| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMEG4010EJ,115 | NEXPERIA |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SC90,SOD323F; SMD; 40V; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: SC90; SOD323F Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.64V Max. forward impulse current: 9A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMEG4010EP,115 | NEXPERIA |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; CFP5,SOD128; SMD; 40V; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: CFP5; SOD128 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.49V Max. forward impulse current: 50A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 330 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMEG4010ER,115 | NEXPERIA |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; CFP3,SOD123W; SMD; 40V; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: CFP3; SOD123W Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.49V Max. forward impulse current: 50A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14450 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMEG4030EP,115 | NEXPERIA |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; CFP5,SOD128; SMD; 40V; 3A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: CFP5; SOD128 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.49V Max. forward impulse current: 50A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMEG4030ER,115 | NEXPERIA |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; CFP3,SOD123W; SMD; 40V; 3A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: CFP3; SOD123W Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.54V Max. forward impulse current: 50A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2915 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMEG4050EP-QX | NEXPERIA |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; CFP5,SOD128; SMD; 40V; 5A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: CFP5; SOD128 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 600pF Max. forward voltage: 0.49V Leakage current: 0.3mA Max. forward impulse current: 70A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.1W Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMEG4050EP,115 | NEXPERIA |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; CFP5,SOD128; SMD; 40V; 5A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: CFP5; SOD128 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 5A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.49V Max. forward impulse current: 70A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4515 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMEG40T10ERX | NEXPERIA |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; CFP3,SOD123W; SMD; 40V; 1.4A; 11ns Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 1.4A Semiconductor structure: single diode Case: CFP3; SOD123W Max. forward voltage: 0.365V Max. forward impulse current: 20A Leakage current: 4mA Capacitance: 145pF Kind of package: reel; tape Reverse recovery time: 11ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2271 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMEG40T20ERX | NEXPERIA |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; CFP3,SOD123W; SMD; 40V; 2A; 11.5ns Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: CFP3; SOD123W Max. forward voltage: 0.515V Max. forward impulse current: 20A Capacitance: 350pF Kind of package: reel; tape Reverse recovery time: 11.5ns Power dissipation: 1.15W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1937 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMEG40T30EPX | NEXPERIA |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; CFP5,SOD128; SMD; 40V; 4.2A; 14ns Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 4.2A Semiconductor structure: single diode Case: CFP5; SOD128 Max. forward voltage: 0.37V Max. forward impulse current: 55A Leakage current: 5.5mA Capacitance: 240pF Kind of package: reel; tape Reverse recovery time: 14ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3321 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMEG6010CEGWX | NEXPERIA |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SOD123; SMD; 60V; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: SOD123 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 60V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.66V Max. forward impulse current: 9A Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Capacitance: 68pF Leakage current: 50µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3802 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PMEG6010EP,115 | NEXPERIA |
PMEG6010EP.115 SMD Schottky diodes |
на замовлення 978 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMEG6020EP-QX | NEXPERIA | PMEG6020EP-QX SMD Schottky diodes |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMEG6020EP,115 | NEXPERIA |
PMEG6020EP.115 SMD Schottky diodes |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMEG6030EP,115 | NEXPERIA |
PMEG6030EP.115 SMD Schottky diodes |
на замовлення 3208 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMEG6030ETPX | NEXPERIA |
PMEG6030ETPX SMD Schottky diodes |
на замовлення 1662 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMEG6030EVPX | NEXPERIA |
PMEG6030EVPX SMD Schottky diodes |
на замовлення 5998 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMF170XP,115 | NEXPERIA |
PMF170XP.115 SMD P channel transistors |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMF63UNEX | NEXPERIA |
PMF63UNEX SMD N channel transistors |
на замовлення 1684 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMGD280UN,115 | NEXPERIA |
PMGD280UN.115 Multi channel transistors |
на замовлення 1476 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PMGD290UCEAX | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 450/-320mA Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.99W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 380/850mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.68/1.14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 573 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PMGD780SN,115 | NEXPERIA |
PMGD780SN.115 Multi channel transistors |
на замовлення 1191 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PMMT491A,215 | NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 300...900 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 150MHz Pulsed collector current: 2A Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PMMT591A,215 | NEXPERIA |
PMMT591A.215 PNP SMD transistors |
на замовлення 2338 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMP5201Y,115 | NEXPERIA |
PMP5201Y.115 PNP SMD transistors |
на замовлення 3077 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMPB215ENEA/FX | NEXPERIA |
PMPB215ENEA/FX SMD N channel transistors |
на замовлення 2847 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PMSS3906,115 | NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Kind of package: reel; tape Case: SC70; SOT323 Type of transistor: PNP Mounting: SMD Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Current gain: 30...300 Collector-emitter voltage: 40V Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2859 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PMST2369,115 | NEXPERIA |
PMST2369.115 NPN SMD transistors |
на замовлення 2004 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PMST3904,115 | NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SC70,SOT323 Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Case: SC70; SOT323 Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Current gain: 300 Collector-emitter voltage: 40V Frequency: 300MHz Polarisation: bipolar Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3703 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PMST5551,115 | NEXPERIA |
PMST5551.115 NPN SMD transistors |
на замовлення 2508 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMV160UP,215 | NEXPERIA |
PMV160UP.215 SMD P channel transistors |
на замовлення 1197 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMV20ENR | NEXPERIA |
PMV20ENR SMD N channel transistors |
на замовлення 490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMV20XNER | NEXPERIA |
PMV20XNER SMD N channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PMV213SN,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 7.6A Power dissipation: 2W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 575mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2893 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMV32UP,215 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.5A Power dissipation: 930mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 73mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2626 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PMV40UN2R | NEXPERIA |
PMV40UN2R SMD N channel transistors |
на замовлення 2619 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMV45EN2R | NEXPERIA |
PMV45EN2R SMD N channel transistors |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMV48XP,215 | NEXPERIA |
PMV48XP.215 SMD P channel transistors |
на замовлення 1066 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMV48XPAR | NEXPERIA |
PMV48XPAR SMD P channel transistors |
на замовлення 2582 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMV50XPR | NEXPERIA |
PMV50XPR SMD P channel transistors |
на замовлення 721 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMV55ENEAR | NEXPERIA |
PMV55ENEAR SMD N channel transistors |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMV65UNER | NEXPERIA |
PMV65UNER SMD N channel transistors |
на замовлення 13379 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMV65XPEAR | NEXPERIA |
PMV65XPEAR SMD P channel transistors |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PMV65XPER | NEXPERIA |
PMV65XPER SMD P channel transistors |
на замовлення 259 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PMV90ENER | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.9A Pulsed drain current: 12A Case: SOT23; TO236AB On-state resistance: 0.118Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 384 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PMZ350UPEYL | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -700mA Pulsed drain current: -2.8A Case: DFN1006-3; SOT883 On-state resistance: 645mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: Trench кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8294 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PMZB290UNE2YL | NEXPERIA |
PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors |
на замовлення 4902 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PNS40010ER,115 | NEXPERIA |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V Type of diode: rectifying Case: SOD123W Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1.4A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.93V Max. forward impulse current: 32A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.3W Features of semiconductor devices: ultrafast switching Reverse recovery time: 1.8µs Leakage current: 0.5mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PRTR5V0U4D,125 | NEXPERIA |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6; Ch: 4 Case: SC74; SOT457; TSOP6 Type of diode: TVS array Mounting: SMD Leakage current: 0.1µA Number of channels: 4 Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 7.5V Application: automotive industry Semiconductor structure: unidirectional кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15885 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSC1065KQ | NEXPERIA |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA Mounting: THT Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode Kind of package: tube Leakage current: 120µA Max. forward voltage: 2.6V Load current: 10A Max. forward impulse current: 42A Max. off-state voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 84 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN004-60B,118 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 230W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 168nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 714 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN009-100P,127 | NEXPERIA |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Power dissipation: 230W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 781 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN011-60MSX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 61A Pulsed drain current: 244A Power dissipation: 91W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1299 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN012-100YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 60A Drain-source voltage: 100V Gate charge: 64nC On-state resistance: 35.8mΩ Power dissipation: 130W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN012-80PS,127 | NEXPERIA |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 52A Pulsed drain current: 295A Power dissipation: 148W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 166 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN013-100BS,118 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 68A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1394 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN013-30MLC,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Pulsed drain current: 157A Power dissipation: 38W Case: LFPAK33; SOT1210 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1412 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN013-30YLC,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 32A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 8.3nC On-state resistance: 27.2mΩ Power dissipation: 26W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN013-40VLDX | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A Pulsed drain current: 169A Power dissipation: 46W Case: LFPAK56D; SOT1205 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: NextPowerS3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN013-60YLX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 212A Drain current: 53A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 33.2nC On-state resistance: 12.1mΩ Power dissipation: 95W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 665 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| PMEG4010EJ,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC90,SOD323F; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SC90; SOD323F
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.64V
Max. forward impulse current: 9A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC90,SOD323F; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SC90; SOD323F
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.64V
Max. forward impulse current: 9A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.78 грн |
| 29+ | 10.83 грн |
| 40+ | 8.76 грн |
| PMEG4010EP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP5,SOD128; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: CFP5; SOD128
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.49V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP5,SOD128; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: CFP5; SOD128
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.49V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.14 грн |
| 21+ | 15.12 грн |
| 25+ | 12.99 грн |
| 100+ | 10.23 грн |
| 250+ | 9.15 грн |
| 500+ | 8.56 грн |
| 1000+ | 8.07 грн |
| PMEG4010ER,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP3,SOD123W; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: CFP3; SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.49V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP3,SOD123W; SMD; 40V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: CFP3; SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.49V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.31 грн |
| 17+ | 18.91 грн |
| 25+ | 15.25 грн |
| PMEG4030EP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP5,SOD128; SMD; 40V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: CFP5; SOD128
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.49V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP5,SOD128; SMD; 40V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: CFP5; SOD128
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.49V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.15 грн |
| 11+ | 29.23 грн |
| 25+ | 25.09 грн |
| 100+ | 21.06 грн |
| 250+ | 18.99 грн |
| 500+ | 17.61 грн |
| 1000+ | 16.73 грн |
| PMEG4030ER,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP3,SOD123W; SMD; 40V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: CFP3; SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.54V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP3,SOD123W; SMD; 40V; 3A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: CFP3; SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.54V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.85 грн |
| 15+ | 20.44 грн |
| 25+ | 16.34 грн |
| PMEG4050EP-QX |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP5,SOD128; SMD; 40V; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: CFP5; SOD128
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 600pF
Max. forward voltage: 0.49V
Leakage current: 0.3mA
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.1W
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP5,SOD128; SMD; 40V; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: CFP5; SOD128
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 600pF
Max. forward voltage: 0.49V
Leakage current: 0.3mA
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.1W
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 156.85 грн |
| 10+ | 103.93 грн |
| 100+ | 72.62 грн |
| PMEG4050EP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP5,SOD128; SMD; 40V; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: CFP5; SOD128
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.49V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP5,SOD128; SMD; 40V; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: CFP5; SOD128
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.49V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.68 грн |
| 10+ | 68.47 грн |
| 50+ | 51.86 грн |
| PMEG40T10ERX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP3,SOD123W; SMD; 40V; 1.4A; 11ns
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Case: CFP3; SOD123W
Max. forward voltage: 0.365V
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 4mA
Capacitance: 145pF
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 11ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP3,SOD123W; SMD; 40V; 1.4A; 11ns
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Case: CFP3; SOD123W
Max. forward voltage: 0.365V
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 4mA
Capacitance: 145pF
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 11ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.67 грн |
| 13+ | 23.61 грн |
| 50+ | 18.70 грн |
| PMEG40T20ERX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP3,SOD123W; SMD; 40V; 2A; 11.5ns
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: CFP3; SOD123W
Max. forward voltage: 0.515V
Max. forward impulse current: 20A
Capacitance: 350pF
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 11.5ns
Power dissipation: 1.15W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP3,SOD123W; SMD; 40V; 2A; 11.5ns
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: CFP3; SOD123W
Max. forward voltage: 0.515V
Max. forward impulse current: 20A
Capacitance: 350pF
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 11.5ns
Power dissipation: 1.15W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.45 грн |
| 12+ | 26.88 грн |
| 50+ | 18.99 грн |
| PMEG40T30EPX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP5,SOD128; SMD; 40V; 4.2A; 14ns
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: CFP5; SOD128
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 5.5mA
Capacitance: 240pF
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 14ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; CFP5,SOD128; SMD; 40V; 4.2A; 14ns
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: CFP5; SOD128
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 55A
Leakage current: 5.5mA
Capacitance: 240pF
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 14ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3321 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.12 грн |
| 10+ | 53.04 грн |
| 50+ | 37.59 грн |
| PMEG6010CEGWX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123; SMD; 60V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.66V
Max. forward impulse current: 9A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Capacitance: 68pF
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123; SMD; 60V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.66V
Max. forward impulse current: 9A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Capacitance: 68pF
Leakage current: 50µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3802 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.87 грн |
| 10+ | 34.85 грн |
| 50+ | 22.34 грн |
| PMEG6010EP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMEG6010EP.115 SMD Schottky diodes
PMEG6010EP.115 SMD Schottky diodes
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.48 грн |
| 150+ | 7.87 грн |
| 412+ | 7.38 грн |
| PMEG6020EP-QX |
Виробник: NEXPERIA
PMEG6020EP-QX SMD Schottky diodes
PMEG6020EP-QX SMD Schottky diodes
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.05 грн |
| 104+ | 11.22 грн |
| 286+ | 10.63 грн |
| PMEG6020EP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMEG6020EP.115 SMD Schottky diodes
PMEG6020EP.115 SMD Schottky diodes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.06 грн |
| 110+ | 10.73 грн |
| 301+ | 10.14 грн |
| PMEG6030EP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMEG6030EP.115 SMD Schottky diodes
PMEG6030EP.115 SMD Schottky diodes
на замовлення 3208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.33 грн |
| 74+ | 15.94 грн |
| 202+ | 15.06 грн |
| PMEG6030ETPX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMEG6030ETPX SMD Schottky diodes
PMEG6030ETPX SMD Schottky diodes
на замовлення 1662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.29 грн |
| 85+ | 13.78 грн |
| 233+ | 12.99 грн |
| PMEG6030EVPX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMEG6030EVPX SMD Schottky diodes
PMEG6030EVPX SMD Schottky diodes
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.86 грн |
| 64+ | 18.30 грн |
| 176+ | 17.32 грн |
| PMF170XP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMF170XP.115 SMD P channel transistors
PMF170XP.115 SMD P channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.06 грн |
| 292+ | 4.01 грн |
| 802+ | 3.79 грн |
| PMF63UNEX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMF63UNEX SMD N channel transistors
PMF63UNEX SMD N channel transistors
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.10 грн |
| 125+ | 9.35 грн |
| 343+ | 8.86 грн |
| PMGD280UN,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMGD280UN.115 Multi channel transistors
PMGD280UN.115 Multi channel transistors
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.14 грн |
| 118+ | 9.94 грн |
| 323+ | 9.45 грн |
| PMGD290UCEAX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 450/-320mA
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.99W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 380/850mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/1.14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 450/-320mA
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.99W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 380/850mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/1.14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 573 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.67 грн |
| 15+ | 21.15 грн |
| 25+ | 14.27 грн |
| 100+ | 10.73 грн |
| 250+ | 9.74 грн |
| 500+ | 8.96 грн |
| 1000+ | 8.56 грн |
| PMGD780SN,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMGD780SN.115 Multi channel transistors
PMGD780SN.115 Multi channel transistors
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.15 грн |
| 157+ | 7.48 грн |
| 430+ | 7.09 грн |
| PMMT491A,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 150MHz
Pulsed collector current: 2A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 300...900
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 150MHz
Pulsed collector current: 2A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.33 грн |
| 11+ | 28.72 грн |
| 50+ | 18.89 грн |
| PMMT591A,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMMT591A.215 PNP SMD transistors
PMMT591A.215 PNP SMD transistors
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.69 грн |
| 194+ | 6.00 грн |
| 531+ | 5.71 грн |
| PMP5201Y,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMP5201Y.115 PNP SMD transistors
PMP5201Y.115 PNP SMD transistors
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.87 грн |
| 76+ | 15.35 грн |
| 210+ | 14.56 грн |
| PMPB215ENEA/FX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMPB215ENEA/FX SMD N channel transistors
PMPB215ENEA/FX SMD N channel transistors
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.85 грн |
| 54+ | 21.85 грн |
| 147+ | 20.67 грн |
| PMSS3906,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 40V
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Type of transistor: PNP
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 40V
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.90 грн |
| 38+ | 8.18 грн |
| 58+ | 5.12 грн |
| 100+ | 3.99 грн |
| 250+ | 3.64 грн |
| 500+ | 3.38 грн |
| 1000+ | 3.21 грн |
| PMST2369,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMST2369.115 NPN SMD transistors
PMST2369.115 NPN SMD transistors
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.51 грн |
| 314+ | 3.73 грн |
| 861+ | 3.52 грн |
| PMST3904,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Case: SC70; SOT323
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: NPN
Case: SC70; SOT323
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.48 грн |
| 47+ | 6.54 грн |
| 67+ | 4.45 грн |
| 100+ | 3.12 грн |
| 250+ | 2.34 грн |
| 500+ | 2.16 грн |
| 1000+ | 1.99 грн |
| PMST5551,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMST5551.115 NPN SMD transistors
PMST5551.115 NPN SMD transistors
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 15.15 грн |
| 267+ | 4.39 грн |
| 733+ | 4.14 грн |
| PMV160UP,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV160UP.215 SMD P channel transistors
PMV160UP.215 SMD P channel transistors
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.22 грн |
| 16+ | 19.93 грн |
| 157+ | 7.48 грн |
| 430+ | 7.09 грн |
| PMV20ENR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV20ENR SMD N channel transistors
PMV20ENR SMD N channel transistors
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.91 грн |
| 50+ | 17.27 грн |
| 106+ | 11.02 грн |
| 292+ | 10.43 грн |
| PMV20XNER |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV20XNER SMD N channel transistors
PMV20XNER SMD N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 158.97 грн |
| 10+ | 30.66 грн |
| 77+ | 15.25 грн |
| 212+ | 14.37 грн |
| PMV213SN,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.20 грн |
| 10+ | 74.09 грн |
| 100+ | 57.08 грн |
| PMV32UP,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.73 грн |
| 12+ | 25.75 грн |
| 13+ | 22.73 грн |
| PMV40UN2R |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV40UN2R SMD N channel transistors
PMV40UN2R SMD N channel transistors
на замовлення 2619 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.52 грн |
| 10+ | 32.39 грн |
| 105+ | 11.12 грн |
| 289+ | 10.53 грн |
| PMV45EN2R |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV45EN2R SMD N channel transistors
PMV45EN2R SMD N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.65 грн |
| 50+ | 19.11 грн |
| 109+ | 10.73 грн |
| 300+ | 10.14 грн |
| PMV48XP,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV48XP.215 SMD P channel transistors
PMV48XP.215 SMD P channel transistors
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.33 грн |
| 50+ | 23.40 грн |
| 60+ | 19.48 грн |
| 165+ | 18.40 грн |
| PMV48XPAR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV48XPAR SMD P channel transistors
PMV48XPAR SMD P channel transistors
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.28 грн |
| 48+ | 24.40 грн |
| 132+ | 23.03 грн |
| PMV50XPR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV50XPR SMD P channel transistors
PMV50XPR SMD P channel transistors
на замовлення 721 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.92 грн |
| 71+ | 16.53 грн |
| 194+ | 15.65 грн |
| PMV55ENEAR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV55ENEAR SMD N channel transistors
PMV55ENEAR SMD N channel transistors
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.90 грн |
| 14+ | 22.38 грн |
| 84+ | 13.97 грн |
| 231+ | 13.19 грн |
| PMV65UNER |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV65UNER SMD N channel transistors
PMV65UNER SMD N channel transistors
на замовлення 13379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.16 грн |
| 25+ | 20.03 грн |
| 103+ | 11.42 грн |
| 283+ | 10.73 грн |
| PMV65XPEAR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV65XPEAR SMD P channel transistors
PMV65XPEAR SMD P channel transistors
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.92 грн |
| 50+ | 24.83 грн |
| 68+ | 17.22 грн |
| 187+ | 16.24 грн |
| PMV65XPER |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMV65XPER SMD P channel transistors
PMV65XPER SMD P channel transistors
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.11 грн |
| 50+ | 17.37 грн |
| 95+ | 12.30 грн |
| 261+ | 11.61 грн |
| PMV90ENER |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.79 грн |
| 13+ | 24.93 грн |
| 15+ | 20.57 грн |
| PMZ350UPEYL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.09 грн |
| 12+ | 25.75 грн |
| 15+ | 19.88 грн |
| PMZB290UNE2YL |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
на замовлення 4902 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.90 грн |
| 100+ | 12.77 грн |
| 172+ | 6.79 грн |
| 472+ | 6.49 грн |
| PNS40010ER,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.93V
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.93V
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.75 грн |
| 10+ | 35.66 грн |
| 25+ | 26.47 грн |
| PRTR5V0U4D,125 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6; Ch: 4
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.5V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: unidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6; Ch: 4
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.5V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: unidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.63 грн |
| 11+ | 29.23 грн |
| 25+ | 23.62 грн |
| 100+ | 20.86 грн |
| 250+ | 19.09 грн |
| 500+ | 18.21 грн |
| 1000+ | 17.42 грн |
| PSC1065KQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Leakage current: 120µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 42A
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Leakage current: 120µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 42A
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 270.24 грн |
| 3+ | 251.39 грн |
| PSMN004-60B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 714 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 246.93 грн |
| 5+ | 214.60 грн |
| PSMN009-100P,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 781 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 252.22 грн |
| 3+ | 224.82 грн |
| 10+ | 206.65 грн |
| PSMN011-60MSX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.07 грн |
| 10+ | 105.56 грн |
| 25+ | 86.79 грн |
| PSMN012-100YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 35.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 35.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.44 грн |
| 10+ | 119.56 грн |
| 25+ | 96.44 грн |
| 100+ | 86.60 грн |
| 250+ | 80.69 грн |
| 500+ | 76.76 грн |
| 1000+ | 68.88 грн |
| PSMN012-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.81 грн |
| PSMN013-100BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 255.40 грн |
| 5+ | 222.78 грн |
| 25+ | 198.78 грн |
| PSMN013-30MLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.65 грн |
| 10+ | 60.42 грн |
| PSMN013-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 27.2mΩ
Power dissipation: 26W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 27.2mΩ
Power dissipation: 26W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.93 грн |
| 10+ | 43.12 грн |
| 25+ | 37.69 грн |
| 100+ | 27.26 грн |
| 250+ | 24.60 грн |
| 500+ | 22.73 грн |
| 1000+ | 21.75 грн |
| PSMN013-40VLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 269.18 грн |
| 10+ | 170.66 грн |
| 100+ | 152.53 грн |
| PSMN013-60YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 212A
Drain current: 53A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 33.2nC
On-state resistance: 12.1mΩ
Power dissipation: 95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 212A
Drain current: 53A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 33.2nC
On-state resistance: 12.1mΩ
Power dissipation: 95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 665 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.71 грн |
| 10+ | 47.01 грн |
| 25+ | 40.35 грн |
| 100+ | 38.38 грн |
| 250+ | 36.41 грн |
| 500+ | 32.47 грн |






















