Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (144164) > Сторінка 1861 з 2403

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 240 480 720 960 1200 1440 1680 1856 1857 1858 1859 1860 1861 1862 1863 1864 1865 1866 1920 2160 2400 2403  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
CAT5113VI-01-GT3 CAT5113VI-01-GT3 ONSEMI 1750550.pdf Description: ONSEMI - CAT5113VI-01-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 1 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Widerstandstoleranz: 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 1kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+430.88 грн
10+282.87 грн
25+243.40 грн
50+203.11 грн
100+154.36 грн
250+137.44 грн
500+134.62 грн
1000+131.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5113VI-01-GT3 CAT5113VI-01-GT3 ONSEMI 1750550.pdf Description: ONSEMI - CAT5113VI-01-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 1 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Widerstandstoleranz: 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 1kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.90 грн
250+132.51 грн
500+130.39 грн
1000+129.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCL31010GEVK NCL31010GEVK ONSEMI 3792495.pdf Description: ONSEMI - NCL31010GEVK - Evaluationskit, NCL31010, synchron Buck, analog, PWM, LED-Treiber
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: NCL31010REFGEVB: intelligentes LED-Treiber-Referenzdesign, PoE-Schnittstelle, NCL31010AASGEVB: Shield, Kabel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
Ausgangsspannung: -
Core-Chip: NCL31010
Dimmsteuerung: Analog, PWM
Eingangsspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bausteintopologie: Synchron-Abwärtswandler
Eingangsspannung, min.: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anzahl der Ausgänge: -
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15974.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZ FDP5N50NZ ONSEMI 2729258.pdf Description: ONSEMI - FDP5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.70 грн
10+109.37 грн
100+85.52 грн
500+65.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50FT FDPF5N50FT ONSEMI ONSM-S-A0003584099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDPF5N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.25 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 58950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+79.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF8N50NZU FDPF8N50NZU ONSEMI FDPF8N50NZU-D.pdf Description: ONSEMI - FDPF8N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.5 A, 1 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZ FDP8N50NZ ONSEMI FDPF8N50NZ-D.pdf Description: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF8N50NZ FDPF8N50NZ ONSEMI FDPF8N50NZ-D.pdf Description: ONSEMI - FDPF8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 40.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 40.3
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75852G3 HUF75852G3 ONSEMI HUF75852G3-D.pdf Description: ONSEMI - HUF75852G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL. FDB7030BL. ONSEMI 2572500.pdf Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL. FDB7030BL. ONSEMI 2572500.pdf Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ16DFT2G NL17SZ16DFT2G ONSEMI 2354014.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ16DFT2G - Logik, Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 84523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+6.04 грн
284+2.90 грн
388+2.12 грн
500+1.68 грн
1000+1.45 грн
5000+1.30 грн
10000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ16XV5T2G NL17SZ16XV5T2G ONSEMI NL17SZ16-D.PDF Description: ONSEMI - NL17SZ16XV5T2G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ16DBVT1G NL17SZ16DBVT1G ONSEMI NL17SZ16-D.PDF Description: ONSEMI - NL17SZ16DBVT1G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV553SQ30T1G NCV553SQ30T1G ONSEMI NCP553-D.PDF Description: ONSEMI - NCV553SQ30T1G - LDO REGULATOR, 80 MA, ULTRA-LOW IQ 3.0V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8114BSN300T1G NCV8114BSN300T1G ONSEMI NCV8114-D.PDF Description: ONSEMI - NCV8114BSN300T1G - LDO REGULATOR, 300 MA, LOW IQ 3.0V HZ
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5115YI-50-GT3 CAT5115YI-50-GT3 ONSEMI CAT5115-D.PDF Description: ONSEMI - CAT5115YI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1096PAR2G NCP1096PAR2G ONSEMI ONSM-S-A0014909824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: TSSOP-EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Schaltfrequenz, max.: 26.8kHz
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Tastverhältnis (%): -
Frequenz: -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung: 57V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.64 грн
250+117.00 грн
500+110.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1096PAR2G NCP1096PAR2G ONSEMI ONSM-S-A0014909824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: TSSOP-EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Schaltfrequenz, max.: 26.8kHz
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Tastverhältnis (%): -
Frequenz: -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung: 57V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.86 грн
10+164.46 грн
25+157.88 грн
50+139.73 грн
100+122.64 грн
250+117.00 грн
500+110.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1095DBR2 ONSEMI 2850010.pdf Description: ONSEMI - NCP1095DBR2 - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
Bauform - Controller-IC: TSSOP
Ausgangsstrom: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): -
Frequenz: -
Leistung, max.: 90
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung: 57
Anzahl der Pins: 16
UVLO: 32.3
Produktpalette: -
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG5060 RHRG5060 ONSEMI 1863521.pdf Description: ONSEMI - RHRG5060 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 50 ns, 500 A
Bauform - Diode: TO-247AB
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1
Sperrverzögerungszeit: 50
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRG5
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.47 грн
10+248.33 грн
100+172.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NL7SZ18DBVT1G NL7SZ18DBVT1G ONSEMI NL7SZ18-D.PDF Description: ONSEMI - NL7SZ18DBVT1G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74LCX138DR2G NLV74LCX138DR2G ONSEMI MC74LCX138-D.PDF Description: ONSEMI - NLV74LCX138DR2G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SV19L6X NC7SV19L6X ONSEMI NC7SV19-D.pdf Description: ONSEMI - NC7SV19L6X - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGF23N60UFTU. ONSEMI SGF23N60UF-D.pdf Description: ONSEMI - SGF23N60UFTU. - IGBT, 600V, PT
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSAL200QSCX FSAL200QSCX ONSEMI 2299862.pdf Description: ONSEMI - FSAL200QSCX - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 2:1, 4 Schaltkreise, 12 Ohm, 3V bis 5.5V, QSOP-16
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - analoger Multiplexer: QSOP
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Multiplexerkonfiguration: 2:1
Anzahl der Schaltkreise: 4
Durchlasswiderstand, max.: 12
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.19 грн
10+93.74 грн
100+73.68 грн
500+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P ONSEMI FDN306P-D.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.58 грн
50+31.08 грн
100+19.49 грн
500+15.04 грн
1500+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 FDBL9406-F085T6 ONSEMI FDBL9406-F085T6-D.PDF Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+203.11 грн
500+164.17 грн
1000+148.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 FDBL9406-F085T6 ONSEMI FDBL9406-F085T6-D.PDF Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+286.16 грн
50+221.20 грн
100+203.11 грн
500+164.17 грн
1000+148.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30C02CH-TL-E ONSEMI 2907275.pdf Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 540
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.42 грн
36+23.02 грн
100+14.39 грн
500+7.48 грн
3000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30C02CH-TL-E ONSEMI 2907275.pdf Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Verlustleistung: 700
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.48 грн
3000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5109BDR2G NCP5109BDR2G ONSEMI NCP5109-D.PDF Description: ONSEMI - NCP5109BDR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV333ASN2T1G NCV333ASN2T1G ONSEMI ncs333-d.pdf Description: ONSEMI - NCV333ASN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.90 грн
50+54.85 грн
100+42.51 грн
500+30.39 грн
1500+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20091SQ3T2G NCV20091SQ3T2G ONSEMI ncs2009-d.pdf Description: ONSEMI - NCV20091SQ3T2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Eingang, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.55 грн
33+25.33 грн
100+21.13 грн
500+16.26 грн
1000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L FDT86246L ONSEMI 2729208.pdf Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.73 грн
250+31.08 грн
1000+27.26 грн
2000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5333ASX FAN5333ASX ONSEMI 2572368.pdf Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.17 грн
250+72.60 грн
500+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065007K4S UF3SC065007K4S ONSEMI UF3SC065007K4S-D.PDF Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 6700 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5205.96 грн
5+4945.29 грн
10+4567.86 грн
50+3891.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0530P2T5G NSR0530P2T5G ONSEMI 2354111.pdf Description: ONSEMI - NSR0530P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 500 mA, 620 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 620mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZNZ9F5V1T5G SZNZ9F5V1T5G ONSEMI nz9f2v4-d.pdf Description: ONSEMI - SZNZ9F5V1T5G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZNZ9FxxxxT5G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.81 грн
36+23.27 грн
100+13.73 грн
500+8.70 грн
1000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363ZR QSB363ZR ONSEMI QSB363-D.pdf Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Abstrahlwinkel: 24°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.56 грн
37+22.28 грн
100+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34GR QSB34GR ONSEMI QSB34-D.PDF Description: ONSEMI - QSB34GR - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 30nA Dunkelstrom, 940nm, PLCC-2
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°
euEccn: NLR
Dunkelstrom: 0.03µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.81 грн
15+56.33 грн
50+51.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363ZR QSB363ZR ONSEMI QSB363-D.pdf Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Abstrahlwinkel: 24°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363 QSB363 ONSEMI QSB363-D.pdf Description: ONSEMI - QSB363 - Fototransistor, 940 nm, 12 °, 75 mW, 2 Pin(s)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Stromverbrauch: 75
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 12
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 940
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34CZR QSB34CZR ONSEMI QSB34-D.PDF Description: ONSEMI - QSB34CZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34ZR QSB34ZR ONSEMI QSB34-D.PDF Description: ONSEMI - QSB34ZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V6LT1G BZX84C3V6LT1G ONSEMI bzx84c2v4lt1-d.pdf Description: ONSEMI - BZX84C3V6LT1G - Zener-Diode, 3.6 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 26974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+13.57 грн
101+8.21 грн
164+5.02 грн
500+3.34 грн
1500+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UC3525AN UC3525AN ONSEMI 1506477.pdf description Description: ONSEMI - UC3525AN - IC, PWM CONTROLLER
Bauform - Controller-IC: DIP
Ausgangsstrom: 200
Ausgangsspannung: 18
Frequenz: 430
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 8
Eingangsspannung: 35
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P FDC6318P ONSEMI ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.33 грн
17+49.58 грн
100+32.97 грн
500+25.66 грн
1000+21.64 грн
5000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SL05T1G SL05T1G ONSEMI sl05t1-d.pdf Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.89 грн
52+15.87 грн
100+11.43 грн
500+7.94 грн
1000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SL05T1G SL05T1G ONSEMI 2578376.pdf Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.75 грн
500+8.86 грн
1000+7.33 грн
5000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3S UJ3C065030T3S ONSEMI 3750906.pdf Description: ONSEMI - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1892.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K4S UF3C065040K4S ONSEMI DS_UF3C065040K4S.pdf Description: ONSEMI - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1232.62 грн
5+1059.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K3S UF3C065040K3S ONSEMI 3750886.pdf Description: ONSEMI - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1490.00 грн
5+1210.42 грн
10+930.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3S UJ3C065030K3S ONSEMI 3750905.pdf Description: ONSEMI - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1841.12 грн
5+1508.91 грн
10+1176.71 грн
50+1055.24 грн
100+938.83 грн
250+919.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030T3S UF3C065030T3S ONSEMI 3750884.pdf Description: ONSEMI - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1765.47 грн
5+1433.26 грн
10+1101.06 грн
50+990.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K3S UF3C120080K3S ONSEMI 3750895.pdf Description: ONSEMI - UF3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1223.58 грн
5+1050.89 грн
10+878.21 грн
50+750.58 грн
100+656.90 грн
250+620.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120016K3S UF3SC120016K3S ONSEMI UF3SC120016K3S-D.PDF Description: ONSEMI - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4434.65 грн
5+4075.30 грн
10+3715.96 грн
50+3381.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1G HN1B01FDW1T1G ONSEMI ONSM-S-A0013684659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.64 грн
67+12.42 грн
106+7.83 грн
500+4.92 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1G ONSEMI HN2D02FUTW1T1-D.pdf Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HN2D0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+12.75 грн
112+7.36 грн
113+7.29 грн
500+6.11 грн
1500+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1G ONSEMI HN2D02FUTW1T1-D.pdf Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
Bauform - Diode: SC-88
Durchlassstoßstrom: 1
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 3
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: HN2D0
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5113VI-01-GT3 1750550.pdf
CAT5113VI-01-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-01-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 1 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Widerstandstoleranz: 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 1kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+430.88 грн
10+282.87 грн
25+243.40 грн
50+203.11 грн
100+154.36 грн
250+137.44 грн
500+134.62 грн
1000+131.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5113VI-01-GT3 1750550.pdf
CAT5113VI-01-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113VI-01-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 1 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
tariffCode: 85423990
Bauform - Potentiometer: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Widerstandstoleranz: 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Temperaturkoeffizient: +300ppm/°C
euEccn: NLR
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 1kohm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+145.90 грн
250+132.51 грн
500+130.39 грн
1000+129.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCL31010GEVK 3792495.pdf
NCL31010GEVK
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL31010GEVK - Evaluationskit, NCL31010, synchron Buck, analog, PWM, LED-Treiber
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: NCL31010REFGEVB: intelligentes LED-Treiber-Referenzdesign, PoE-Schnittstelle, NCL31010AASGEVB: Shield, Kabel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
isCanonical: Y
Ausgangsspannung: -
Core-Chip: NCL31010
Dimmsteuerung: Analog, PWM
Eingangsspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bausteintopologie: Synchron-Abwärtswandler
Eingangsspannung, min.: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anzahl der Ausgänge: -
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+15974.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDP5N50NZ 2729258.pdf
FDP5N50NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP5N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 78
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 78
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.38
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+121.70 грн
10+109.37 грн
100+85.52 грн
500+65.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF5N50FT ONSM-S-A0003584099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDPF5N50FT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF5N50FT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.5 A, 1.25 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: UniFET FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 58950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+79.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF8N50NZU FDPF8N50NZU-D.pdf
FDPF8N50NZU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF8N50NZU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.5 A, 1 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDP8N50NZ FDPF8N50NZ-D.pdf
FDP8N50NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: UniFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF8N50NZ FDPF8N50NZ-D.pdf
FDPF8N50NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF8N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.77 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 40.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 40.3
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.77
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75852G3 HUF75852G3-D.pdf
HUF75852G3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75852G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 75 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 75
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL. 2572500.pdf
FDB7030BL.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 60
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030BL. 2572500.pdf
FDB7030BL.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 60
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068
Qualifikation: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ16DFT2G 2354014.pdf
NL17SZ16DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ16DFT2G - Logik, Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: -
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 84523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
137+6.04 грн
284+2.90 грн
388+2.12 грн
500+1.68 грн
1000+1.45 грн
5000+1.30 грн
10000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ16XV5T2G NL17SZ16-D.PDF
NL17SZ16XV5T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ16XV5T2G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ16DBVT1G NL17SZ16-D.PDF
NL17SZ16DBVT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ16DBVT1G - SINGLE BUFFER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV553SQ30T1G NCP553-D.PDF
NCV553SQ30T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV553SQ30T1G - LDO REGULATOR, 80 MA, ULTRA-LOW IQ 3.0V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8114BSN300T1G NCV8114-D.PDF
NCV8114BSN300T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8114BSN300T1G - LDO REGULATOR, 300 MA, LOW IQ 3.0V HZ
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5115YI-50-GT3 CAT5115-D.PDF
CAT5115YI-50-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5115YI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1096PAR2G ONSM-S-A0014909824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP1096PAR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: TSSOP-EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Schaltfrequenz, max.: 26.8kHz
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Tastverhältnis (%): -
Frequenz: -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung: 57V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+122.64 грн
250+117.00 грн
500+110.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1096PAR2G ONSM-S-A0014909824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NCP1096PAR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1096PAR2G - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bauform - Controller-IC: TSSOP-EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Schaltfrequenz, max.: 26.8kHz
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Tastverhältnis (%): -
Frequenz: -
Leistung, max.: 90W
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung: 57V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Ausgangsstrom, max.: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
UVLO: 32.3V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+171.86 грн
10+164.46 грн
25+157.88 грн
50+139.73 грн
100+122.64 грн
250+117.00 грн
500+110.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1095DBR2 2850010.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1095DBR2 - POWER OVER ETHERNET (POE) CONTROLLERS IC
Bauform - Controller-IC: TSSOP
Ausgangsstrom: -
PoE-Standard: IEEE 802.3af, 802.3at, 802.3bt
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Tastverhältnis (%): -
Frequenz: -
Leistung, max.: 90
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung: 57
Anzahl der Pins: 16
UVLO: 32.3
Produktpalette: -
PoE-Controller: PD-Controller
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RHRG5060 1863521.pdf
RHRG5060
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RHRG5060 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 50 A, Einfach, 2.1 V, 50 ns, 500 A
Bauform - Diode: TO-247AB
Durchlassstoßstrom: 500
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1
Sperrverzögerungszeit: 50
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: RHRG5
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+275.47 грн
10+248.33 грн
100+172.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NL7SZ18DBVT1G NL7SZ18-D.PDF
NL7SZ18DBVT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL7SZ18DBVT1G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74LCX138DR2G MC74LCX138-D.PDF
NLV74LCX138DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74LCX138DR2G - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SV19L6X NC7SV19-D.pdf
NC7SV19L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SV19L6X - DECODERS / ENCODERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGF23N60UFTU. SGF23N60UF-D.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SGF23N60UFTU. - IGBT, 600V, PT
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSAL200QSCX 2299862.pdf
FSAL200QSCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSAL200QSCX - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 2:1, 4 Schaltkreise, 12 Ohm, 3V bis 5.5V, QSOP-16
Versorgungsspannung: 3V bis 5.5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40
Bauform - analoger Multiplexer: QSOP
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Multiplexerkonfiguration: 2:1
Anzahl der Schaltkreise: 4
Durchlasswiderstand, max.: 12
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+110.19 грн
10+93.74 грн
100+73.68 грн
500+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P-D.pdf
FDN306P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 34155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+49.58 грн
50+31.08 грн
100+19.49 грн
500+15.04 грн
1500+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 FDBL9406-F085T6-D.PDF
FDBL9406-F085T6
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+203.11 грн
500+164.17 грн
1000+148.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9406-F085T6 FDBL9406-F085T6-D.PDF
FDBL9406-F085T6
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9406-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 136.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+286.16 грн
50+221.20 грн
100+203.11 грн
500+164.17 грн
1000+148.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30C02CH-TL-E 2907275.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
Verlustleistung: 700
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 540
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
28+30.42 грн
36+23.02 грн
100+14.39 грн
500+7.48 грн
3000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
30C02CH-TL-E 2907275.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 30C02CH-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 700 mA, 700 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Verlustleistung: 700
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+7.48 грн
3000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5109BDR2G NCP5109-D.PDF
NCP5109BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5109BDR2G - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
Sinkstrom: 500
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Quellstrom: 250
Versorgungsspannung, min.: 10
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 100
Ausgabeverzögerung: 100
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV333ASN2T1G ncs333-d.pdf
NCV333ASN2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV333ASN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+106.90 грн
50+54.85 грн
100+42.51 грн
500+30.39 грн
1500+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV20091SQ3T2G ncs2009-d.pdf
NCV20091SQ3T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20091SQ3T2G - Operationsverstärker, Rail-to-Rail-Eingang, 1 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+33.55 грн
33+25.33 грн
100+21.13 грн
500+16.26 грн
1000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDT86246L 2729208.pdf
FDT86246L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDT86246L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+32.73 грн
250+31.08 грн
1000+27.26 грн
2000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FAN5333ASX 2572368.pdf
FAN5333ASX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN5333ASX - LED-Treiber, Boost (Aufwärts), 1 Ausgang, 1.8V bis 5.5Vin, 30V/1.5MHz, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+80.17 грн
250+72.60 грн
500+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC065007K4S UF3SC065007K4S-D.PDF
UF3SC065007K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC065007K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 650 V, 6700 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+5205.96 грн
5+4945.29 грн
10+4567.86 грн
50+3891.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0530P2T5G 2354111.pdf
NSR0530P2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0530P2T5G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 500 mA, 620 mV, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
Durchlassstoßstrom: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 620mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 500mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: NSR05
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SZNZ9F5V1T5G nz9f2v4-d.pdf
SZNZ9F5V1T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZNZ9F5V1T5G - Zener-Diode, 5.1 V, 250 mW, SOD-923, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZNZ9FxxxxT5G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
26+32.81 грн
36+23.27 грн
100+13.73 грн
500+8.70 грн
1000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363ZR QSB363-D.pdf
QSB363ZR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Abstrahlwinkel: 24°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
26+32.56 грн
37+22.28 грн
100+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34GR QSB34-D.PDF
QSB34GR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34GR - Fotodiode, 60° Winkel für halbe Empfindlichkeit, 30nA Dunkelstrom, 940nm, PLCC-2
tariffCode: 85414900
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60°
euEccn: NLR
Dunkelstrom: 0.03µA
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940nm
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+88.81 грн
15+56.33 грн
50+51.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363ZR QSB363-D.pdf
QSB363ZR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB363ZR - Fototransistor, 940 nm, 24 °, 75 mW, 2 Pin(s), T-3/4 (1.8mm)
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 940nm
Stromverbrauch: 75mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Abstrahlwinkel: 24°
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: T-3/4 (1.8mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSB363 QSB363-D.pdf
QSB363
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB363 - Fototransistor, 940 nm, 12 °, 75 mW, 2 Pin(s)
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Stromverbrauch: 75
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 12
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 940
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34CZR QSB34-D.PDF
QSB34CZR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34CZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QSB34ZR QSB34-D.PDF
QSB34ZR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSB34ZR - Fotodiode, 30nA, 940nm, 60°, -25°C bis 85°C, Oberflächenmontage, PLCC-2
Bauform - Diode: PLCC
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 60
Dunkelstrom: 0.03
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -25
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 940
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V6LT1G bzx84c2v4lt1-d.pdf
BZX84C3V6LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C3V6LT1G - Zener-Diode, 3.6 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 26974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
61+13.57 грн
101+8.21 грн
164+5.02 грн
500+3.34 грн
1500+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UC3525AN description 1506477.pdf
UC3525AN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UC3525AN - IC, PWM CONTROLLER
Bauform - Controller-IC: DIP
Ausgangsstrom: 200
Ausgangsspannung: 18
Frequenz: 430
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 8
Eingangsspannung: 35
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6318P ONSM-S-A0003586855-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC6318P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC6318P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 960mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+81.33 грн
17+49.58 грн
100+32.97 грн
500+25.66 грн
1000+21.64 грн
5000+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SL05T1G sl05t1-d.pdf
SL05T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOT-23
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 225mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+26.89 грн
52+15.87 грн
100+11.43 грн
500+7.94 грн
1000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SL05T1G 2578376.pdf
SL05T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SL05T1G - ESD-Schutzbaustein, 11 V, SOT-23, 3 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 11V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+12.75 грн
500+8.86 грн
1000+7.33 грн
5000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030T3S 3750906.pdf
UJ3C065030T3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1892.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K4S DS_UF3C065040K4S.pdf
UF3C065040K4S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065040K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1232.62 грн
5+1059.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065040K3S 3750886.pdf
UF3C065040K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065040K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.042 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1490.00 грн
5+1210.42 грн
10+930.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C065030K3S 3750905.pdf
UJ3C065030K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UJ3C065030K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1841.12 грн
5+1508.91 грн
10+1176.71 грн
50+1055.24 грн
100+938.83 грн
250+919.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C065030T3S 3750884.pdf
UF3C065030T3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C065030T3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-220
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 441W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1765.47 грн
5+1433.26 грн
10+1101.06 грн
50+990.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120080K3S 3750895.pdf
UF3C120080K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3C120080K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 254.2W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1223.58 грн
5+1050.89 грн
10+878.21 грн
50+750.58 грн
100+656.90 грн
250+620.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120016K3S UF3SC120016K3S-D.PDF
UF3SC120016K3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UF3SC120016K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4434.65 грн
5+4075.30 грн
10+3715.96 грн
50+3381.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B01FDW1T1G ONSM-S-A0013684659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HN1B01FDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
40+20.64 грн
67+12.42 грн
106+7.83 грн
500+4.92 грн
1000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1-D.pdf
HN2D02FUTW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 3ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HN2D0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
65+12.75 грн
112+7.36 грн
113+7.29 грн
500+6.11 грн
1500+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D02FUTW1T1G HN2D02FUTW1T1-D.pdf
HN2D02FUTW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1G - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 3 ns, 1 A
Bauform - Diode: SC-88
Durchlassstoßstrom: 1
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2
Sperrverzögerungszeit: 3
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: HN2D0
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 240 480 720 960 1200 1440 1680 1856 1857 1858 1859 1860 1861 1862 1863 1864 1865 1866 1920 2160 2400 2403  [ Наступна Сторінка >> ]