Semiconductor structure: unidirectional Case: SOT23 Mounting: SMD Leakage current: 0.1µA Max. forward impulse current: 4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3027 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NUP1301U,115 | NEXPERIA |
NUP1301U.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 1660 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NX138AKR | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 0.265W; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A Power dissipation: 0.265W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 1.4nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2702 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NX138AKVL | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.765A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A Pulsed drain current: 0.765A Power dissipation: 0.265W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 8974 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NX2301P,215 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 400mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD On-state resistance: 0.27Ω Power dissipation: 0.4W Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23; TO236AB Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Gate charge: 6nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8418 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NX3008CBKS,115 | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 0.35/-0.2A Power dissipation: 0.99W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.4/4.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.68/0.72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NX3008NBK,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 350mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±8V Drain current: 0.4A Gate charge: 0.68nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.4Ω Power dissipation: 0.35W Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NX3008NBKS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 280mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±8V Drain current: 0.35A Gate charge: 0.68nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.4Ω Power dissipation: 0.28W Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5958 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NX3008NBKW,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 260mW; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±8V Drain current: 0.35A Gate charge: 0.68nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.4Ω Power dissipation: 0.26W Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 151 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NX3008PBK,215 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.23A; 420mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Gate-source voltage: ±8V Drain current: -230mA Gate charge: 0.72nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 4.1Ω Power dissipation: 0.42W Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
NX3008PBKS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 80mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Gate-source voltage: ±8V Drain current: -200mA Gate charge: 0.72nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 4.1Ω Power dissipation: 80mW Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NX3008PBKW,115 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 260mW; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Gate-source voltage: ±8V Drain current: -200mA Gate charge: 0.72nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 4.1Ω Power dissipation: 0.26W Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 266 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NX3020NAK,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125mA; Idm: 0.8A Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 0.44nC Drain current: 0.125A Pulsed drain current: 0.8A On-state resistance: 9.2Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NX3020NAKS,115 | NEXPERIA |
NX3020NAKS.115 Multi channel transistors |
на замовлення 894 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NX3020NAKV,115 | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 120mA; Idm: 0.8A; 375mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.12A Power dissipation: 375mW Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.44nC Pulsed drain current: 0.8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 864 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NX3020NAKW,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.11A; 300mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.11A Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.3W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 987 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NX7002AK,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 6.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Power dissipation: 325mW Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7008 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NX7002AKVL | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120mA; Idm: 760mA; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A Pulsed drain current: 0.76A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4524 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NX7002AKW,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.1A Pulsed drain current: 0.68A Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5874 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NX7002BKMBYL | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.9A; 0.68W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.9A Power dissipation: 0.68W Case: DFN1006B-3; SOT883B Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5801 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NX7002BKR | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.17A Pulsed drain current: 0.9A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 5.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NX7002BKWX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15A; Idm: 0.8A; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 0.8A Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3027 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NXB0108BQX | NEXPERIA |
NXB0108BQX Level translators |
на замовлення 1983 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NXB0108PW-Q100J | NEXPERIA |
NXB0108PW-Q100J Level translators |
на замовлення 2323 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NXS0102DC-Q100H | NEXPERIA |
NXS0102DC-Q100H Level translators |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NXS0108PW-Q100J | NEXPERIA |
NXS0108PW-Q100J Level translators |
на замовлення 2443 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NXS0506UPZ | NEXPERIA |
Category: Level translatorsDescription: IC: digital; Ch: 6; reel,tape Kind of package: reel; tape Number of channels: 6 Type of integrated circuit: digital кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NXV65UPR | NEXPERIA |
NXV65UPR SMD P channel transistors |
на замовлення 2672 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NZH12B,115 | NEXPERIA |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 12V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 12V Kind of package: reel; tape Case: SOD123F Mounting: SMD Tolerance: ±2.5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 40nA Max. load current: 0.25A Max. forward voltage: 0.9V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 690 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NZH13B,115 | NEXPERIA |
NZH13B.115 SMD Zener diodes |
на замовлення 2780 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NZH15B,115 | NEXPERIA |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 15V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA Case: SOD123F Type of diode: Zener Leakage current: 40nA Max. load current: 0.25A Power dissipation: 0.5W Max. forward voltage: 0.9V Tolerance: ±2.5% Zener voltage: 15V Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NZH16C,115 | NEXPERIA |
NZH16C.115 SMD Zener diodes |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NZH20C,115 | NEXPERIA |
NZH20C.115 SMD Zener diodes |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NZH24C,115 | NEXPERIA |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 24V Kind of package: reel; tape Case: SOD123F Mounting: SMD Tolerance: ±2.5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 40nA Max. load current: 0.25A Max. forward voltage: 0.9V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NZH30C,115 | NEXPERIA |
NZH30C.115 SMD Zener diodes |
на замовлення 5984 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NZH3V0B,115 | NEXPERIA |
NZH3V0B.115 SMD Zener diodes |
на замовлення 2620 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NZH4V3B,115 | NEXPERIA |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 4.3V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA Mounting: SMD Leakage current: 5µA Max. load current: 0.25A Power dissipation: 0.5W Max. forward voltage: 0.9V Tolerance: ±2.5% Zener voltage: 4.3V Case: SOD123F Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Type of diode: Zener кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NZH4V7B,115 | NEXPERIA |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA Mounting: SMD Leakage current: 5µA Max. load current: 0.25A Power dissipation: 0.5W Max. forward voltage: 0.9V Tolerance: ±2.5% Zener voltage: 4.7V Case: SOD123F Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Type of diode: Zener кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NZH5V1B,115 | NEXPERIA |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 5.1V Mounting: SMD Tolerance: ±2.5% Kind of package: reel; tape Case: SOD123F Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.9V Leakage current: 5µA Max. load current: 0.25A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1362 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NZH5V6B,115 | NEXPERIA |
Category: SMD Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 5.6V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 5.6V Kind of package: reel; tape Case: SOD123F Mounting: SMD Tolerance: ±2.5% Semiconductor structure: single diode Leakage current: 5µA Max. load current: 0.25A Max. forward voltage: 0.9V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NZH6V2B,115 | NEXPERIA |
NZH6V2B.115 SMD Zener diodes |
на замовлення 638 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NZH6V8B,115 | NEXPERIA |
NZH6V8B.115 SMD Zener diodes |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NZX5V6D,133 | NEXPERIA |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 500mW; 5.6V; Ammo Pack; SOD27; single diode; 250mA Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 5.6V Kind of package: Ammo Pack Case: SOD27 Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Max. load current: 0.25A Max. forward voltage: 1.5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7881 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PBHV2160ZX | NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 600V; 0.1A; 650mW; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.65W Case: SC73; SOT223 Current gain: 125 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 942 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PBHV8115T,215 | NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Type of transistor: NPN Mounting: SMD Power dissipation: 0.3W Collector current: 1A Current gain: 10...250 Collector-emitter voltage: 150V Frequency: 30MHz Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 972 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PBHV8115Z,115 | NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SC73,SOT223 Case: SC73; SOT223 Type of transistor: NPN Mounting: SMD Power dissipation: 0.3W Collector current: 1A Current gain: 100...250 Collector-emitter voltage: 150V Frequency: 30MHz Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 973 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PBHV8540Z,115 | NEXPERIA |
PBHV8540Z.115 NPN SMD transistors |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| MMBTA42,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 50MHz
Pulsed collector current: 0.2A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 50MHz
Pulsed collector current: 0.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.47 грн |
| 16+ | 18.91 грн |
| 50+ | 12.17 грн |
| MMBTA92,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed collector current: 0.2A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed collector current: 0.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.76 грн |
| 10+ | 30.48 грн |
| 100+ | 23.97 грн |
| MMBZ10VAL,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
MMBZ10VAL.215 Protection diodes - arrays
MMBZ10VAL.215 Protection diodes - arrays
на замовлення 5426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.10 грн |
| 331+ | 3.37 грн |
| 908+ | 3.19 грн |
| MMBZ15VDL,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
MMBZ15VDL.215 Protection diodes - arrays
MMBZ15VDL.215 Protection diodes - arrays
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 23.73 грн |
| 227+ | 4.91 грн |
| 624+ | 4.64 грн |
| MMBZ27VAL,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 27V; 40W; unidirectional,double,common anode
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common anode; double; unidirectional
Leakage current: 5nA
Number of channels: 2
Version: ESD
Max. off-state voltage: 22V
Application: automotive industry
Breakdown voltage: 27V
Peak pulse power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 27V; 40W; unidirectional,double,common anode
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common anode; double; unidirectional
Leakage current: 5nA
Number of channels: 2
Version: ESD
Max. off-state voltage: 22V
Application: automotive industry
Breakdown voltage: 27V
Peak pulse power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.52 грн |
| 15+ | 20.09 грн |
| 50+ | 12.08 грн |
| MMBZ27VCL,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 27V; 40W; unidirectional,double,common cathode
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common cathode; double; unidirectional
Leakage current: 5nA
Number of channels: 2
Version: ESD
Max. off-state voltage: 22V
Application: automotive industry
Breakdown voltage: 27V
Peak pulse power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 27V; 40W; unidirectional,double,common cathode
Type of diode: TVS array
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common cathode; double; unidirectional
Leakage current: 5nA
Number of channels: 2
Version: ESD
Max. off-state voltage: 22V
Application: automotive industry
Breakdown voltage: 27V
Peak pulse power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 25.41 грн |
| 15+ | 19.79 грн |
| 100+ | 13.59 грн |
| MMBZ33VAL,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
MMBZ33VAL.215 Protection diodes - arrays
MMBZ33VAL.215 Protection diodes - arrays
на замовлення 668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.18 грн |
| 100+ | 6.45 грн |
| 227+ | 4.91 грн |
| 624+ | 4.64 грн |
| MMBZ33VCL,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
MMBZ33VCL.215 Protection diodes - arrays
MMBZ33VCL.215 Protection diodes - arrays
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.00 грн |
| 254+ | 4.39 грн |
| 698+ | 4.14 грн |
| MMBZ9V1AL,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
MMBZ9V1AL.215 Protection diodes - arrays
MMBZ9V1AL.215 Protection diodes - arrays
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.53 грн |
| 150+ | 8.23 грн |
| 218+ | 5.10 грн |
| 597+ | 4.81 грн |
| NCR401UX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SOT457; 10mA; Ch: 1; 40VDC; OUT: transistor
Case: SOT457
Mounting: SMD
Kind of output: transistor
Operating temperature: -55...150°C
Output current: 10mA
Supply voltage: 40V DC
Type of integrated circuit: driver
Application: automotive industry
Kind of integrated circuit: LED driver
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SOT457; 10mA; Ch: 1; 40VDC; OUT: transistor
Case: SOT457
Mounting: SMD
Kind of output: transistor
Operating temperature: -55...150°C
Output current: 10mA
Supply voltage: 40V DC
Type of integrated circuit: driver
Application: automotive industry
Kind of integrated circuit: LED driver
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.68 грн |
| 9+ | 34.10 грн |
| 10+ | 29.25 грн |
| NCR405UX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SOT457; 50mA; Ch: 1; 40VDC; OUT: transistor
Case: SOT457
Mounting: SMD
Kind of output: transistor
Operating temperature: -55...150°C
Output current: 50mA
Supply voltage: 40V DC
Type of integrated circuit: driver
Application: automotive industry
Kind of integrated circuit: LED driver
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; LED driver; SOT457; 50mA; Ch: 1; 40VDC; OUT: transistor
Case: SOT457
Mounting: SMD
Kind of output: transistor
Operating temperature: -55...150°C
Output current: 50mA
Supply voltage: 40V DC
Type of integrated circuit: driver
Application: automotive industry
Kind of integrated circuit: LED driver
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 77.23 грн |
| 10+ | 52.52 грн |
| 25+ | 39.82 грн |
| NSF040120L3A0Q |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
NSF040120L3A0Q THT N channel transistors
NSF040120L3A0Q THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1616.42 грн |
| 2+ | 1528.67 грн |
| NSF080120L3A0Q |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 183W
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -10...22V
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 183W
Drain-source voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3987.60 грн |
| 3+ | 2892.71 грн |
| 10+ | 2496.82 грн |
| NUP1301,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SOT23
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 220W
Max. off-state voltage: 80V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 220W; 4A; unidirectional; SOT23
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 220W
Max. off-state voltage: 80V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.21 грн |
| 28+ | 10.78 грн |
| 50+ | 6.61 грн |
| 75+ | 6.23 грн |
| 100+ | 5.85 грн |
| 244+ | 4.53 грн |
| 671+ | 4.34 грн |
| NUP1301U,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
NUP1301U.115 Unidirectional TVS SMD diodes
NUP1301U.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.26 грн |
| 205+ | 5.45 грн |
| 562+ | 5.15 грн |
| NX138AKR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 0.265W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 1.4nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 0.265W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 1.4nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.36 грн |
| 22+ | 13.91 грн |
| 100+ | 7.17 грн |
| NX138AKVL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.765A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.765A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.765A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.765A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 8974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 80+ | 5.03 грн |
| 100+ | 3.85 грн |
| 500+ | 3.27 грн |
| 3000+ | 2.94 грн |
| 10000+ | 2.75 грн |
| NX2301P,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 400mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 0.4W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Gate charge: 6nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 400mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 0.4W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Gate charge: 6nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8418 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.34 грн |
| 21+ | 14.50 грн |
| 50+ | 10.76 грн |
| 100+ | 9.52 грн |
| 211+ | 5.27 грн |
| 579+ | 4.97 грн |
| 3000+ | 4.78 грн |
| NX3008CBKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.35/-0.2A
Power dissipation: 0.99W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4/4.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/0.72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.35/-0.2A
Power dissipation: 0.99W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4/4.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/0.72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.84 грн |
| 10+ | 34.00 грн |
| 50+ | 22.46 грн |
| NX3008NBK,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 350mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 0.4A
Gate charge: 0.68nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 350mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 0.4A
Gate charge: 0.68nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.4Ω
Power dissipation: 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NX3008NBKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 280mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 0.35A
Gate charge: 0.68nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.4Ω
Power dissipation: 0.28W
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 280mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 0.35A
Gate charge: 0.68nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.4Ω
Power dissipation: 0.28W
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.88 грн |
| 8+ | 38.02 грн |
| 10+ | 30.38 грн |
| NX3008NBKW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 260mW; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 0.35A
Gate charge: 0.68nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.4Ω
Power dissipation: 0.26W
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 260mW; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: 0.35A
Gate charge: 0.68nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 1.4Ω
Power dissipation: 0.26W
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.76 грн |
| 10+ | 33.71 грн |
| 100+ | 16.99 грн |
| NX3008PBK,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.23A; 420mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: -230mA
Gate charge: 0.72nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.1Ω
Power dissipation: 0.42W
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.23A; 420mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: -230mA
Gate charge: 0.72nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.1Ω
Power dissipation: 0.42W
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NX3008PBKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 80mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: -200mA
Gate charge: 0.72nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.1Ω
Power dissipation: 80mW
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 80mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: -200mA
Gate charge: 0.72nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.1Ω
Power dissipation: 80mW
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.79 грн |
| 10+ | 33.32 грн |
| 25+ | 26.70 грн |
| NX3008PBKW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 260mW; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: -200mA
Gate charge: 0.72nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.1Ω
Power dissipation: 0.26W
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 260mW; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: -200mA
Gate charge: 0.72nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.1Ω
Power dissipation: 0.26W
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.55 грн |
| 13+ | 24.01 грн |
| 50+ | 15.48 грн |
| NX3020NAK,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125mA; Idm: 0.8A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.44nC
Drain current: 0.125A
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 9.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125mA; Idm: 0.8A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.44nC
Drain current: 0.125A
Pulsed drain current: 0.8A
On-state resistance: 9.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.44 грн |
| 16+ | 19.01 грн |
| 25+ | 14.63 грн |
| NX3020NAKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
NX3020NAKS.115 Multi channel transistors
NX3020NAKS.115 Multi channel transistors
на замовлення 894 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.15 грн |
| 209+ | 5.34 грн |
| 574+ | 5.05 грн |
| NX3020NAKV,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 120mA; Idm: 0.8A; 375mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 375mW
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.44nC
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 120mA; Idm: 0.8A; 375mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 375mW
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.44nC
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 864 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.53 грн |
| 12+ | 24.89 грн |
| 15+ | 19.53 грн |
| 100+ | 8.87 грн |
| 174+ | 6.42 грн |
| 477+ | 6.04 грн |
| 1000+ | 5.94 грн |
| NX3020NAKW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.11A; 300mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.11A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.11A; 300mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.11A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.47 грн |
| 13+ | 24.30 грн |
| 15+ | 20.19 грн |
| NX7002AK,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 6.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 325mW
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 6.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 325mW
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7008 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.29 грн |
| 21+ | 14.50 грн |
| 24+ | 12.08 грн |
| NX7002AKVL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120mA; Idm: 760mA; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120mA; Idm: 760mA; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.39 грн |
| 17+ | 17.64 грн |
| 20+ | 14.15 грн |
| NX7002AKW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.1A
Pulsed drain current: 0.68A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100mA; Idm: 0.68A; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.1A
Pulsed drain current: 0.68A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5874 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.37 грн |
| 16+ | 19.40 грн |
| 18+ | 15.95 грн |
| NX7002BKMBYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.9A; 0.68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.68W
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.9A; 0.68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.68W
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5801 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.29 грн |
| 24+ | 12.54 грн |
| 50+ | 8.02 грн |
| 100+ | 6.64 грн |
| 329+ | 3.37 грн |
| 904+ | 3.19 грн |
| 5000+ | 3.08 грн |
| NX7002BKR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.9A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.9A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.36 грн |
| 20+ | 15.29 грн |
| 50+ | 10.15 грн |
| NX7002BKWX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15A; Idm: 0.8A; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.8A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15A; Idm: 0.8A; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.8A
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.19 грн |
| 37+ | 8.13 грн |
| 55+ | 5.21 грн |
| 100+ | 4.38 грн |
| 462+ | 2.41 грн |
| 1270+ | 2.26 грн |
| 3000+ | 2.20 грн |
| NXB0108BQX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
NXB0108BQX Level translators
NXB0108BQX Level translators
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.40 грн |
| 26+ | 44.44 грн |
| 69+ | 41.99 грн |
| NXB0108PW-Q100J |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
NXB0108PW-Q100J Level translators
NXB0108PW-Q100J Level translators
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 105.69 грн |
| 23+ | 48.50 грн |
| 64+ | 45.86 грн |
| NXS0102DC-Q100H |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
NXS0102DC-Q100H Level translators
NXS0102DC-Q100H Level translators
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.59 грн |
| 38+ | 29.63 грн |
| 104+ | 28.03 грн |
| NXS0108PW-Q100J |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
NXS0108PW-Q100J Level translators
NXS0108PW-Q100J Level translators
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 105.69 грн |
| 23+ | 48.50 грн |
| 64+ | 45.86 грн |
| NXS0506UPZ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 6; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 6
Type of integrated circuit: digital
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Level translators
Description: IC: digital; Ch: 6; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 6
Type of integrated circuit: digital
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 144.30 грн |
| 5+ | 127.39 грн |
| 25+ | 112.29 грн |
| NXV65UPR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
NXV65UPR SMD P channel transistors
NXV65UPR SMD P channel transistors
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.53 грн |
| 100+ | 12.15 грн |
| 151+ | 7.45 грн |
| 413+ | 6.98 грн |
| NZH12B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Tolerance: ±2.5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 40nA
Max. load current: 0.25A
Max. forward voltage: 0.9V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 12V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Tolerance: ±2.5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 40nA
Max. load current: 0.25A
Max. forward voltage: 0.9V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.29 грн |
| 25+ | 12.15 грн |
| 100+ | 7.54 грн |
| NZH13B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
NZH13B.115 SMD Zener diodes
NZH13B.115 SMD Zener diodes
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.45 грн |
| 254+ | 4.39 грн |
| 698+ | 4.14 грн |
| NZH15B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA
Case: SOD123F
Type of diode: Zener
Leakage current: 40nA
Max. load current: 0.25A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 0.9V
Tolerance: ±2.5%
Zener voltage: 15V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 15V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA
Case: SOD123F
Type of diode: Zener
Leakage current: 40nA
Max. load current: 0.25A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 0.9V
Tolerance: ±2.5%
Zener voltage: 15V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.29 грн |
| 19+ | 15.87 грн |
| 21+ | 13.59 грн |
| NZH16C,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
NZH16C.115 SMD Zener diodes
NZH16C.115 SMD Zener diodes
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.82 грн |
| 239+ | 4.66 грн |
| 657+ | 4.41 грн |
| NZH20C,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
NZH20C.115 SMD Zener diodes
NZH20C.115 SMD Zener diodes
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 11.75 грн |
| 322+ | 3.46 грн |
| 885+ | 3.27 грн |
| NZH24C,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Tolerance: ±2.5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 40nA
Max. load current: 0.25A
Max. forward voltage: 0.9V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Tolerance: ±2.5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 40nA
Max. load current: 0.25A
Max. forward voltage: 0.9V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.91 грн |
| 10+ | 32.53 грн |
| 100+ | 17.74 грн |
| NZH30C,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
NZH30C.115 SMD Zener diodes
NZH30C.115 SMD Zener diodes
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 11.75 грн |
| 100+ | 6.87 грн |
| 221+ | 5.06 грн |
| 606+ | 4.78 грн |
| NZH3V0B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
NZH3V0B.115 SMD Zener diodes
NZH3V0B.115 SMD Zener diodes
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.26 грн |
| 322+ | 3.46 грн |
| 885+ | 3.27 грн |
| NZH4V3B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 4.3V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Max. load current: 0.25A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 0.9V
Tolerance: ±2.5%
Zener voltage: 4.3V
Case: SOD123F
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 4.3V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Max. load current: 0.25A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 0.9V
Tolerance: ±2.5%
Zener voltage: 4.3V
Case: SOD123F
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.26 грн |
| 24+ | 12.74 грн |
| 28+ | 10.29 грн |
| 36+ | 7.96 грн |
| 100+ | 5.16 грн |
| 250+ | 3.93 грн |
| 296+ | 3.75 грн |
| NZH4V7B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Max. load current: 0.25A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 0.9V
Tolerance: ±2.5%
Zener voltage: 4.7V
Case: SOD123F
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 4.7V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Max. load current: 0.25A
Power dissipation: 0.5W
Max. forward voltage: 0.9V
Tolerance: ±2.5%
Zener voltage: 4.7V
Case: SOD123F
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.23 грн |
| 25+ | 11.76 грн |
| 29+ | 9.81 грн |
| 100+ | 4.69 грн |
| 319+ | 3.48 грн |
| 877+ | 3.28 грн |
| NZH5V1B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2.5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.9V
Leakage current: 5µA
Max. load current: 0.25A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.1V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2.5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123F
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.9V
Leakage current: 5µA
Max. load current: 0.25A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 10.16 грн |
| 36+ | 8.23 грн |
| 42+ | 6.89 грн |
| 100+ | 4.10 грн |
| 337+ | 3.29 грн |
| 500+ | 3.00 грн |
| NZH5V6B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.6V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.6V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Tolerance: ±2.5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Max. load current: 0.25A
Max. forward voltage: 0.9V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.6V; SMD; reel,tape; SOD123F; Ifmax: 250mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.6V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123F
Mounting: SMD
Tolerance: ±2.5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Max. load current: 0.25A
Max. forward voltage: 0.9V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.36 грн |
| 16+ | 18.42 грн |
| 19+ | 15.19 грн |
| NZH6V2B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
NZH6V2B.115 SMD Zener diodes
NZH6V2B.115 SMD Zener diodes
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.82 грн |
| 330+ | 3.38 грн |
| 906+ | 3.20 грн |
| NZH6V8B,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
NZH6V8B.115 SMD Zener diodes
NZH6V8B.115 SMD Zener diodes
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 14.62 грн |
| 322+ | 3.46 грн |
| 884+ | 3.27 грн |
| NZX5V6D,133 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 5.6V; Ammo Pack; SOD27; single diode; 250mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.6V
Kind of package: Ammo Pack
Case: SOD27
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. load current: 0.25A
Max. forward voltage: 1.5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 500mW; 5.6V; Ammo Pack; SOD27; single diode; 250mA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.6V
Kind of package: Ammo Pack
Case: SOD27
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. load current: 0.25A
Max. forward voltage: 1.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.39 грн |
| 50+ | 19.60 грн |
| 100+ | 16.42 грн |
| PBHV2160ZX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 600V; 0.1A; 650mW; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.65W
Case: SC73; SOT223
Current gain: 125
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 600V; 0.1A; 650mW; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.65W
Case: SC73; SOT223
Current gain: 125
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.04 грн |
| 10+ | 38.90 грн |
| 59+ | 18.87 грн |
| 162+ | 17.83 грн |
| 1000+ | 17.17 грн |
| PBHV8115T,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Collector current: 1A
Current gain: 10...250
Collector-emitter voltage: 150V
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Collector current: 1A
Current gain: 10...250
Collector-emitter voltage: 150V
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 972 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.91 грн |
| 10+ | 70.36 грн |
| 50+ | 52.65 грн |
| PBHV8115Z,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Collector current: 1A
Current gain: 100...250
Collector-emitter voltage: 150V
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Collector current: 1A
Current gain: 100...250
Collector-emitter voltage: 150V
Frequency: 30MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 973 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.78 грн |
| 10+ | 72.91 грн |
| 50+ | 53.79 грн |
| PBHV8540Z,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PBHV8540Z.115 NPN SMD transistors
PBHV8540Z.115 NPN SMD transistors
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.36 грн |
| 57+ | 19.63 грн |
| 157+ | 18.49 грн |














