Продукція > NTE ELECTRONICS, INC > Всі товари виробника NTE ELECTRONICS, INC (8277) > Сторінка 80 з 138
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RLY240 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE5318 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: 4-ESIP Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: 4-SIP Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 4 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 1272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE224 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 18316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE2367 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 1889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2355 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2356 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE229 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 28dB Power - Max: 425mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 500MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 45MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2313 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE2340 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: 3-SIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 8mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 4A, 3V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: 3-SIP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2327 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE2361 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE2345 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: SOT-82 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V Supplier Device Package: SOT-82 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 60 W |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2342 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2374 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE2341 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2382 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
на замовлення 659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2335 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE2339 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 30 W |
на замовлення 514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE235 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 4511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE2380 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 1578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE2378 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2373 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE214 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE2371 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2318 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE2392 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
на замовлення 877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2369 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-92S Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2359 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2362 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE233 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE2370 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: TO-92S Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2357 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-92S Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE227 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
504-0021 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
504-0024 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
504-0023 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
504-0022 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
504-0025 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Color: Natural Material: Aluminum Shaft Size: 0.250" (6.35mm) Diameter: 0.925" (23.50mm) Style: Cylindrical with Skirt Type: Knurled, Straight Height: 0.625" (15.88mm) Indicator: Arrow on Skirt Part Status: Active |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
504-0028 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
504-0027 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
GI754 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
MRRC370V50 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE5006SM | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE5313 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 1917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
EW491 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 6556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE5530 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
MLR474K100 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
R02-11D10-24 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE5146A | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
76-NIPD16 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Gender: Female and Male Contact Finish: Electro-Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Non-Mating End Insulated Terminal Type: Stacked Length - Overall: 0.866" (22.00mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.250" (6.35mm) Tab Length: 0.315" (8.00mm) Contact Material: Brass Part Status: Active |
на замовлення 3120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
76-IPD12 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Gender: Female and Male Contact Finish: Electro-Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Non-Mating End Insulated Terminal Type: Stacked Length - Overall: 0.925" (23.50mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.250" (6.35mm) Tab Length: 0.315" (8.00mm) Contact Material: Brass Part Status: Active |
на замовлення 656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SMC1206J102 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
R12-17D3-24P | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bulk Coil Voltage: 24VDC Operating Temperature: -30°C ~ 55°C Termination Style: PC Pin Relay Type: General Purpose Contact Form: 4PDT (4 Form C) Contact Rating (Current): 5 A Operate Time: 25 ms Release Time: 25 ms Part Status: Active |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
47-20848-OR | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE1967 | NTE Electronics, Inc |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-220-3 Output Type: Fixed Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -30°C ~ 75°C (TA) Output Configuration: Negative Current - Quiescent (Iq): 6 mA Number of Regulators: 1 Supplier Device Package: TO-220 Voltage - Output (Min/Fixed): -9V Part Status: Active PSRR: 72dB (120Hz) Protection Features: Over Current, Over Temperature |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE121 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
5WD33 | NTE Electronics, Inc |
![]() Power (Watts): 5W Tolerance: ±5% Packaging: Bag Package / Case: Axial Temperature Coefficient: ±300ppm/°C Size / Dimension: 0.380" Square x 0.866" L (9.65mm x 22.00mm) Composition: Wirewound Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: Axial Part Status: Active Resistance: 330 mOhms |
на замовлення 1881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
QW230 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 5299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
EW233 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 3212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
QW239 | NTE Electronics, Inc |
![]() |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
RLY240 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: RELAY-CUBE TIMER AC/DC
Description: RELAY-CUBE TIMER AC/DC
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE5318 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: R-SI BRIDGE 200V 4A
Packaging: Bag
Package / Case: 4-ESIP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: R-SI BRIDGE 200V 4A
Packaging: Bag
Package / Case: 4-ESIP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 179.31 грн |
10+ | 163.70 грн |
20+ | 155.48 грн |
50+ | 137.49 грн |
100+ | 134.69 грн |
NTE224 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: RF TRANS NPN 60V 300MHZ TO39
Description: RF TRANS NPN 60V 300MHZ TO39
на замовлення 18316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE2367 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: T-NPN SI DIGITAL 4.7K
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Description: T-NPN SI DIGITAL 4.7K
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 52.78 грн |
20+ | 48.29 грн |
30+ | 45.75 грн |
40+ | 40.55 грн |
50+ | 39.56 грн |
NTE2355 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: T-NPN SI W/10K RESISTOR
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Description: T-NPN SI W/10K RESISTOR
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 69.09 грн |
20+ | 63.16 грн |
30+ | 59.87 грн |
40+ | 53.03 грн |
50+ | 51.77 грн |
NTE2356 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: T-PNP SI W/10K RESISTOR
Description: T-PNP SI W/10K RESISTOR
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE229 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: RF TRANS NPN 30V 500MHZ TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 28dB
Power - Max: 425mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 45MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 30V 500MHZ TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 28dB
Power - Max: 425mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 500MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 45MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 145.94 грн |
10+ | 133.80 грн |
20+ | 126.33 грн |
50+ | 112.24 грн |
100+ | 109.43 грн |
NTE2313 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 450V 2A TO220
Description: TRANS NPN 450V 2A TO220
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE2340 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN DARL 60V 8A 3SIP
Packaging: Bag
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 8mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 4A, 3V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: 3-SIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Description: TRANS NPN DARL 60V 8A 3SIP
Packaging: Bag
Package / Case: 3-SIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 8mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 4A, 3V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: 3-SIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 200.27 грн |
10+ | 183.14 грн |
20+ | 173.42 грн |
50+ | 153.63 грн |
100+ | 150.12 грн |
NTE2327 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 450V 500MA TO126
Description: TRANS NPN 450V 500MA TO126
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE2361 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 50V 500MA TO92S
Description: TRANS NPN 50V 500MA TO92S
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE2345 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN DARL 120V 6A SOT82
Packaging: Bag
Package / Case: SOT-82
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: SOT-82
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 60 W
Description: TRANS NPN DARL 120V 6A SOT82
Packaging: Bag
Package / Case: SOT-82
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: SOT-82
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 278.67 грн |
10+ | 254.90 грн |
20+ | 241.44 грн |
50+ | 213.96 грн |
100+ | 209.05 грн |
NTE2342 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS PNP DARL 80V 1A TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS PNP DARL 80V 1A TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 290.32 грн |
10+ | 265.36 грн |
20+ | 251.91 грн |
50+ | 223.08 грн |
100+ | 217.46 грн |
NTE2374 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET N-CHANNEL 200V 18A TO220
Description: MOSFET N-CHANNEL 200V 18A TO220
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE2341 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 340.77 грн |
10+ | 311.71 грн |
20+ | 295.26 грн |
50+ | 261.66 грн |
100+ | 255.35 грн |
NTE2382 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 9.2A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 9.2A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 371.82 грн |
10+ | 340.11 грн |
20+ | 322.17 грн |
50+ | 285.51 грн |
100+ | 279.20 грн |
NTE2335 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 60V 5A TO3P
Description: TRANS NPN 60V 5A TO3P
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE2339 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 800V 3A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 30 W
Description: TRANS NPN 800V 3A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 457.99 грн |
10+ | 419.35 грн |
20+ | 396.92 грн |
50+ | 352.15 грн |
100+ | 343.74 грн |
NTE235 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: RF TRANS NPN 75V 150MHZ TO220
Description: RF TRANS NPN 75V 150MHZ TO220
на замовлення 4511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE2380 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 2.5A TO220
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 2.5A TO220
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE2378 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET N-CHANNEL 900V 5A TO3P
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 900V 5A TO3P
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 541.82 грн |
10+ | 495.59 грн |
20+ | 469.43 грн |
50+ | 415.99 грн |
100+ | 406.17 грн |
NTE2373 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET P-CHANNEL 200V 11A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CHANNEL 200V 11A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 555.02 грн |
10+ | 507.55 грн |
20+ | 481.39 грн |
50+ | 426.51 грн |
100+ | 415.99 грн |
NTE214 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 60V 10A TO3P
Description: TRANS NPN 60V 10A TO3P
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE2371 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET P-CHANNEL 100V 19A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CHANNEL 100V 19A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 625.66 грн |
10+ | 572.58 грн |
20+ | 541.94 грн |
50+ | 480.53 грн |
100+ | 469.30 грн |
NTE2318 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 700V 8A TO218
Description: TRANS NPN 700V 8A TO218
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE2392 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 40A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 40A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2543.00 грн |
10+ | 2326.22 грн |
20+ | 2203.63 грн |
50+ | 1953.68 грн |
100+ | 1907.38 грн |
NTE2369 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: T-NPN SI DIGITAL 4.7K/47K
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Description: T-NPN SI DIGITAL 4.7K/47K
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 45.02 грн |
20+ | 41.19 грн |
30+ | 39.02 грн |
40+ | 34.58 грн |
50+ | 33.74 грн |
NTE2359 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: T-NPN SI W/47K RESISTOR
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Description: T-NPN SI W/47K RESISTOR
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 70.64 грн |
20+ | 64.58 грн |
30+ | 61.22 грн |
40+ | 54.23 грн |
50+ | 52.96 грн |
NTE2362 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS PNP 50V 500MA TO92S
Description: TRANS PNP 50V 500MA TO92S
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE233 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 30V 100MA TO92
Description: TRANS NPN 30V 100MA TO92
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE2370 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: T-PNP SI DIGITAL 4.7K/47K
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Description: T-PNP SI DIGITAL 4.7K/47K
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.61 грн |
10+ | 77.74 грн |
20+ | 73.26 грн |
50+ | 65.24 грн |
100+ | 63.14 грн |
NTE2357 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: T-NPN SI W/22K RESISTOR
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Description: T-NPN SI W/22K RESISTOR
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92S
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 97.81 грн |
10+ | 89.70 грн |
20+ | 84.47 грн |
50+ | 75.06 грн |
100+ | 73.66 грн |
NTE227 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 300V 100MA TO237
Description: TRANS NPN 300V 100MA TO237
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
504-0021 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: DDS-75-2-6 KNOB .750X.125
Description: DDS-75-2-6 KNOB .750X.125
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
504-0024 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: DDS-75-4-6 KNOB .750X.125
Description: DDS-75-4-6 KNOB .750X.125
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
504-0023 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: DDS-75-4-5 KNOB .750X.250
Description: DDS-75-4-5 KNOB .750X.250
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
504-0022 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: DDS-75-3-6 KNOB .750X.125
Description: DDS-75-3-6 KNOB .750X.125
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
504-0025 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: DDS-90-1-5 KNOB .925X.250
Packaging: Bag
Color: Natural
Material: Aluminum
Shaft Size: 0.250" (6.35mm)
Diameter: 0.925" (23.50mm)
Style: Cylindrical with Skirt
Type: Knurled, Straight
Height: 0.625" (15.88mm)
Indicator: Arrow on Skirt
Part Status: Active
Description: DDS-90-1-5 KNOB .925X.250
Packaging: Bag
Color: Natural
Material: Aluminum
Shaft Size: 0.250" (6.35mm)
Diameter: 0.925" (23.50mm)
Style: Cylindrical with Skirt
Type: Knurled, Straight
Height: 0.625" (15.88mm)
Indicator: Arrow on Skirt
Part Status: Active
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1118.58 грн |
10+ | 1023.33 грн |
20+ | 1001.65 грн |
504-0028 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: DDS-90-4-6 KNOB .925X.125
Description: DDS-90-4-6 KNOB .925X.125
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
504-0027 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: DDS-90-4-5 KNOB .925X.250
Description: DDS-90-4-5 KNOB .925X.250
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
GI754 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: R- 400 PRV 6A
Description: R- 400 PRV 6A
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
MRRC370V50 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: CAP FILM 50UF 6% 370VAC RADIAL
Description: CAP FILM 50UF 6% 370VAC RADIAL
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE5006SM |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: DIODE ZENER 3.6V 300 MV SOT23
Description: DIODE ZENER 3.6V 300 MV SOT23
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE5313 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: R-SI BRIDGE 200V 8A
Description: R-SI BRIDGE 200V 8A
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
EW491 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: 1/8W 910K OHM 2%
Description: 1/8W 910K OHM 2%
на замовлення 6556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE5530 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: SCR 700V 25A TO48
Description: SCR 700V 25A TO48
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
MLR474K100 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: CAP FILM 0.47UF 10% 100VDC RAD
Description: CAP FILM 0.47UF 10% 100VDC RAD
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
R02-11D10-24 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: RELAY-10AMP-DC 24V
Description: RELAY-10AMP-DC 24V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE5146A |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: DIODE ZENER 47V 5W DO35
Description: DIODE ZENER 47V 5W DO35
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
76-NIPD16 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: NYLON INS PIGGYBACK DISC
Packaging: Bag
Gender: Female and Male
Contact Finish: Electro-Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Stacked
Length - Overall: 0.866" (22.00mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Tab Length: 0.315" (8.00mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
Description: NYLON INS PIGGYBACK DISC
Packaging: Bag
Gender: Female and Male
Contact Finish: Electro-Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Stacked
Length - Overall: 0.866" (22.00mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Tab Length: 0.315" (8.00mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 3120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 12.42 грн |
100+ | 11.36 грн |
150+ | 10.76 грн |
200+ | 9.54 грн |
250+ | 9.26 грн |
76-IPD12 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: PVC INS PIGGYBACK DISCONN
Packaging: Bag
Gender: Female and Male
Contact Finish: Electro-Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Stacked
Length - Overall: 0.925" (23.50mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Tab Length: 0.315" (8.00mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
Description: PVC INS PIGGYBACK DISCONN
Packaging: Bag
Gender: Female and Male
Contact Finish: Electro-Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Stacked
Length - Overall: 0.925" (23.50mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Tab Length: 0.315" (8.00mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 12.42 грн |
100+ | 11.36 грн |
150+ | 10.76 грн |
200+ | 9.54 грн |
250+ | 9.26 грн |
SMC1206J102 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: CAP CER 1000PF 50V C0G/NP0 1206
Description: CAP CER 1000PF 50V C0G/NP0 1206
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
R12-17D3-24P |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 24V
Packaging: Bulk
Coil Voltage: 24VDC
Operating Temperature: -30°C ~ 55°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Contact Form: 4PDT (4 Form C)
Contact Rating (Current): 5 A
Operate Time: 25 ms
Release Time: 25 ms
Part Status: Active
Description: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 24V
Packaging: Bulk
Coil Voltage: 24VDC
Operating Temperature: -30°C ~ 55°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Contact Form: 4PDT (4 Form C)
Contact Rating (Current): 5 A
Operate Time: 25 ms
Release Time: 25 ms
Part Status: Active
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 739.77 грн |
10+ | 676.49 грн |
20+ | 641.36 грн |
50+ | 568.22 грн |
47-20848-OR |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: H/S 1/2IN 48IN ORNG THIN
Description: H/S 1/2IN 48IN ORNG THIN
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE1967 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: IC REG LINEAR -9V TO220 FULL PAC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -30°C ~ 75°C (TA)
Output Configuration: Negative
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): -9V
Part Status: Active
PSRR: 72dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Description: IC REG LINEAR -9V TO220 FULL PAC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Output Type: Fixed
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -30°C ~ 75°C (TA)
Output Configuration: Negative
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-220
Voltage - Output (Min/Fixed): -9V
Part Status: Active
PSRR: 72dB (120Hz)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 314.38 грн |
10+ | 287.79 грн |
20+ | 272.84 грн |
50+ | 241.32 грн |
100+ | 235.70 грн |
NTE121 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS PNP 45V 10A TO3
Description: TRANS PNP 45V 10A TO3
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
5WD33 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: RES 0.33 OHM 5% 5W AXIAL
Power (Watts): 5W
Tolerance: ±5%
Packaging: Bag
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.380" Square x 0.866" L (9.65mm x 22.00mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 330 mOhms
Description: RES 0.33 OHM 5% 5W AXIAL
Power (Watts): 5W
Tolerance: ±5%
Packaging: Bag
Package / Case: Axial
Temperature Coefficient: ±300ppm/°C
Size / Dimension: 0.380" Square x 0.866" L (9.65mm x 22.00mm)
Composition: Wirewound
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Active
Resistance: 330 mOhms
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 43.47 грн |
20+ | 39.77 грн |
30+ | 37.67 грн |
40+ | 33.39 грн |
50+ | 32.55 грн |
QW230 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: 1/4W 3K OHM 2%
Description: 1/4W 3K OHM 2%
на замовлення 5299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
EW233 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: 1/8W 3.3K OHM 2%
Description: 1/8W 3.3K OHM 2%
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
QW239 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: RES 3.9K OHM 2% 1/4W AXIAL
Description: RES 3.9K OHM 2% 1/4W AXIAL
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.