| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN009-100P,127 | NEXPERIA |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Power dissipation: 230W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 781 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN011-60MSX | NEXPERIA |
PSMN011-60MSX SMD N channel transistors |
на замовлення 1299 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PSMN012-100YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 60A Drain-source voltage: 100V Gate charge: 64nC On-state resistance: 35.8mΩ Power dissipation: 130W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN012-80PS,127 | NEXPERIA |
PSMN012-80PS.127 THT N channel transistors |
на замовлення 165 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PSMN013-30MLC,115 | NEXPERIA |
PSMN013-30MLC.115 SMD N channel transistors |
на замовлення 1394 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PSMN013-30YLC,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 32A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 8.3nC On-state resistance: 27.2mΩ Power dissipation: 26W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN013-40VLDX | NEXPERIA |
PSMN013-40VLDX Multi channel transistors |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PSMN013-60YLX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 212A Drain current: 53A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 33.2nC On-state resistance: 12.1mΩ Power dissipation: 95W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 665 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN015-60BS,118 | NEXPERIA |
PSMN015-60BS.118 SMD N channel transistors |
на замовлення 642 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PSMN015-60PS,127 | NEXPERIA |
PSMN015-60PS.127 THT N channel transistors |
на замовлення 234 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PSMN017-30PL,127 | NEXPERIA |
PSMN017-30PL.127 THT N channel transistors |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PSMN017-60YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 44A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 20nC On-state resistance: 36.1mΩ Power dissipation: 74W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1448 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN017-80PS,127 | NEXPERIA |
PSMN017-80PS.127 THT N channel transistors |
на замовлення 39 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PSMN018-80YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 45A Drain-source voltage: 80V Gate charge: 26nC On-state resistance: 43mΩ Power dissipation: 89W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN026-80YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 34A Drain-source voltage: 80V Gate charge: 20nC On-state resistance: 66mΩ Power dissipation: 74W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 805 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN030-60YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 116A Drain current: 29A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 13nC On-state resistance: 49.6mΩ Power dissipation: 56W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1476 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN034-100PS,127 | NEXPERIA |
PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PSMN038-100YLX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21.3A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 94.9W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 103.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 699 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN041-80YLX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 100A Drain current: 25A Drain-source voltage: 80V Gate charge: 21.9nC On-state resistance: 32.8mΩ Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 881 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN057-200P,127 | NEXPERIA |
PSMN057-200P.127 THT N channel transistors |
на замовлення 549 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PSMN0R9-25YLC,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 100A Drain-source voltage: 25V Gate charge: 110nC On-state resistance: 2.125mΩ Power dissipation: 272W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1075 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN0R9-30YLDX | NEXPERIA |
PSMN0R9-30YLDX SMD N channel transistors |
на замовлення 1355 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PSMN1R0-30YLC,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 272W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 339 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN1R1-30PL,127 | NEXPERIA |
PSMN1R1-30PL.127 THT N channel transistors |
на замовлення 38 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PSMN1R2-25YLC,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 1133A Drain current: 100A Drain-source voltage: 25V Gate charge: 66nC On-state resistance: 1.35mΩ Power dissipation: 179W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1407 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN1R7-60BS,118 | NEXPERIA |
PSMN1R7-60BS.118 SMD N channel transistors |
на замовлення 772 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PSMN2R0-30PL,127 | NEXPERIA |
PSMN2R0-30PL.127 THT N channel transistors |
на замовлення 44 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PSMN2R0-30YLE,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 1015A Power dissipation: 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN2R2-30YLC,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 100A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 55nC On-state resistance: 4.6mΩ Power dissipation: 141W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 136 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN3R0-60PS,127 | NEXPERIA |
PSMN3R0-60PS.127 THT N channel transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PSMN3R5-30YL,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 447A Drain current: 100A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 19nC On-state resistance: 3.37mΩ Power dissipation: 74W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1063 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN3R9-60PSQ | NEXPERIA |
PSMN3R9-60PSQ THT N channel transistors |
на замовлення 67 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PSMN4R0-30YLDX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 378A Drain current: 95A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 9.1nC On-state resistance: 4.4mΩ Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 662 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN4R0-40YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 472A Drain current: 83A Drain-source voltage: 40V Gate charge: 38nC On-state resistance: 8mΩ Power dissipation: 106W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN4R1-60YLX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 593A Power dissipation: 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN4R2-30MLDX | NEXPERIA |
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors |
на замовлення 1464 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PSMN4R2-80YSEX | NEXPERIA |
PSMN4R2-80YSEX SMD N channel transistors |
на замовлення 1496 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PSMN4R4-80BS,118 | NEXPERIA |
PSMN4R4-80BS.118 SMD N channel transistors |
на замовлення 531 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PSMN4R6-60BS,118 | NEXPERIA |
PSMN4R6-60BS.118 SMD N channel transistors |
на замовлення 715 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PSMN5R5-60YS,115 | NEXPERIA |
PSMN5R5-60YS.115 SMD N channel transistors |
на замовлення 1195 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PSMN6R5-80PS,127 | NEXPERIA |
PSMN6R5-80PS.127 THT N channel transistors |
на замовлення 31 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PSMN7R0-30YL,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; Idm: 260A; 51W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 260A Drain current: 76A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 10nC On-state resistance: 6.97mΩ Power dissipation: 51W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 285 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PSMN7R0-30YLC,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 245A Drain current: 61A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 7.9nC On-state resistance: 7.6mΩ Power dissipation: 48W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1406 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN7R0-60YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain current: 63A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 45nC On-state resistance: 14.7mΩ Power dissipation: 117W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1424 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN7R5-60YLX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 346A Drain current: 61A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 60.6nC On-state resistance: 19.7mΩ Power dissipation: 147W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN8R0-40PS,127 | NEXPERIA |
PSMN8R0-40PS.127 THT N channel transistors |
на замовлення 75 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PSMN8R2-80YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 326A Drain current: 82A Drain-source voltage: 80V Gate charge: 55nC On-state resistance: 5.8mΩ Power dissipation: 130W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1112 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN8R5-60YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 76A Pulsed drain current: 303A Power dissipation: 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN8R7-80PS,127 | NEXPERIA |
PSMN8R7-80PS.127 THT N channel transistors |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PSSI2021SAY,115 | NEXPERIA |
PSSI2021SAY.115 Voltage regulators - PWM circuits |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS10VP1UP,115 | NEXPERIA |
PTVS10VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 61 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS11VP1UP,115 | NEXPERIA |
PTVS11VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 633 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS11VS1UR,115 | NEXPERIA |
PTVS11VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 539 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS12VP1UP,115 | NEXPERIA |
PTVS12VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 656 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS12VS1UR,115 | NEXPERIA |
PTVS12VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 545 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS13VP1UP,115 | NEXPERIA |
PTVS13VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS13VS1UR,115 | NEXPERIA |
PTVS13VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 155 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS15VS1UR,115 | NEXPERIA |
PTVS15VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 4631 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS15VS1UTR,115 | NEXPERIA |
PTVS15VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 1239 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PTVS16VP1UP,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 18.75V; 23.1A; unidirectional; SOD128F; max.150°C Mounting: SMD Case: SOD128F Type of diode: TVS Semiconductor structure: unidirectional Operating temperature: max. 150°C Leakage current: 1nA Max. forward impulse current: 23.1A Max. off-state voltage: 16V Breakdown voltage: 18.75V Peak pulse power dissipation: 0.6kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1726 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| PSMN009-100P,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 781 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 254.02 грн |
| 3+ | 226.42 грн |
| 10+ | 208.12 грн |
| PSMN011-60MSX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN011-60MSX SMD N channel transistors
PSMN011-60MSX SMD N channel transistors
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.64 грн |
| 26+ | 47.08 грн |
| 69+ | 44.50 грн |
| PSMN012-100YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 35.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 35.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.63 грн |
| 10+ | 120.41 грн |
| 25+ | 97.12 грн |
| 100+ | 87.21 грн |
| 250+ | 81.27 грн |
| 500+ | 77.30 грн |
| 1000+ | 69.37 грн |
| PSMN012-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN012-80PS.127 THT N channel transistors
PSMN012-80PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 165 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.95 грн |
| 13+ | 95.14 грн |
| 35+ | 90.19 грн |
| PSMN013-30MLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN013-30MLC.115 SMD N channel transistors
PSMN013-30MLC.115 SMD N channel transistors
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.13 грн |
| 66+ | 18.14 грн |
| 180+ | 17.15 грн |
| PSMN013-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 27.2mΩ
Power dissipation: 26W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 27.2mΩ
Power dissipation: 26W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.30 грн |
| 10+ | 43.43 грн |
| 25+ | 37.96 грн |
| 100+ | 27.45 грн |
| 250+ | 24.78 грн |
| 500+ | 22.89 грн |
| 1000+ | 21.90 грн |
| PSMN013-40VLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN013-40VLDX Multi channel transistors
PSMN013-40VLDX Multi channel transistors
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.80 грн |
| 26+ | 46.58 грн |
| 70+ | 44.60 грн |
| PSMN013-60YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 212A
Drain current: 53A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 33.2nC
On-state resistance: 12.1mΩ
Power dissipation: 95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 212A
Drain current: 53A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 33.2nC
On-state resistance: 12.1mΩ
Power dissipation: 95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 665 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.17 грн |
| 10+ | 47.34 грн |
| 25+ | 40.63 грн |
| 100+ | 38.65 грн |
| 250+ | 36.67 грн |
| 500+ | 32.70 грн |
| PSMN015-60BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN015-60BS.118 SMD N channel transistors
PSMN015-60BS.118 SMD N channel transistors
на замовлення 642 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.35 грн |
| 17+ | 71.36 грн |
| 46+ | 67.39 грн |
| PSMN015-60PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN015-60PS.127 THT N channel transistors
PSMN015-60PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 234 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 265.76 грн |
| 9+ | 145.69 грн |
| 23+ | 137.76 грн |
| PSMN017-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN017-30PL.127 THT N channel transistors
PSMN017-30PL.127 THT N channel transistors
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.40 грн |
| 10+ | 90.57 грн |
| 35+ | 90.19 грн |
| PSMN017-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 36.1mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 36.1mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.58 грн |
| 10+ | 59.28 грн |
| 25+ | 46.38 грн |
| 100+ | 41.33 грн |
| 250+ | 38.25 грн |
| 500+ | 36.57 грн |
| 1000+ | 32.90 грн |
| PSMN017-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN017-80PS.127 THT N channel transistors
PSMN017-80PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.68 грн |
| 10+ | 104.98 грн |
| 31+ | 100.10 грн |
| PSMN018-80YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 117.40 грн |
| 10+ | 94.68 грн |
| 25+ | 81.27 грн |
| 100+ | 68.38 грн |
| 250+ | 61.45 грн |
| 500+ | 54.51 грн |
| 1000+ | 48.56 грн |
| PSMN026-80YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 66mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 66mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 805 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.23 грн |
| 10+ | 42.81 грн |
| 25+ | 38.25 грн |
| 100+ | 36.47 грн |
| 250+ | 32.70 грн |
| 500+ | 32.21 грн |
| PSMN030-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 116A
Drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 49.6mΩ
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 116A
Drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 49.6mΩ
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.23 грн |
| 10+ | 37.15 грн |
| 25+ | 32.21 грн |
| 100+ | 29.73 грн |
| 250+ | 28.44 грн |
| 500+ | 25.57 грн |
| 1000+ | 25.17 грн |
| PSMN034-100PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.09 грн |
| 16+ | 75.32 грн |
| 43+ | 71.36 грн |
| PSMN038-100YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 699 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.85 грн |
| 10+ | 55.27 грн |
| 25+ | 48.17 грн |
| 100+ | 44.60 грн |
| 250+ | 42.52 грн |
| 500+ | 38.16 грн |
| 1000+ | 37.76 грн |
| PSMN041-80YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 21.9nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 21.9nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 881 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.10 грн |
| 10+ | 42.81 грн |
| 25+ | 35.28 грн |
| 100+ | 31.81 грн |
| 250+ | 29.43 грн |
| 500+ | 28.05 грн |
| 1000+ | 25.27 грн |
| PSMN057-200P,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN057-200P.127 THT N channel transistors
PSMN057-200P.127 THT N channel transistors
на замовлення 549 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 282.83 грн |
| 6+ | 224.97 грн |
| 10+ | 217.16 грн |
| 15+ | 213.08 грн |
| PSMN0R9-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.125mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.125mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.24 грн |
| 10+ | 154.38 грн |
| 25+ | 124.87 грн |
| 100+ | 112.98 грн |
| 250+ | 104.06 грн |
| 500+ | 99.11 грн |
| 1000+ | 89.20 грн |
| PSMN0R9-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN0R9-30YLDX SMD N channel transistors
PSMN0R9-30YLDX SMD N channel transistors
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.93 грн |
| 7+ | 168.48 грн |
| 20+ | 159.56 грн |
| PSMN1R0-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.97 грн |
| 10+ | 139.97 грн |
| 25+ | 121.90 грн |
| 100+ | 112.98 грн |
| 250+ | 108.03 грн |
| 500+ | 97.12 грн |
| 1000+ | 95.14 грн |
| PSMN1R1-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R1-30PL.127 THT N channel transistors
PSMN1R1-30PL.127 THT N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 440.79 грн |
| 4+ | 348.85 грн |
| 10+ | 329.03 грн |
| PSMN1R2-25YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1133A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Power dissipation: 179W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1133A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Power dissipation: 179W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.19 грн |
| 10+ | 75.13 грн |
| 25+ | 62.44 грн |
| 100+ | 59.46 грн |
| 250+ | 54.51 грн |
| 500+ | 52.53 грн |
| 1000+ | 47.57 грн |
| PSMN1R7-60BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R7-60BS.118 SMD N channel transistors
PSMN1R7-60BS.118 SMD N channel transistors
на замовлення 772 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 354.34 грн |
| 6+ | 205.15 грн |
| 16+ | 194.25 грн |
| PSMN2R0-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN2R0-30PL.127 THT N channel transistors
PSMN2R0-30PL.127 THT N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.94 грн |
| 7+ | 171.45 грн |
| 19+ | 162.53 грн |
| PSMN2R0-30YLE,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.81 грн |
| 10+ | 108.06 грн |
| 25+ | 96.13 грн |
| 100+ | 91.18 грн |
| 250+ | 83.25 грн |
| 500+ | 81.27 грн |
| PSMN2R2-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 164.36 грн |
| 10+ | 126.59 грн |
| 25+ | 91.18 грн |
| 100+ | 83.25 грн |
| 250+ | 76.31 грн |
| 500+ | 73.34 грн |
| 1000+ | 65.41 грн |
| PSMN3R0-60PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R0-60PS.127 THT N channel transistors
PSMN3R0-60PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 370.35 грн |
| 4+ | 307.23 грн |
| 10+ | 292.29 грн |
| 11+ | 290.38 грн |
| PSMN3R5-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 447A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 447A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.04 грн |
| 10+ | 133.79 грн |
| 25+ | 97.12 грн |
| 100+ | 87.21 грн |
| 250+ | 81.27 грн |
| 500+ | 77.30 грн |
| 1000+ | 69.37 грн |
| PSMN3R9-60PSQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN3R9-60PSQ THT N channel transistors
PSMN3R9-60PSQ THT N channel transistors
на замовлення 67 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 282.83 грн |
| 6+ | 219.02 грн |
| 10+ | 217.16 грн |
| 15+ | 207.13 грн |
| PSMN4R0-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 662 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.36 грн |
| 10+ | 32.32 грн |
| 25+ | 28.94 грн |
| 100+ | 27.55 грн |
| 250+ | 24.78 грн |
| 500+ | 24.38 грн |
| PSMN4R0-40YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 320.19 грн |
| PSMN4R1-60YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.41 грн |
| 10+ | 107.03 грн |
| 25+ | 92.17 грн |
| 100+ | 85.23 грн |
| 250+ | 82.26 грн |
| 500+ | 73.34 грн |
| 1000+ | 72.35 грн |
| PSMN4R2-30MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 63.40 грн |
| 35+ | 34.69 грн |
| 94+ | 32.80 грн |
| PSMN4R2-80YSEX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R2-80YSEX SMD N channel transistors
PSMN4R2-80YSEX SMD N channel transistors
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 330.86 грн |
| 8+ | 152.62 грн |
| 22+ | 144.69 грн |
| PSMN4R4-80BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R4-80BS.118 SMD N channel transistors
PSMN4R4-80BS.118 SMD N channel transistors
на замовлення 531 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 297.78 грн |
| 6+ | 228.93 грн |
| 15+ | 216.05 грн |
| PSMN4R6-60BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R6-60BS.118 SMD N channel transistors
PSMN4R6-60BS.118 SMD N channel transistors
на замовлення 715 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 247.61 грн |
| 11+ | 117.94 грн |
| 28+ | 111.00 грн |
| PSMN5R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN5R5-60YS.115 SMD N channel transistors
PSMN5R5-60YS.115 SMD N channel transistors
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 217.73 грн |
| 10+ | 119.92 грн |
| 28+ | 112.98 грн |
| PSMN6R5-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R5-80PS.127 THT N channel transistors
PSMN6R5-80PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 313.78 грн |
| 6+ | 199.20 грн |
| 17+ | 188.30 грн |
| PSMN7R0-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; Idm: 260A; 51W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 260A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 6.97mΩ
Power dissipation: 51W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; Idm: 260A; 51W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 260A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 6.97mΩ
Power dissipation: 51W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.77 грн |
| 10+ | 41.27 грн |
| 25+ | 32.21 грн |
| 100+ | 29.73 грн |
| 250+ | 28.44 грн |
| 500+ | 25.57 грн |
| 1000+ | 25.17 грн |
| PSMN7R0-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 245A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 7.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 48W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 245A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 7.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 48W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.10 грн |
| 10+ | 46.83 грн |
| 25+ | 40.53 грн |
| 100+ | 37.56 грн |
| 250+ | 35.88 грн |
| 500+ | 32.21 грн |
| 1000+ | 31.81 грн |
| PSMN7R0-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 63A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Power dissipation: 117W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 63A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Power dissipation: 117W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 163.30 грн |
| 10+ | 117.33 грн |
| 25+ | 102.08 грн |
| 100+ | 95.14 грн |
| 250+ | 91.18 грн |
| 500+ | 81.27 грн |
| 1000+ | 77.30 грн |
| PSMN7R5-60YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 346A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 60.6nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 346A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 60.6nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.66 грн |
| 10+ | 86.45 грн |
| 25+ | 74.33 грн |
| 100+ | 69.37 грн |
| 250+ | 65.41 грн |
| 500+ | 59.46 грн |
| 1000+ | 58.47 грн |
| PSMN8R0-40PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R0-40PS.127 THT N channel transistors
PSMN8R0-40PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.19 грн |
| 16+ | 77.30 грн |
| 42+ | 73.34 грн |
| PSMN8R2-80YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 326A
Drain current: 82A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 326A
Drain current: 82A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.75 грн |
| 10+ | 120.41 грн |
| 25+ | 97.12 грн |
| 100+ | 87.21 грн |
| 250+ | 81.27 грн |
| 500+ | 77.30 грн |
| 1000+ | 69.37 грн |
| PSMN8R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.99 грн |
| 10+ | 82.33 грн |
| 25+ | 73.34 грн |
| 100+ | 69.37 грн |
| 250+ | 62.44 грн |
| 500+ | 59.46 грн |
| PSMN8R7-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R7-80PS.127 THT N channel transistors
PSMN8R7-80PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.61 грн |
| 10+ | 114.24 грн |
| 12+ | 107.03 грн |
| 31+ | 101.09 грн |
| PSSI2021SAY,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSSI2021SAY.115 Voltage regulators - PWM circuits
PSSI2021SAY.115 Voltage regulators - PWM circuits
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.14 грн |
| 77+ | 15.46 грн |
| 210+ | 14.67 грн |
| PTVS10VP1UP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS10VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS10VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 61 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.02 грн |
| 78+ | 15.16 грн |
| 214+ | 14.37 грн |
| PTVS11VP1UP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS11VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS11VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 633 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.60 грн |
| 77+ | 15.36 грн |
| 212+ | 14.57 грн |
| PTVS11VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS11VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS11VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 539 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.91 грн |
| 103+ | 11.50 грн |
| 282+ | 10.90 грн |
| PTVS12VP1UP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS12VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS12VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 656 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.20 грн |
| 70+ | 16.95 грн |
| 192+ | 16.06 грн |
| PTVS12VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS12VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS12VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 545 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 24.55 грн |
| 113+ | 10.51 грн |
| 310+ | 9.91 грн |
| PTVS13VP1UP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS13VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS13VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.66 грн |
| 78+ | 15.16 грн |
| 214+ | 14.37 грн |
| PTVS13VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS13VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS13VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 155 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.99 грн |
| 113+ | 10.51 грн |
| 310+ | 9.91 грн |
| PTVS15VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS15VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS15VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4631 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.62 грн |
| 113+ | 10.51 грн |
| 310+ | 9.91 грн |
| PTVS15VS1UTR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS15VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS15VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.28 грн |
| 113+ | 10.51 грн |
| 310+ | 9.91 грн |
| PTVS16VP1UP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 18.75V; 23.1A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Mounting: SMD
Case: SOD128F
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Operating temperature: max. 150°C
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 23.1A
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 18.75V; 23.1A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Mounting: SMD
Case: SOD128F
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Operating temperature: max. 150°C
Leakage current: 1nA
Max. forward impulse current: 23.1A
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.62 грн |
| 10+ | 30.98 грн |
| 25+ | 18.83 грн |
| 100+ | 17.05 грн |
| 250+ | 15.76 грн |
| 500+ | 15.06 грн |
| 1000+ | 13.78 грн |


















