Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (146219) > Сторінка 1089 з 2437

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1084 1085 1086 1087 1088 1089 1090 1091 1092 1093 1094 1215 1458 1701 1944 2187 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FFSP1065B-F085 FFSP1065B-F085 onsemi ffsp1065b-f085-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.93 грн
10+186.36 грн
100+131.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1665A FFSP1665A onsemi ffsp1665a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.72 грн
10+302.52 грн
50+238.74 грн
100+204.78 грн
500+171.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP15120A FFSP15120A onsemi ffsp15120a-d.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 936pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+517.32 грн
50+269.04 грн
100+246.97 грн
500+197.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN531335DW1T3G NSVMUN531335DW1T3G onsemi mun531335dw1-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN531335DW1T3G NSVMUN531335DW1T3G onsemi mun531335dw1-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDC AFGHL75T65SQDC onsemi AFGHL75T65SQDC-D.PDF Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/107.2ns
Switching Energy: 1.68mJ (on), 1.11mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 139 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+807.33 грн
30+464.90 грн
120+396.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L75T65MQDC50 FGH4L75T65MQDC50 onsemi fgh4l75t65mqdc50-d.pdf Description: IGBT FS 650V 110A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/187ns
Switching Energy: 720µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+808.90 грн
30+465.68 грн
120+397.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC20MELG MC74AC20MELG onsemi mc74ac20-d.pdf Description: IC GATE NAND 2CH 4-INP SOEIAJ-14
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 4
Supplier Device Package: SOEIAJ-14
Input Logic Level - High: 2.1V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC20NG MC74AC20NG onsemi mc74ac20-d.pdf Description: IC GATE NAND 2CH 4-INP 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 4
Supplier Device Package: 14-PDIP
Input Logic Level - High: 2.1V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 23240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
790+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PG NXH100B120H3Q0PG onsemi nxh100b120h3q0-d.pdf Description: IGBT MOD 1200V 61A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4782.84 грн
24+3310.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PTG NXH100B120H3Q0PTG onsemi nxh100b120h3q0-d.pdf Description: IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4782.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0SG NXH100B120H3Q0SG onsemi nxh100b120h3q0-d.pdf Description: IGBT MOD 1200V 61A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4738.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0STG NXH100B120H3Q0STG onsemi nxh100b120h3q0-d.pdf Description: IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4484.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ0SNG NXH40B120MNQ0SNG onsemi nxh40b120mnq0-d.pdf Description: IGBT MODULE 118W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 118 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 20 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6008.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1 NTH4L015N065SC1 onsemi nth4l015n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2141.38 грн
30+1335.21 грн
60+1248.94 грн
120+1119.99 грн
510+1056.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 onsemi nthl015n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2073.97 грн
30+1294.05 грн
60+1210.55 грн
120+1086.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L014N120M3P NTH4L014N120M3P onsemi nth4l014n120m3p-d.pdf Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 686W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 800 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2112.38 грн
10+1490.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA18RLRAG MPSA18RLRAG onsemi mpsa18-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 122913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2597+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA18RLRMG MPSA18RLRMG onsemi mpsa18-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 23565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2597+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1832Z-GT3 CAT1832Z-GT3 onsemi ONSM-S-A0000710844-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: CAT1832 - 3.3V SUPPLY MONITOR, W
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active High/Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: Adjustable/Selectable
Voltage - Threshold: 2.55V, 2.88V
Supplier Device Package: 8-MSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 11055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+1369.68 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1232LPZ-GT3 CAT1232LPZ-GT3 onsemi CAT1232LP%2CCAT1832.pdf Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8MSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain, Push-Pull
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active High/Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: Adjustable/Selectable
Voltage - Threshold: 4.37V, 4.62V
Supplier Device Package: 8-MSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1PG NXH240B120H3Q1PG onsemi nxh240b120h3q1pg-d.pdf Description: IGBT MOD 1200V 68A 158W 32-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6472.74 грн
21+4805.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1G NXH350N100H4Q2F2P1G onsemi nxh350n100h4q2f2p1g-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12475.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG NXH450B100H4Q2F2PG onsemi nxh450b100h4q2f2-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10760.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1G NXH350N100H4Q2F2S1G onsemi nxh350n100h4q2f2p1g-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12772.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SG-R onsemi nxh300b100h4q2f2-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 73A 194W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16202.23 грн
12+14229.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG-R NXH450B100H4Q2F2PG-R onsemi nxh450b100h4q2f2-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17221.19 грн
12+15268.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1G-R NXH350N100H4Q2F2S1G-R onsemi nxh350n100h4q2f2p1g-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18849.96 грн
12+16405.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SG NXH400N100H4Q2F2SG onsemi nxh400n100h4q2f2-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14830.56 грн
12+12840.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PG NXH400N100H4Q2F2PG onsemi nxh400n100h4q2f2-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14830.56 грн
12+12840.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SG-R NXH400N100H4Q2F2SG-R onsemi nxh400n100h4q2f2-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21706.96 грн
12+19929.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8164CSN180T1G NCV8164CSN180T1G onsemi PdfFile168577.pdf Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 5-TSOP
Qualification: AEC-Q100
Voltage Dropout (Max): 0.255V @ 300mA
PSRR: 83dB ~ 61dB (100Hz ~ 100kHz)
Grade: Automotive
Control Features: Enable, Power Good
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Supplier Device Package: 5-TSOP
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5V
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Packaging: Cut Tape (CT)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
12+26.57 грн
25+23.82 грн
100+19.47 грн
250+18.10 грн
500+17.27 грн
1000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV97311MW33AR2G NCV97311MW33AR2G onsemi ncv97311a-d.pdf Description: IC PMU MULTI-OUTPUT 32QFNW
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 32-QFNW (5x5)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Input: 4.5V ~ 34V
Number of Outputs: 3
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Voltage - Output: 3.3V
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+230.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV97311MW33AR2G NCV97311MW33AR2G onsemi ncv97311a-d.pdf Description: IC PMU MULTI-OUTPUT 32QFNW
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 32-QFNW (5x5)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Input: 4.5V ~ 34V
Number of Outputs: 3
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Voltage - Output: 3.3V
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.64 грн
10+385.85 грн
25+367.91 грн
100+286.33 грн
250+261.06 грн
500+244.22 грн
1000+215.37 грн
2500+207.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144WET1G NSVDTA144WET1G onsemi dta144w-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.58 грн
6000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144WET1G NSVDTA144WET1G onsemi dta144w-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
38+8.08 грн
100+4.99 грн
500+3.41 грн
1000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2SG NXH600B100H4Q2F2SG onsemi nxh600b100h4q2f2-d.pdf Description: IGBT MOD 1000V 192A 511W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.256 nF @ 20 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12591.20 грн
36+10610.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150-1G NTD3055-150-1G onsemi ntd3055-150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 9321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1010+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 1010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N120SC1 NVH4L020N120SC1 onsemi nvh4l020n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3643.95 грн
30+2387.81 грн
60+2335.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1 NTHL020N120SC1 onsemi nthl020n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2649.29 грн
30+1688.58 грн
60+1586.27 грн
120+1476.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1 NVHL020N120SC1 onsemi nvhl020n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3588.30 грн
30+2348.54 грн
60+2291.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N120SC1 NTH4L020N120SC1 onsemi nth4l020n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2659.48 грн
30+1695.70 грн
60+1593.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP820MFDT1G NRVHP820MFDT1G onsemi nhp820mfd-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP820MFDT1G NRVHP820MFDT1G onsemi nhp820mfd-d.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.38 грн
10+101.67 грн
100+69.12 грн
500+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX2SN016KB-LTI NOIX2SN016KB-LTI onsemi image-sensors Description: XGS16MP 12PORT MONOCRA
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4000H x 4000V
Supplier Device Package: 163-ILGA (21.5x19.5)
Frames per Second: 42.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX1SN016KB-LTI NOIX1SN016KB-LTI onsemi image-sensors Description: XGS16MP 24PORT MONOCRA
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4000H x 4000V
Supplier Device Package: 163-ILGA (21.5x19.5)
Frames per Second: 65.0
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+50711.24 грн
5+46211.38 грн
10+45232.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX3SN012KB-LTI NOIX3SN012KB-LTI onsemi XGS_Family_Rev4_Jun2020.pdf Description: IC IMAGE SENS 12MP MONO 163CLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.1V ~ 1.3V
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4096H x 3072V
Supplier Device Package: 163-CLGA (20.88x19.9)
Frames per Second: 90.0
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28999.58 грн
5+26298.35 грн
10+25691.13 грн
25+23427.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX3SN012KB-LTI1 NOIX3SN012KB-LTI1 onsemi XGS_Family_Rev4_Jun2020.pdf Description: IC IMAGE SENS 12MP MONO 163CLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.1V ~ 1.3V
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4096H x 3072V
Supplier Device Package: 163-CLGA (20.88x19.9)
Frames per Second: 90.0
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20236.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX1SN012KB-LTI NOIX1SN012KB-LTI onsemi image-sensors Description: CMOS IMAGE SENSOR 163LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Voltage - Supply: 1.1V ~ 1.3V
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4096H x 3072V
Supplier Device Package: 163-CLGA (20.88x19.9)
Frames per Second: 90.0
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+34392.22 грн
5+31236.45 грн
10+30534.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX1SN012KB-LTI1 NOIX1SN012KB-LTI1 onsemi XGS_Family_Rev4_Jun2020.pdf Description: XGS12MP, 24PORT, MONO 0D
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, 2.7V ~ 2.9V
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4096H x 3072V
Supplier Device Package: 163-CLGA (20.88x19.9)
Frames per Second: 90.0
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28619.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX3SN016KB-LTI1 onsemi Description: XGS16MP, 6PORT, MONO,CRA_0D
Packaging: Tray
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+37471.04 грн
8+33536.87 грн
12+33111.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NOIP1SN016KA-GTI NOIP1SN016KA-GTI onsemi noip1sn025ka-d.pdf Description: IC IMAGE SENS 16MP CMOS 355CPGA
Packaging: Tray
Package / Case: 355-BSPGA, Window
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, 3.2V ~ 3.4V
Pixel Size: 4.5µm x 4.5µm
Active Pixel Array: 4096H x 4096V
Supplier Device Package: 355-µPGA
Frames per Second: 120.0
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX3SN016KB-LTI NOIX3SN016KB-LTI onsemi image-sensors Description: XGS16MP 6PORT MONOCRA_
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4000H x 4000V
Supplier Device Package: 163-ILGA (21.5x19.5)
Frames per Second: 21.0
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+37471.04 грн
5+34056.63 грн
10+33300.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
N01L63W2AT25I N01L63W2AT25I onsemi n01l63w2a-d.pdf Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+133.90 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
N01L63W3AT25I N01L63W3AT25I onsemi n01l63w3a.pdf Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 528810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+134.91 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
N01L83W2AT25IT N01L83W2AT25IT onsemi n01l83w2a-d.pdf Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-LFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+121.91 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NOIP1SN010KA-GDI onsemi NOIP1SN0xxKA_Series.pdf Description: IC IMAGE SENS 10MP CMOS 355CPGA
Packaging: Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+80216.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z6V2ST1G MM3Z6V2ST1G onsemi mm3z2v4st1-d.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 300MW SOD323
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX2SE016KB-LTI NOIX2SE016KB-LTI onsemi image-sensors Description: XGS16MP 12PORT COLORCR
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4000H x 4000V
Supplier Device Package: 163-ILGA (21.5x19.5)
Frames per Second: 42.0
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+49359.16 грн
5+40293.56 грн
10+38033.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX1SE016KB-LTI onsemi image-sensors Description: XGS16M 24PORT COLOR_CRA
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4000H x 4000V
Supplier Device Package: 163-ILGA (21.5x19.5)
Frames per Second: 65
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+52063.32 грн
10+48061.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1065B-F085 ffsp1065b-f085-d.pdf
FFSP1065B-F085
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-2
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 421pF @ 1V, 100kHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+293.93 грн
10+186.36 грн
100+131.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP1665A ffsp1665a-d.pdf
FFSP1665A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 887pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+468.72 грн
10+302.52 грн
50+238.74 грн
100+204.78 грн
500+171.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FFSP15120A ffsp15120a-d.pdf
FFSP15120A
Виробник: onsemi
Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 936pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+517.32 грн
50+269.04 грн
100+246.97 грн
500+197.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN531335DW1T3G mun531335dw1-d.pdf
NSVMUN531335DW1T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN531335DW1T3G mun531335dw1-d.pdf
NSVMUN531335DW1T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL75T65SQDC AFGHL75T65SQDC-D.PDF
AFGHL75T65SQDC
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/107.2ns
Switching Energy: 1.68mJ (on), 1.11mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 139 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 375 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+807.33 грн
30+464.90 грн
120+396.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FGH4L75T65MQDC50 fgh4l75t65mqdc50-d.pdf
FGH4L75T65MQDC50
Виробник: onsemi
Description: IGBT FS 650V 110A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/187ns
Switching Energy: 720µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+808.90 грн
30+465.68 грн
120+397.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC20MELG mc74ac20-d.pdf
MC74AC20MELG
Виробник: onsemi
Description: IC GATE NAND 2CH 4-INP SOEIAJ-14
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 4
Supplier Device Package: SOEIAJ-14
Input Logic Level - High: 2.1V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 11400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
550+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC20NG mc74ac20-d.pdf
MC74AC20NG
Виробник: onsemi
Description: IC GATE NAND 2CH 4-INP 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 4
Supplier Device Package: 14-PDIP
Input Logic Level - High: 2.1V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 2
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 23240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
790+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PG nxh100b120h3q0-d.pdf
NXH100B120H3Q0PG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1200V 61A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4782.84 грн
24+3310.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PTG nxh100b120h3q0-d.pdf
NXH100B120H3Q0PTG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4782.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0SG nxh100b120h3q0-d.pdf
NXH100B120H3Q0SG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1200V 61A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4738.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0STG nxh100b120h3q0-d.pdf
NXH100B120H3Q0STG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4484.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ0SNG nxh40b120mnq0-d.pdf
NXH40B120MNQ0SNG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MODULE 118W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 118 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 20 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6008.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L015N065SC1 nth4l015n065sc1-d.pdf
NTH4L015N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2141.38 грн
30+1335.21 грн
60+1248.94 грн
120+1119.99 грн
510+1056.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL015N065SC1 nthl015n065sc1-d.pdf
NTHL015N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2073.97 грн
30+1294.05 грн
60+1210.55 грн
120+1086.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L014N120M3P nth4l014n120m3p-d.pdf
NTH4L014N120M3P
Виробник: onsemi
Description: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 686W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 800 V
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2112.38 грн
10+1490.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA18RLRAG mpsa18-d.pdf
MPSA18RLRAG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 122913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2597+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MPSA18RLRMG mpsa18-d.pdf
MPSA18RLRMG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 23565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2597+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1832Z-GT3 ONSM-S-A0000710844-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
CAT1832Z-GT3
Виробник: onsemi
Description: CAT1832 - 3.3V SUPPLY MONITOR, W
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active High/Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: Adjustable/Selectable
Voltage - Threshold: 2.55V, 2.88V
Supplier Device Package: 8-MSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 11055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+1369.68 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT1232LPZ-GT3 CAT1232LP%2CCAT1832.pdf
CAT1232LPZ-GT3
Виробник: onsemi
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8MSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain, Push-Pull
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active High/Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: Adjustable/Selectable
Voltage - Threshold: 4.37V, 4.62V
Supplier Device Package: 8-MSOP
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
330+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1PG nxh240b120h3q1pg-d.pdf
NXH240B120H3Q1PG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1200V 68A 158W 32-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6472.74 грн
21+4805.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1G nxh350n100h4q2f2p1g-d.pdf
NXH350N100H4Q2F2P1G
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+12475.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG nxh450b100h4q2f2-d.pdf
NXH450B100H4Q2F2PG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10760.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1G nxh350n100h4q2f2p1g-d.pdf
NXH350N100H4Q2F2S1G
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+12772.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SG-R nxh300b100h4q2f2-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 73A 194W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+16202.23 грн
12+14229.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG-R nxh450b100h4q2f2-d.pdf
NXH450B100H4Q2F2PG-R
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+17221.19 грн
12+15268.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1G-R nxh350n100h4q2f2p1g-d.pdf
NXH350N100H4Q2F2S1G-R
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+18849.96 грн
12+16405.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SG nxh400n100h4q2f2-d.pdf
NXH400N100H4Q2F2SG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+14830.56 грн
12+12840.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PG nxh400n100h4q2f2-d.pdf
NXH400N100H4Q2F2PG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+14830.56 грн
12+12840.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SG-R nxh400n100h4q2f2-d.pdf
NXH400N100H4Q2F2SG-R
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+21706.96 грн
12+19929.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8164CSN180T1G PdfFile168577.pdf
NCV8164CSN180T1G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 1.8V 300MA 5-TSOP
Qualification: AEC-Q100
Voltage Dropout (Max): 0.255V @ 300mA
PSRR: 83dB ~ 61dB (100Hz ~ 100kHz)
Grade: Automotive
Control Features: Enable, Power Good
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Supplier Device Package: 5-TSOP
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5V
Current - Quiescent (Iq): 40 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output: 300mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Packaging: Cut Tape (CT)
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.19 грн
12+26.57 грн
25+23.82 грн
100+19.47 грн
250+18.10 грн
500+17.27 грн
1000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV97311MW33AR2G ncv97311a-d.pdf
NCV97311MW33AR2G
Виробник: onsemi
Description: IC PMU MULTI-OUTPUT 32QFNW
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 32-QFNW (5x5)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Input: 4.5V ~ 34V
Number of Outputs: 3
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Voltage - Output: 3.3V
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+230.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV97311MW33AR2G ncv97311a-d.pdf
NCV97311MW33AR2G
Виробник: onsemi
Description: IC PMU MULTI-OUTPUT 32QFNW
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 32-QFNW (5x5)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Input: 4.5V ~ 34V
Number of Outputs: 3
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Voltage - Output: 3.3V
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+443.64 грн
10+385.85 грн
25+367.91 грн
100+286.33 грн
250+261.06 грн
500+244.22 грн
1000+215.37 грн
2500+207.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144WET1G dta144w-d.pdf
NSVDTA144WET1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.58 грн
6000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTA144WET1G dta144w-d.pdf
NSVDTA144WET1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.32 грн
38+8.08 грн
100+4.99 грн
500+3.41 грн
1000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2SG nxh600b100h4q2f2-d.pdf
NXH600B100H4Q2F2SG
Виробник: onsemi
Description: IGBT MOD 1000V 192A 511W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.256 nF @ 20 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+12591.20 грн
36+10610.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150-1G ntd3055-150-d.pdf
NTD3055-150-1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 9321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1010+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 1010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L020N120SC1 nvh4l020n120sc1-d.pdf
NVH4L020N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3643.95 грн
30+2387.81 грн
60+2335.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL020N120SC1 nthl020n120sc1-d.pdf
NTHL020N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2649.29 грн
30+1688.58 грн
60+1586.27 грн
120+1476.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL020N120SC1 nvhl020n120sc1-d.pdf
NVHL020N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3588.30 грн
30+2348.54 грн
60+2291.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L020N120SC1 nth4l020n120sc1-d.pdf
NTH4L020N120SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2659.48 грн
30+1695.70 грн
60+1593.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP820MFDT1G nhp820mfd-d.pdf
NRVHP820MFDT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP820MFDT1G nhp820mfd-d.pdf
NRVHP820MFDT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.38 грн
10+101.67 грн
100+69.12 грн
500+51.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX2SN016KB-LTI image-sensors
NOIX2SN016KB-LTI
Виробник: onsemi
Description: XGS16MP 12PORT MONOCRA
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4000H x 4000V
Supplier Device Package: 163-ILGA (21.5x19.5)
Frames per Second: 42.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX1SN016KB-LTI image-sensors
NOIX1SN016KB-LTI
Виробник: onsemi
Description: XGS16MP 24PORT MONOCRA
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4000H x 4000V
Supplier Device Package: 163-ILGA (21.5x19.5)
Frames per Second: 65.0
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+50711.24 грн
5+46211.38 грн
10+45232.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX3SN012KB-LTI XGS_Family_Rev4_Jun2020.pdf
NOIX3SN012KB-LTI
Виробник: onsemi
Description: IC IMAGE SENS 12MP MONO 163CLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.1V ~ 1.3V
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4096H x 3072V
Supplier Device Package: 163-CLGA (20.88x19.9)
Frames per Second: 90.0
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28999.58 грн
5+26298.35 грн
10+25691.13 грн
25+23427.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX3SN012KB-LTI1 XGS_Family_Rev4_Jun2020.pdf
NOIX3SN012KB-LTI1
Виробник: onsemi
Description: IC IMAGE SENS 12MP MONO 163CLGA
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.1V ~ 1.3V
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4096H x 3072V
Supplier Device Package: 163-CLGA (20.88x19.9)
Frames per Second: 90.0
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20236.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX1SN012KB-LTI image-sensors
NOIX1SN012KB-LTI
Виробник: onsemi
Description: CMOS IMAGE SENSOR 163LGA
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Voltage - Supply: 1.1V ~ 1.3V
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4096H x 3072V
Supplier Device Package: 163-CLGA (20.88x19.9)
Frames per Second: 90.0
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+34392.22 грн
5+31236.45 грн
10+30534.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX1SN012KB-LTI1 XGS_Family_Rev4_Jun2020.pdf
NOIX1SN012KB-LTI1
Виробник: onsemi
Description: XGS12MP, 24PORT, MONO 0D
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, 2.7V ~ 2.9V
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4096H x 3072V
Supplier Device Package: 163-CLGA (20.88x19.9)
Frames per Second: 90.0
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+28619.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX3SN016KB-LTI1
Виробник: onsemi
Description: XGS16MP, 6PORT, MONO,CRA_0D
Packaging: Tray
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+37471.04 грн
8+33536.87 грн
12+33111.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NOIP1SN016KA-GTI noip1sn025ka-d.pdf
NOIP1SN016KA-GTI
Виробник: onsemi
Description: IC IMAGE SENS 16MP CMOS 355CPGA
Packaging: Tray
Package / Case: 355-BSPGA, Window
Type: CMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, 3.2V ~ 3.4V
Pixel Size: 4.5µm x 4.5µm
Active Pixel Array: 4096H x 4096V
Supplier Device Package: 355-µPGA
Frames per Second: 120.0
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX3SN016KB-LTI image-sensors
NOIX3SN016KB-LTI
Виробник: onsemi
Description: XGS16MP 6PORT MONOCRA_
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4000H x 4000V
Supplier Device Package: 163-ILGA (21.5x19.5)
Frames per Second: 21.0
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+37471.04 грн
5+34056.63 грн
10+33300.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
N01L63W2AT25I n01l63w2a-d.pdf
N01L63W2AT25I
Виробник: onsemi
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
149+133.90 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
N01L63W3AT25I n01l63w3a.pdf
N01L63W3AT25I
Виробник: onsemi
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 64K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 528810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
149+134.91 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
N01L83W2AT25IT n01l83w2a-d.pdf
N01L83W2AT25IT
Виробник: onsemi
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-LFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 32-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
164+121.91 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NOIP1SN010KA-GDI NOIP1SN0xxKA_Series.pdf
Виробник: onsemi
Description: IC IMAGE SENS 10MP CMOS 355CPGA
Packaging: Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+80216.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z6V2ST1G mm3z2v4st1-d.pdf
MM3Z6V2ST1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 6.2V 300MW SOD323
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX2SE016KB-LTI image-sensors
NOIX2SE016KB-LTI
Виробник: onsemi
Description: XGS16MP 12PORT COLORCR
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4000H x 4000V
Supplier Device Package: 163-ILGA (21.5x19.5)
Frames per Second: 42.0
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+49359.16 грн
5+40293.56 грн
10+38033.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NOIX1SE016KB-LTI image-sensors
Виробник: onsemi
Description: XGS16M 24PORT COLOR_CRA
Packaging: Tray
Package / Case: 163-BCLGA
Type: CMOS
Pixel Size: 3.2µm x 3.2µm
Active Pixel Array: 4000H x 4000V
Supplier Device Package: 163-ILGA (21.5x19.5)
Frames per Second: 65
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+52063.32 грн
10+48061.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 243 486 729 972 1084 1085 1086 1087 1088 1089 1090 1091 1092 1093 1094 1215 1458 1701 1944 2187 2430 2437  [ Наступна Сторінка >> ]