Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (145262) > Сторінка 1860 з 2422

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1855 1856 1857 1858 1859 1860 1861 1862 1863 1864 1865 1936 2178 2420 2422  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NC7SZU04FHX NC7SZU04FHX ONSEMI NC7SZU04-D.PDF Description: ONSEMI - NC7SZU04FHX - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), UDFN, NC7SZU04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7SZU
Bauform - Logikbaustein: UDFN
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZU04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1. FCPF380N65FL1. ONSEMI FCPF380N65FL1-D.pdf Description: ONSEMI - FCPF380N65FL1. - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85-C30 BZX85-C30 ONSEMI 2303870.pdf Description: ONSEMI - BZX85-C30 - Zener-Diode, 30 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 30
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV891330PD40R2G NCV891330PD40R2G ONSEMI ncv891330-d.pdf Description: ONSEMI - NCV891330PD40R2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), AEC-Q100, 3.7V bis 36Vin, 4V/3Aout, 2MHz, HSOIC-8
Schaltfrequenz: 2
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: HSOIC
Ausgangsstrom: 3
Nennausgangsspannung: 4
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Eingangsspannung, max.: 36
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3.7
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 FDA38N30 ONSEMI fda38n30-d.pdf Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50F FDA20N50F ONSEMI 2572497.pdf Description: ONSEMI - FDA20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.22 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 22
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 388
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 388
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSA4157P6X FSA4157P6X ONSEMI 2299501.pdf Description: ONSEMI - FSA4157P6X - SCHALTER,ANALOG, SPDT, SC70-5
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einschaltwiderstand, max.: 1.15ohm
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, typ.: 0.95ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPDT
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 1.15ohm
на замовлення 4327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85-C33 BZX85-C33 ONSEMI 2303870.pdf Description: ONSEMI - BZX85-C33 - Zener-Diode, 33 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 33
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74VHC595DTR2G NLV74VHC595DTR2G ONSEMI MC74VHC595-D.PDF Description: ONSEMI - NLV74VHC595DTR2G - SHIFT REGISTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NB3L553DR2G NB3L553DR2G ONSEMI 2354008.pdf Description: ONSEMI - NB3L553DR2G - Takt-Fanout-Puffer 1:4, bis zu 200MHz, Three-State-Modus, 4 Ausgänge, 2.375V bis 5.25V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.375V
euEccn: NLR
Takt-IC: Fanout-Puffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NB3L553DR2G NB3L553DR2G ONSEMI 2354008.pdf Description: ONSEMI - NB3L553DR2G - Takt-Fanout-Puffer 1:4, bis zu 200MHz, Three-State-Modus, 4 Ausgänge, 2.375V bis 5.25V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.375V
euEccn: NLR
Takt-IC: Fanout-Puffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ74L8X NC7SZ74L8X ONSEMI 2287744.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ74L8X - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, NC7S74, D, 250 MHz, MLP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MLP
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Flip-Flop-Typ: D
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
Ausbreitungsverzögerung: -
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 ONSEMI ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8978 FDS8978 ONSEMI ONSM-S-A0014832224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 FDS8984 ONSEMI ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949-F085 FDS8949-F085 ONSEMI 2277575.pdf Description: ONSEMI - FDS8949-F085 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSE44H11 KSE44H11 ONSEMI KSE44H-D.pdf Description: ONSEMI - KSE44H11 - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSE44H11TU KSE44H11TU ONSEMI 694309.pdf Description: ONSEMI - KSE44H11TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 1.67 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.67
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF FQT5P10TF ONSEMI 2285753.pdf Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9403-F085T6 FDBL9403-F085T6 ONSEMI ONSM-S-A0015368698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL9403-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 840 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 159.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9403L-F085 FDBL9403L-F085 ONSEMI ONSM-S-A0015368341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.00072 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 357.1W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00072ohm
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9403L-F085 FDBL9403L-F085 ONSEMI ONSM-S-A0015368341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.00072 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 357.1W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00072ohm
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40 FDBL0090N40 ONSEMI FDBL0090N40-D.pdf Description: ONSEMI - FDBL0090N40 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SHN1B01FDW1T1G SHN1B01FDW1T1G ONSEMI hn1b01fdw1t1-d.pdf Description: ONSEMI - SHN1B01FDW1T1G - NPN PNP BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCS21801SQ3T2G NCS21801SQ3T2G ONSEMI ncs21801-d.pdf Description: ONSEMI - NCS21801SQ3T2G - Operationsverstärker, 1.5 MHz, 0.7 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 0.7V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -888
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -888
Bandbreite: 1.5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 FQP45N15V2 ONSEMI ONSM-S-A0003588017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 220W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-H. 2SD1803S-H. ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1803S-H. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-TL-E. 2SD1803S-TL-E. ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1803S-TL-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-E. 2SD1803T-E. ONSEMI EN2085-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1803T-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ04P6X NC7WZ04P6X ONSEMI NC7WZ04-D.PDF Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ04P6X. NC7WZ04P6X. ONSEMI 2277582.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X. - LOGIC, INVERTER, SINGLE, SC-70-6, FULL REEL
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A FDS9431A ONSEMI 2304010.pdf Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9400A FDS9400A ONSEMI 2304004.pdf Description: ONSEMI - FDS9400A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPDB40PH60B FPDB40PH60B ONSEMI 2859371.pdf Description: ONSEMI - FPDB40PH60B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 40 A, 2.5 kV, SPMGC-027, SPM3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: SPMGC-027
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2.5kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 40A
Produktpalette: PFC SPM 3 Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
usEccn: EAR99
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FPDB60PH60B FPDB60PH60B ONSEMI FPDB60PH60B-D.pdf Description: ONSEMI - FPDB60PH60B - PFC INTELLIGENT POWER MODULE, 600V, 60A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0 FCD360N65S3R0 ONSEMI FCD360N65S3R0-D.PDF Description: ONSEMI - FCD360N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60E FCD380N60E ONSEMI ONSM-S-A0003584659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCD380N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z FCD850N80Z ONSEMI FCU850N80Z-D.pdf Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 75
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z FCD850N80Z ONSEMI FCU850N80Z-D.pdf Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.71
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80Z FCD1300N80Z ONSEMI 2859337.pdf Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0 FCD600N65S3R0 ONSEMI FCD600N65S3R0-D.PDF Description: ONSEMI - FCD600N65S3R0 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z FCD2250N80Z ONSEMI 2907347.pdf Description: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 2.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 39
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 39
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.87
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 FCD260N65S3 ONSEMI 2859338.pdf Description: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 ONSEMI 2859338.pdf Description: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80Z ONSEMI 2859337.pdf Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z ONSEMI 2907347.pdf Description: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK)
Verlustleistung: 39
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N457TR 1N457TR ONSEMI FAIRS28741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N457TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 200 mA, 1 V, 4 A
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1N457T
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DTRK3.3G NCV33269DTRK3.3G ONSEMI MC33269-D.PDF Description: ONSEMI - NCV33269DTRK3.3G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DTRK5.0G NCV33269DTRK5.0G ONSEMI MC33269-D.PDF Description: ONSEMI - NCV33269DTRK5.0G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DTRKG NCV33269DTRKG ONSEMI MC33269-D.PDF Description: ONSEMI - NCV33269DTRKG - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DT-5.0G. NCV33269DT-5.0G. ONSEMI MC33269-D.PDF Description: ONSEMI - NCV33269DT-5.0G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 825 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DTRK-12G. NCV33269DTRK-12G. ONSEMI MC33269-D.PDF Description: ONSEMI - NCV33269DTRK-12G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DR2G. NCV33269DR2G. ONSEMI MC33269-D.PDF Description: ONSEMI - NCV33269DR2G. - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C3V6 BZX79C3V6 ONSEMI BZX79C2V4-D.PDF Description: ONSEMI - BZX79C3V6 - Zener-Diode, 3.6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FNB41060B2 FNB41060B2 ONSEMI ONSM-S-A0003587311-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FNB41060B2 - INTELLIGENT POWER MODULES
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSV2060L FSV2060L ONSEMI fsv2060l-d.pdf Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 320A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FSV20120V FSV20120V ONSEMI fsv20120v-d.pdf Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 790mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FSV2060L FSV2060L ONSEMI fsv2060l-d.pdf Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 320A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 600mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSV20120V FSV20120V ONSEMI fsv20120v-d.pdf Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 790mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86580-F085 FDD86580-F085 ONSEMI ONSM-S-A0013178603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZU04FHX NC7SZU04-D.PDF
NC7SZU04FHX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZU04FHX - Logik-IC, Wechselrichter, Eins, 1 Inputs, 6 Pin(s), UDFN, NC7SZU04
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: NC7SZU
Bauform - Logikbaustein: UDFN
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: NC7SZU04
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1. FCPF380N65FL1-D.pdf
FCPF380N65FL1.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF380N65FL1. - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85-C30 2303870.pdf
BZX85-C30
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C30 - Zener-Diode, 30 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 30
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV891330PD40R2G ncv891330-d.pdf
NCV891330PD40R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV891330PD40R2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), AEC-Q100, 3.7V bis 36Vin, 4V/3Aout, 2MHz, HSOIC-8
Schaltfrequenz: 2
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: HSOIC
Ausgangsstrom: 3
Nennausgangsspannung: 4
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Eingangsspannung, max.: 36
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: 3.7
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDA38N30 fda38n30-d.pdf
FDA38N30
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA38N30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.07 ohm, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDA20N50F 2572497.pdf
FDA20N50F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.22 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 22
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 388
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 388
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSA4157P6X 2299501.pdf
FSA4157P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSA4157P6X - SCHALTER,ANALOG, SPDT, SC70-5
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analogschalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einschaltwiderstand, max.: 1.15ohm
Versorgungsspannung: 1.65V bis 5.5V
Einschaltwiderstand, typ.: 0.95ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: SPDT
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 1.15ohm
на замовлення 4327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85-C33 2303870.pdf
BZX85-C33
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C33 - Zener-Diode, 33 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 33
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74VHC595DTR2G MC74VHC595-D.PDF
NLV74VHC595DTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74VHC595DTR2G - SHIFT REGISTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NB3L553DR2G 2354008.pdf
NB3L553DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB3L553DR2G - Takt-Fanout-Puffer 1:4, bis zu 200MHz, Three-State-Modus, 4 Ausgänge, 2.375V bis 5.25V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.375V
euEccn: NLR
Takt-IC: Fanout-Puffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NB3L553DR2G 2354008.pdf
NB3L553DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB3L553DR2G - Takt-Fanout-Puffer 1:4, bis zu 200MHz, Three-State-Modus, 4 Ausgänge, 2.375V bis 5.25V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: SOIC
Frequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.375V
euEccn: NLR
Takt-IC: Fanout-Puffer
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ74L8X 2287744.pdf
NC7SZ74L8X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ74L8X - Flipflop, Komplementär-Ausgang, positive Taktflanke, NC7S74, D, 250 MHz, MLP
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
Logik-IC-Sockelnummer: 7474
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: MLP
IC-Ausgang: Komplementär
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Flip-Flop-Typ: D
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7S74
Ausbreitungsverzögerung: -
Triggertyp: Positive Taktflanke
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8984
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8978 ONSM-S-A0014832224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8978
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8978 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8984 ONSM-S-A0014832183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8984
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8984 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8949-F085 2277575.pdf
FDS8949-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8949-F085 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 6 A, 0.021 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSE44H11 KSE44H-D.pdf
KSE44H11
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSE44H11 - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSE44H11TU 694309.pdf
KSE44H11TU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSE44H11TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 1.67 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.67
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQT5P10TF 2285753.pdf
FQT5P10TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9403-F085T6 ONSM-S-A0015368698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL9403-F085T6
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9403-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 840 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 159.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9403L-F085 ONSM-S-A0015368341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL9403L-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.00072 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 357.1W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00072ohm
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL9403L-F085 ONSM-S-A0015368341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDBL9403L-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.00072 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 357.1W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00072ohm
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0090N40 FDBL0090N40-D.pdf
FDBL0090N40
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0090N40 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SHN1B01FDW1T1G hn1b01fdw1t1-d.pdf
SHN1B01FDW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SHN1B01FDW1T1G - NPN PNP BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCS21801SQ3T2G ncs21801-d.pdf
NCS21801SQ3T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS21801SQ3T2G - Operationsverstärker, 1.5 MHz, 0.7 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SC-70, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 0.7V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -888
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -888
Bandbreite: 1.5MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQP45N15V2 ONSM-S-A0003588017-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP45N15V2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP45N15V2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.034 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 220W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-H. EN2085-D.PDF
2SD1803S-H.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803S-H. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803S-TL-E. EN2085-D.PDF
2SD1803S-TL-E.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803S-TL-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1803T-E. EN2085-D.PDF
2SD1803T-E.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803T-E. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ04P6X NC7WZ04-D.PDF
NC7WZ04P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Anzahl der Elemente: Zwei
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ04P6X. 2277582.pdf
NC7WZ04P6X.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ04P6X. - LOGIC, INVERTER, SINGLE, SC-70-6, FULL REEL
Logik-IC-Familie: NC7W
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9431A 2304010.pdf
FDS9431A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9400A 2304004.pdf
FDS9400A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9400A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 3.4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FPDB40PH60B 2859371.pdf
FPDB40PH60B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPDB40PH60B - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 40 A, 2.5 kV, SPMGC-027, SPM3
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Bauform - IPM: SPMGC-027
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2.5kV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 40A
Produktpalette: PFC SPM 3 Series
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SPM3
usEccn: EAR99
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FPDB60PH60B FPDB60PH60B-D.pdf
FPDB60PH60B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPDB60PH60B - PFC INTELLIGENT POWER MODULE, 600V, 60A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD360N65S3R0 FCD360N65S3R0-D.PDF
FCD360N65S3R0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD360N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD380N60E ONSM-S-A0003584659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCD380N60E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD380N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.32 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z FCU850N80Z-D.pdf
FCD850N80Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 75
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD850N80Z FCU850N80Z-D.pdf
FCD850N80Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD850N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.71 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 75
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.71
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.71
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80Z 2859337.pdf
FCD1300N80Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD600N65S3R0 FCD600N65S3R0-D.PDF
FCD600N65S3R0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD600N65S3R0 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z 2907347.pdf
FCD2250N80Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 2.6
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 39
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 39
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.87
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 2859338.pdf
FCD260N65S3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCD260N65S3 2859338.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD260N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.222 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 90
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 90
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.222
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.222
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD1300N80Z 2859337.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD1300N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCD2250N80Z 2907347.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCD2250N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.87 ohm, TO-252 (DPAK)
Verlustleistung: 39
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.87
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N457TR FAIRS28741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N457TR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N457TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 70 V, 200 mA, 1 V, 4 A
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 1N457T
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DTRK3.3G MC33269-D.PDF
NCV33269DTRK3.3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK3.3G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DTRK5.0G MC33269-D.PDF
NCV33269DTRK5.0G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK5.0G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DTRKG MC33269-D.PDF
NCV33269DTRKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DTRKG - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DT-5.0G. MC33269-D.PDF
NCV33269DT-5.0G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DT-5.0G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 825 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DTRK-12G. MC33269-D.PDF
NCV33269DTRK-12G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DTRK-12G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33269DR2G. MC33269-D.PDF
NCV33269DR2G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33269DR2G. - LINEAR VOLTAGE REGULATOR, 800 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79C3V6 BZX79C2V4-D.PDF
BZX79C3V6
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C3V6 - Zener-Diode, 3.6 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FNB41060B2 ONSM-S-A0003587311-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FNB41060B2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FNB41060B2 - INTELLIGENT POWER MODULES
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSV2060L fsv2060l-d.pdf
FSV2060L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 320A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 600mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FSV20120V fsv20120v-d.pdf
FSV20120V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 790mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FSV2060L fsv2060l-d.pdf
FSV2060L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV2060L - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 320A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 600mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 60V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FSV20120V fsv20120v-d.pdf
FSV20120V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSV20120V - Schottky-Gleichrichterdiode, 120 V, 20 A, Einfach, TO-277, 3 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277
Durchlassstoßstrom: 270A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 790mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 120V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD86580-F085 ONSM-S-A0013178603-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDD86580-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86580-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 242 484 726 968 1210 1452 1694 1855 1856 1857 1858 1859 1860 1861 1862 1863 1864 1865 1936 2178 2420 2422  [ Наступна Сторінка >> ]