Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (144934) > Сторінка 1076 з 2416

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 241 482 723 964 1071 1072 1073 1074 1075 1076 1077 1078 1079 1080 1081 1205 1446 1687 1928 2169 2410 2416  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NCV8664CDT50RKG NCV8664CDT50RKG onsemi ncv8664c-d.pdf Description: IC REG LINEAR 5V 150MA DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 29 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: DPAK
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Grade: Automotive
PSRR: 67dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 157877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.28 грн
10+55.59 грн
25+50.28 грн
100+41.74 грн
250+39.14 грн
500+37.57 грн
1000+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SECO-HVDCDC1362-40W15V-GEVB SECO-HVDCDC1362-40W15V-GEVB onsemi SECO-HVDCDC1362-40W15V-GEVB_TEST_PROCEDURE.PDF Description: EVAL BOARD FOR HVDCDC3064
Packaging: Box
Voltage - Output: 15V
Voltage - Input: 240V ~ 900V
Regulator Topology: Flyback
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: NCV1362, NCP1362
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Power - Output: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G NTMFS5H600NLT1G onsemi ntmfs5h600nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+85.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G-IRH1 NTMFS5H600NLT1G-IRH1 onsemi NTMFS5H600NL-D.PDF Description: T8 60V LOW COSS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G-IRH1 NTMFS5H600NLT1G-IRH1 onsemi NTMFS5H600NL-D.PDF Description: T8 60V LOW COSS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.55 грн
10+161.59 грн
100+113.38 грн
500+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT3G NTMFS5H600NLT3G onsemi ntmfs5h600nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+85.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT3G NTMFS5H600NLT3G onsemi ntmfs5h600nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
на замовлення 9585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.55 грн
10+161.59 грн
100+113.38 грн
500+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NLT1G NVMFS6H852NLT1G onsemi nvmfs6h852nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.19 грн
3000+22.32 грн
4500+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NLT1G NVMFS6H852NLT1G onsemi nvmfs6h852nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.06 грн
10+54.41 грн
100+35.99 грн
500+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NLT1G NTMFS6H801NLT1G onsemi ntmfs6h801nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5126 pF @ 40 V
на замовлення 44138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.60 грн
10+130.46 грн
100+90.35 грн
500+68.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C406NLT1G NTMFS5C406NLT1G onsemi ntmfs5c406nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C406NLT1G NTMFS5C406NLT1G onsemi ntmfs5c406nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.24 грн
10+159.88 грн
100+111.82 грн
500+85.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H400NLT3G NTMFS5H400NLT3G onsemi ntmfs5h400nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 46A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 330A (Tc)
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+96.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H400NLT3G NTMFS5H400NLT3G onsemi ntmfs5h400nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 46A/330A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 330A (Tc)
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
на замовлення 11845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.73 грн
10+181.23 грн
25+155.15 грн
100+117.93 грн
250+104.33 грн
500+95.96 грн
1000+87.50 грн
2500+85.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H409NLT3G NTMFS5H409NLT3G onsemi ntmfs5h409nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41A/270A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H409NLT3G NTMFS5H409NLT3G onsemi ntmfs5h409nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41A/270A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V
на замовлення 49829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.46 грн
10+142.31 грн
25+121.15 грн
100+91.19 грн
250+80.14 грн
500+73.34 грн
1000+66.54 грн
2500+62.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H431NLT1G NTMFS5H431NLT1G onsemi ntmfs5h431nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 23A/106A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H431NLT1G NTMFS5H431NLT1G onsemi ntmfs5h431nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 23A/106A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 20 V
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+58.04 грн
100+41.95 грн
500+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C645NLT1G NTMFS5C645NLT1G onsemi ntmfs5c645nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+82.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C645NLT1G NTMFS5C645NLT1G onsemi ntmfs5c645nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.54 грн
10+154.32 грн
100+107.73 грн
500+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H864NLT1G NTMFS6H864NLT1G onsemi ntmfs6h864nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
на замовлення 19919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.51 грн
10+41.06 грн
100+26.80 грн
500+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NLT1G NTMFS6H818NLT1G onsemi ntmfs6h818nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NLT1G NTMFS6H818NLT1G onsemi ntmfs6h818nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.19 грн
10+107.33 грн
100+73.57 грн
500+55.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1G NTMFS6H818NT1G onsemi ntmfs6h818n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1G NTMFS6H818NT1G onsemi ntmfs6h818n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.65 грн
10+106.51 грн
100+72.98 грн
500+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H858NT1G NTMFS6H858NT1G onsemi ntmfs6h858n-d.pdf Description: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H858NT1G NTMFS6H858NT1G onsemi ntmfs6h858n-d.pdf Description: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H852NLT1G NTMFS6H852NLT1G onsemi ntmfs6h852nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H852NLT1G NTMFS6H852NLT1G onsemi ntmfs6h852nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.66 грн
100+34.10 грн
500+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H852NT1G NTMFS6H852NT1G onsemi ntmfs6h852n-d.pdf Description: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H852NT1G NTMFS6H852NT1G onsemi ntmfs6h852n-d.pdf Description: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.66 грн
10+51.07 грн
100+39.74 грн
500+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H848NLT1G NTMFS6H848NLT1G onsemi ntmfs6h848nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 40 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+30.49 грн
3000+27.11 грн
4500+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H848NLT1G NTMFS6H848NLT1G onsemi ntmfs6h848nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 40 V
на замовлення 5657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.15 грн
10+68.93 грн
100+46.04 грн
500+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NLT1G NTMFS6H800NLT1G onsemi ntmfs6h800nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+83.07 грн
3000+79.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NLT1G NTMFS6H800NLT1G onsemi ntmfs6h800nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.62 грн
10+156.84 грн
100+109.82 грн
500+91.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C3V9ET3G SZBZX84C3V9ET3G onsemi bzx84c2v4et1-d.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.17 грн
20000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C3V9ET3G SZBZX84C3V9ET3G onsemi bzx84c2v4et1-d.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 225MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.62 грн
36+8.38 грн
100+5.17 грн
500+3.54 грн
1000+3.11 грн
2000+2.75 грн
5000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C3V9LT1G SZBZX84C3V9LT1G onsemi bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 250MW SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.56 грн
6000+1.30 грн
9000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C3V9LT1G SZBZX84C3V9LT1G onsemi bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 250MW SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.47 грн
62+4.82 грн
128+2.33 грн
500+2.12 грн
1000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSA9280AUMX FSA9280AUMX onsemi fsa9288a-d.pdf Description: IC USB MULTIMEDIA SWITCH 20-UMLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25AM02C8CTR CAT25AM02C8CTR onsemi CAT25AM02.pdf Description: IC EEPROM 2MBIT SPI 5MHZ 8WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 5 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.12x2.04)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25AM02C8CTR CAT25AM02C8CTR onsemi CAT25AM02.pdf Description: IC EEPROM 2MBIT SPI 5MHZ 8WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 5 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.12x2.04)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25AM02C8ATR CAT25AM02C8ATR onsemi CAT25AM02.pdf Description: IC EEPROM 2MBIT SPI 5MHZ 8WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 5 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.12x2.04)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25AM02C8ATR CAT25AM02C8ATR onsemi CAT25AM02.pdf Description: IC EEPROM 2MBIT SPI 5MHZ 8WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 5 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.12x2.04)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33174P MC33174P onsemi mc33171-d.pdf Description: IC OPAMP QUAD LOW POWER 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 180µA (x4 Channels)
Slew Rate: 2.1V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.8 MHz
Current - Input Bias: 20 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-PDIP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 27 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33174VDR2 MC33174VDR2 onsemi mc33171-d.pdf Description: IC OPAMP QUAD LOW POWER 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 180µA (x4 Channels)
Slew Rate: 2.1V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.8 MHz
Current - Input Bias: 20 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-SOIC
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 27 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33174VDG MC33174VDG onsemi mc33171-d.pdf Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 180µA (x4 Channels)
Slew Rate: 2.1V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.8 MHz
Current - Input Bias: 20 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-SOIC
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 27 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LET40 FDMS8350LET40 onsemi fdms8350let40-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.33W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16590 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LET40 FDMS8350LET40 onsemi fdms8350let40-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.33W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16590 pF @ 20 V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.31 грн
10+233.41 грн
100+167.39 грн
500+130.68 грн
1000+128.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3012SM MOC3012SM onsemi moc3023m-d.pdf Description: OPTOISOLATOR 4.17KV TRIAC 6SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Approval Agency: UL
Current - Hold (Ih): 100µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-SMD
Zero Crossing Circuit: No
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Number of Channels: 1
Voltage - Off State: 250 V
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.97 грн
50+29.25 грн
100+26.24 грн
500+19.87 грн
1000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3012TVM MOC3012TVM onsemi moc3023m-d.pdf Description: OPTOISOLATOR 4.17KV TRIAC 6DIP
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Voltage - Off State: 250 V
Number of Channels: 1
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Zero Crossing Circuit: No
Supplier Device Package: 6-DIP
Current - Hold (Ih): 100µA (Typ)
Approval Agency: IEC/EN/DIN, UL
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Triac
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.96 грн
10+33.43 грн
100+22.51 грн
500+17.11 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C5V6-T50R BZX85C5V6-T50R onsemi FAIRS45281-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ZENER 5.6V 1W DO41
Tolerance: ±7%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5492+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 5492 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74ABT16543CSSC 74ABT16543CSSC onsemi 74ABT16543.pdf Description: IC TXRX NON-INVERT 5.5V 56SSOP
Supplier Device Package: 56-SSOP
Current - Output High, Low: 32mA, 64mA
Number of Bits per Element: 8
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 56-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ABT16543CSSCX 74ABT16543CSSCX onsemi 74ABT16543.pdf Description: IC TXRX NON-INVERT 5.5V 56SSOP
Supplier Device Package: 56-SSOP
Current - Output High, Low: 32mA, 64mA
Number of Bits per Element: 8
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 56-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGP10N60RUFDTU SGP10N60RUFDTU onsemi sgp10n60rufd-d.pdf Description: IGBT 600V 16A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/36ns
Switching Energy: 141µJ (on), 215µJ (off)
Test Condition: 300V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4671DSN09T1G NCP4671DSN09T1G onsemi NCP4671.pdf Description: IC REG LINEAR 0.9V 400MA SOT23-5
Protection Features: Over Current, Under Voltage Lockout (UVLO)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 400mA
PSRR: 80dB ~ 50dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
Supplier Device Package: SOT-23-5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.25V
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 400mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2222ABU KSP2222ABU onsemi ksp2222a-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.32 грн
23+13.05 грн
100+8.21 грн
500+5.70 грн
1000+5.06 грн
2000+4.51 грн
5000+3.86 грн
10000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS320T3 MBRS320T3 onsemi mbrs340t3-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 4A SMC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Supplier Device Package: SMC
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS10100PFST3G NRVTS10100PFST3G onsemi nrts10100pfs-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO2773
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 760pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.68 грн
10+63.37 грн
100+42.11 грн
500+30.93 грн
1000+28.16 грн
2000+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TF MJD117TF onsemi DS_488_MJD117.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8664CDT50RKG ncv8664c-d.pdf
NCV8664CDT50RKG
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 5V 150MA DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 29 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: DPAK
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Grade: Automotive
PSRR: 67dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.6V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 30 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 157877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.28 грн
10+55.59 грн
25+50.28 грн
100+41.74 грн
250+39.14 грн
500+37.57 грн
1000+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SECO-HVDCDC1362-40W15V-GEVB SECO-HVDCDC1362-40W15V-GEVB_TEST_PROCEDURE.PDF
SECO-HVDCDC1362-40W15V-GEVB
Виробник: onsemi
Description: EVAL BOARD FOR HVDCDC3064
Packaging: Box
Voltage - Output: 15V
Voltage - Input: 240V ~ 900V
Regulator Topology: Flyback
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: NCV1362, NCP1362
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1, Isolated
Power - Output: 40 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G ntmfs5h600nl-d.pdf
NTMFS5H600NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+85.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G-IRH1 NTMFS5H600NL-D.PDF
NTMFS5H600NLT1G-IRH1
Виробник: onsemi
Description: T8 60V LOW COSS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT1G-IRH1 NTMFS5H600NL-D.PDF
NTMFS5H600NLT1G-IRH1
Виробник: onsemi
Description: T8 60V LOW COSS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.55 грн
10+161.59 грн
100+113.38 грн
500+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT3G ntmfs5h600nl-d.pdf
NTMFS5H600NLT3G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+85.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H600NLT3G ntmfs5h600nl-d.pdf
NTMFS5H600NLT3G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
на замовлення 9585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.55 грн
10+161.59 грн
100+113.38 грн
500+94.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NLT1G nvmfs6h852nl-d.pdf
NVMFS6H852NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+25.19 грн
3000+22.32 грн
4500+21.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NLT1G nvmfs6h852nl-d.pdf
NVMFS6H852NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+90.06 грн
10+54.41 грн
100+35.99 грн
500+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NLT1G ntmfs6h801nl-d.pdf
NTMFS6H801NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 24A/160A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5126 pF @ 40 V
на замовлення 44138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.60 грн
10+130.46 грн
100+90.35 грн
500+68.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C406NLT1G ntmfs5c406nl-d.pdf
NTMFS5C406NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C406NLT1G ntmfs5c406nl-d.pdf
NTMFS5C406NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta), 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 149 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.24 грн
10+159.88 грн
100+111.82 грн
500+85.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H400NLT3G ntmfs5h400nl-d.pdf
NTMFS5H400NLT3G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/330A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 330A (Tc)
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+96.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H400NLT3G ntmfs5h400nl-d.pdf
NTMFS5H400NLT3G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 46A/330A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 330A (Tc)
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V
на замовлення 11845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+291.73 грн
10+181.23 грн
25+155.15 грн
100+117.93 грн
250+104.33 грн
500+95.96 грн
1000+87.50 грн
2500+85.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H409NLT3G ntmfs5h409nl-d.pdf
NTMFS5H409NLT3G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 41A/270A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H409NLT3G ntmfs5h409nl-d.pdf
NTMFS5H409NLT3G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 41A/270A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V
на замовлення 49829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.46 грн
10+142.31 грн
25+121.15 грн
100+91.19 грн
250+80.14 грн
500+73.34 грн
1000+66.54 грн
2500+62.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H431NLT1G ntmfs5h431nl-d.pdf
NTMFS5H431NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 23A/106A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H431NLT1G ntmfs5h431nl-d.pdf
NTMFS5H431NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 23A/106A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 20 V
на замовлення 1867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.21 грн
10+58.04 грн
100+41.95 грн
500+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C645NLT1G ntmfs5c645nl-d.pdf
NTMFS5C645NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+82.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C645NLT1G ntmfs5c645nl-d.pdf
NTMFS5C645NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.54 грн
10+154.32 грн
100+107.73 грн
500+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H864NLT1G ntmfs6h864nl-d.pdf
NTMFS6H864NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
на замовлення 19919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.51 грн
10+41.06 грн
100+26.80 грн
500+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NLT1G ntmfs6h818nl-d.pdf
NTMFS6H818NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NLT1G ntmfs6h818nl-d.pdf
NTMFS6H818NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+173.19 грн
10+107.33 грн
100+73.57 грн
500+55.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1G ntmfs6h818n-d.pdf
NTMFS6H818NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H818NT1G ntmfs6h818n-d.pdf
NTMFS6H818NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+171.65 грн
10+106.51 грн
100+72.98 грн
500+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H858NT1G ntmfs6h858n-d.pdf
NTMFS6H858NT1G
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H858NT1G ntmfs6h858n-d.pdf
NTMFS6H858NT1G
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H852NLT1G ntmfs6h852nl-d.pdf
NTMFS6H852NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H852NLT1G ntmfs6h852nl-d.pdf
NTMFS6H852NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.44 грн
10+51.66 грн
100+34.10 грн
500+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H852NT1G ntmfs6h852n-d.pdf
NTMFS6H852NT1G
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H852NT1G ntmfs6h852n-d.pdf
NTMFS6H852NT1G
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.66 грн
10+51.07 грн
100+39.74 грн
500+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H848NLT1G ntmfs6h848nl-d.pdf
NTMFS6H848NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 40 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+30.49 грн
3000+27.11 грн
4500+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H848NLT1G ntmfs6h848nl-d.pdf
NTMFS6H848NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 40 V
на замовлення 5657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.15 грн
10+68.93 грн
100+46.04 грн
500+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NLT1G ntmfs6h800nl-d.pdf
NTMFS6H800NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+83.07 грн
3000+79.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H800NLT1G ntmfs6h800nl-d.pdf
NTMFS6H800NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+248.62 грн
10+156.84 грн
100+109.82 грн
500+91.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C3V9ET3G bzx84c2v4et1-d.pdf
SZBZX84C3V9ET3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 3.9V 225MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.17 грн
20000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C3V9ET3G bzx84c2v4et1-d.pdf
SZBZX84C3V9ET3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 3.9V 225MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.62 грн
36+8.38 грн
100+5.17 грн
500+3.54 грн
1000+3.11 грн
2000+2.75 грн
5000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C3V9LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
SZBZX84C3V9LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 3.9V 250MW SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.56 грн
6000+1.30 грн
9000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZBZX84C3V9LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
SZBZX84C3V9LT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 3.9V 250MW SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.47 грн
62+4.82 грн
128+2.33 грн
500+2.12 грн
1000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSA9280AUMX fsa9288a-d.pdf
FSA9280AUMX
Виробник: onsemi
Description: IC USB MULTIMEDIA SWITCH 20-UMLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25AM02C8CTR CAT25AM02.pdf
CAT25AM02C8CTR
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 2MBIT SPI 5MHZ 8WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 5 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.12x2.04)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25AM02C8CTR CAT25AM02.pdf
CAT25AM02C8CTR
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 2MBIT SPI 5MHZ 8WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 5 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.12x2.04)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25AM02C8ATR CAT25AM02.pdf
CAT25AM02C8ATR
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 2MBIT SPI 5MHZ 8WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 5 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.12x2.04)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT25AM02C8ATR CAT25AM02.pdf
CAT25AM02C8ATR
Виробник: onsemi
Description: IC EEPROM 2MBIT SPI 5MHZ 8WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 5 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.12x2.04)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 256K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33174P mc33171-d.pdf
MC33174P
Виробник: onsemi
Description: IC OPAMP QUAD LOW POWER 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 180µA (x4 Channels)
Slew Rate: 2.1V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.8 MHz
Current - Input Bias: 20 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-PDIP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 27 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33174VDR2 mc33171-d.pdf
MC33174VDR2
Виробник: onsemi
Description: IC OPAMP QUAD LOW POWER 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 180µA (x4 Channels)
Slew Rate: 2.1V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.8 MHz
Current - Input Bias: 20 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-SOIC
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 27 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MC33174VDG mc33171-d.pdf
MC33174VDG
Виробник: onsemi
Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Supply: 180µA (x4 Channels)
Slew Rate: 2.1V/µs
Gain Bandwidth Product: 1.8 MHz
Current - Input Bias: 20 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-SOIC
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 27 mA
Voltage - Supply Span (Min): 3 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LET40 fdms8350let40-d.pdf
FDMS8350LET40
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.33W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16590 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350LET40 fdms8350let40-d.pdf
FDMS8350LET40
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 49A/300A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.33W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16590 pF @ 20 V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+363.31 грн
10+233.41 грн
100+167.39 грн
500+130.68 грн
1000+128.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3012SM moc3023m-d.pdf
MOC3012SM
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLATOR 4.17KV TRIAC 6SMD
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Gull Wing
Output Type: Triac
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Approval Agency: UL
Current - Hold (Ih): 100µA (Typ)
Supplier Device Package: 6-SMD
Zero Crossing Circuit: No
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Number of Channels: 1
Voltage - Off State: 250 V
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.97 грн
50+29.25 грн
100+26.24 грн
500+19.87 грн
1000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOC3012TVM moc3023m-d.pdf
MOC3012TVM
Виробник: onsemi
Description: OPTOISOLATOR 4.17KV TRIAC 6DIP
Current - DC Forward (If) (Max): 60 mA
Voltage - Off State: 250 V
Number of Channels: 1
Current - LED Trigger (Ift) (Max): 5mA
Zero Crossing Circuit: No
Supplier Device Package: 6-DIP
Current - Hold (Ih): 100µA (Typ)
Approval Agency: IEC/EN/DIN, UL
Voltage - Isolation: 4170Vrms
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.15V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Mounting Type: Through Hole
Output Type: Triac
Package / Case: 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.96 грн
10+33.43 грн
100+22.51 грн
500+17.11 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C5V6-T50R FAIRS45281-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BZX85C5V6-T50R
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 5.6V 1W DO41
Tolerance: ±7%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms
Supplier Device Package: DO-41
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 2 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5492+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 5492 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74ABT16543CSSC 74ABT16543.pdf
74ABT16543CSSC
Виробник: onsemi
Description: IC TXRX NON-INVERT 5.5V 56SSOP
Supplier Device Package: 56-SSOP
Current - Output High, Low: 32mA, 64mA
Number of Bits per Element: 8
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 56-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ABT16543CSSCX 74ABT16543.pdf
74ABT16543CSSCX
Виробник: onsemi
Description: IC TXRX NON-INVERT 5.5V 56SSOP
Supplier Device Package: 56-SSOP
Current - Output High, Low: 32mA, 64mA
Number of Bits per Element: 8
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 3-State
Package / Case: 56-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGP10N60RUFDTU sgp10n60rufd-d.pdf
SGP10N60RUFDTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 16A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/36ns
Switching Energy: 141µJ (on), 215µJ (off)
Test Condition: 300V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP4671DSN09T1G NCP4671.pdf
NCP4671DSN09T1G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 0.9V 400MA SOT23-5
Protection Features: Over Current, Under Voltage Lockout (UVLO)
Voltage Dropout (Max): 0.3V @ 400mA
PSRR: 80dB ~ 50dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
Supplier Device Package: SOT-23-5
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.25V
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 400mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
650+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 650 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSP2222ABU ksp2222a-d.pdf
KSP2222ABU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.32 грн
23+13.05 грн
100+8.21 грн
500+5.70 грн
1000+5.06 грн
2000+4.51 грн
5000+3.86 грн
10000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBRS320T3 mbrs340t3-d.pdf
MBRS320T3
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 4A SMC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Supplier Device Package: SMC
Current - Average Rectified (Io): 4A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVTS10100PFST3G nrts10100pfs-d.pdf
NRVTS10100PFST3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO2773
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 760pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 780 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+104.68 грн
10+63.37 грн
100+42.11 грн
500+30.93 грн
1000+28.16 грн
2000+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD117TF DS_488_MJD117.pdf
MJD117TF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 241 482 723 964 1071 1072 1073 1074 1075 1076 1077 1078 1079 1080 1081 1205 1446 1687 1928 2169 2410 2416  [ Наступна Сторінка >> ]