Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
QSB363GR | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
QSB363ZR | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
QSD123 | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 341 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
QSD124 | ONSEMI |
![]() Description: Phototransistor; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24° Mounting: THT Collector-emitter voltage: 30V LED diameter: 5mm LED lens: black with IR filter Viewing angle: 24° Type of photoelement: phototransistor Wavelength of peak sensitivity: 880nm кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
QSD2030 | ONSEMI |
![]() Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex Operating voltage: 1.3V LED diameter: 5mm Wavelength: 400...1100nm LED lens: transparent Viewing angle: 40° Type of photoelement: photodiode Wavelength of peak sensitivity: 880nm Front: convex Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
QSD2030F | ONSEMI |
![]() Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 700÷1100nm; 20°; 1.3V; convex; black Operating voltage: 1.3V LED diameter: 5mm Wavelength: 700...1100nm LED lens: black Viewing angle: 20° Type of photoelement: photodiode Wavelength of peak sensitivity: 880nm Front: convex Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1988 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
QSE113 | ONSEMI |
![]() Description: Phototransistor; 5mm; λp max: 880nm; 5V; 50° LED diameter: 5mm LED lens: black with IR filter Viewing angle: 50° Type of photoelement: phototransistor Wavelength of peak sensitivity: 880nm Mounting: THT Collector-emitter voltage: 5V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
QSE113E3R0 | ONSEMI |
![]() Description: Phototransistor; 1.65mm; λp max: 880nm; 30V; 50° LED diameter: 1.65mm LED lens: black with IR filter Viewing angle: 50° Type of photoelement: phototransistor Wavelength of peak sensitivity: 880nm Mounting: THT Collector-emitter voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
RB520S30T1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Case: SOD523 Max. off-state voltage: 30V Max. forward voltage: 0.6V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky switching Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RB520S30T5G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Case: SOD523 Max. off-state voltage: 30V Max. forward voltage: 0.6V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky switching Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3504 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
RB521S30T1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.5V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
RB521S30T5G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.5V Max. forward impulse current: 1A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RB751S40T1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 30mA Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.37V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RB751S40T5G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD523 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 30mA Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.37V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
RB751V40T1G | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape Type of diode: Schottky switching Case: SOD323 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 30mA Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.37V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4597 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RFD12N06RLESM9A | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1482 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
RFD14N05LSM | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RFD14N05LSM9A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2113 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RFD14N05SM9A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 14A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7964 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RFD16N05LSM9A | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2376 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RFD16N05SM9A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
RFD16N06LESM9A | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 16A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 62nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 360 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RFD3055LESM9A | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 414 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
RFP12N10L | ONSEMI |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RFP50N06 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Power dissipation: 131W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RFP70N06 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 689 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RGF1A | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGF1B | ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGF1D | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGF1G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2752 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RGF1J | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RGF1M | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
RS1A | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V Mounting: SMD Capacitance: 10pF Max. forward impulse current: 30A Max. off-state voltage: 50V Max. forward voltage: 1.3V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 150ns Power dissipation: 1.19W Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Case: DO214AC; SMA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7591 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
RS1D | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Capacitance: 10pF Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.19W Reverse recovery time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6820 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RS1G | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
RS1J | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V Mounting: SMD Capacitance: 10pF Max. forward impulse current: 30A Max. forward voltage: 1.3V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 250ns Power dissipation: 1.19W Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Max. off-state voltage: 0.6kV Case: DO214AC; SMA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 625 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RS1K | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
RS1M | ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 0.5µs Semiconductor structure: single diode Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Capacitance: 10pF Power dissipation: 1.19W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4937 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RSL10-002GEVB | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RSL10-COIN-GEVB | ONSEMI |
Category: Development kits - others Description: Expansion board; prototype board; Comp: RSL10 Type of accessories for development kits: expansion board Kit contents: prototype board Components: RSL10 Kind of connector: CR2032 development kits accessories features: Bluetooth board кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RSL10-SENSE-DB-GEVK | ONSEMI |
![]() Description: Dev.kit: evaluation; Bluetooth board Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10 Type of development kit: evaluation Programmers and development kits features: Bluetooth board кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RSL10-SENSE-GEVK | ONSEMI |
![]() Description: Dev.kit: evaluation; Bluetooth board Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10 Type of development kit: evaluation Programmers and development kits features: Bluetooth board кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RSL10-SIP-001GEVB | ONSEMI | RSL10-SIP-001GEVB Development kits - others |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RSL10-USB001GEVK | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
RURP15100-F085 | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S100 | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 100V; 1A; reel,tape Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Case: SMA Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 0.85V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S110FA | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S110FP | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S115FA | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S115FP | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S1AFL | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S1B | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S1BFL | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S1D | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 3215 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S1G | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 6783 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S1J | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S1K | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 1882 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S1M | ONSEMI |
![]() |
на замовлення 7157 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
S1MFL | ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S210 | ONSEMI |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 100V; 2A; reel,tape Mounting: SMD Case: SMB Max. off-state voltage: 100V Max. forward voltage: 0.85V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 50A Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
QSB363GR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QSB363GR Phototransistors
QSB363GR Phototransistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
QSB363ZR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QSB363ZR Phototransistors
QSB363ZR Phototransistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 289.80 грн |
57+ | 18.57 грн |
156+ | 17.58 грн |
2000+ | 17.42 грн |
QSD123 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
QSD123 Phototransistors
QSD123 Phototransistors
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 70.61 грн |
52+ | 20.18 грн |
143+ | 19.11 грн |
QSD124 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24°
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 30V
LED diameter: 5mm
LED lens: black with IR filter
Viewing angle: 24°
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; 5mm; λp max: 880nm; 30V; 24°
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 30V
LED diameter: 5mm
LED lens: black with IR filter
Viewing angle: 24°
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
QSD2030 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex
Operating voltage: 1.3V
LED diameter: 5mm
Wavelength: 400...1100nm
LED lens: transparent
Viewing angle: 40°
Type of photoelement: photodiode
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Front: convex
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 400÷1100nm; 40°; 1.3V; convex
Operating voltage: 1.3V
LED diameter: 5mm
Wavelength: 400...1100nm
LED lens: transparent
Viewing angle: 40°
Type of photoelement: photodiode
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Front: convex
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.76 грн |
10+ | 38.38 грн |
49+ | 21.71 грн |
134+ | 20.54 грн |
1000+ | 19.73 грн |
QSD2030F |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 700÷1100nm; 20°; 1.3V; convex; black
Operating voltage: 1.3V
LED diameter: 5mm
Wavelength: 700...1100nm
LED lens: black
Viewing angle: 20°
Type of photoelement: photodiode
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Front: convex
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Photodiodes
Description: Photodiode; 5mm; THT; 880nm; 700÷1100nm; 20°; 1.3V; convex; black
Operating voltage: 1.3V
LED diameter: 5mm
Wavelength: 700...1100nm
LED lens: black
Viewing angle: 20°
Type of photoelement: photodiode
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Front: convex
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 68.59 грн |
10+ | 40.52 грн |
25+ | 30.14 грн |
50+ | 24.22 грн |
51+ | 20.99 грн |
100+ | 19.11 грн |
QSE113 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; 5mm; λp max: 880nm; 5V; 50°
LED diameter: 5mm
LED lens: black with IR filter
Viewing angle: 50°
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 5V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; 5mm; λp max: 880nm; 5V; 50°
LED diameter: 5mm
LED lens: black with IR filter
Viewing angle: 50°
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.91 грн |
10+ | 54.03 грн |
35+ | 30.95 грн |
96+ | 29.24 грн |
250+ | 28.17 грн |
QSE113E3R0 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; 1.65mm; λp max: 880nm; 30V; 50°
LED diameter: 1.65mm
LED lens: black with IR filter
Viewing angle: 50°
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; 1.65mm; λp max: 880nm; 30V; 50°
LED diameter: 1.65mm
LED lens: black with IR filter
Viewing angle: 50°
Type of photoelement: phototransistor
Wavelength of peak sensitivity: 880nm
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RB520S30T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
35+ | 8.49 грн |
59+ | 4.75 грн |
82+ | 3.28 грн |
100+ | 2.83 грн |
607+ | 1.73 грн |
1000+ | 1.72 грн |
1500+ | 1.58 грн |
RB520S30T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 11.59 грн |
45+ | 6.24 грн |
58+ | 4.70 грн |
100+ | 3.29 грн |
500+ | 2.24 грн |
827+ | 1.26 грн |
2273+ | 1.20 грн |
RB521S30T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RB521S30T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RB751S40T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RB751S40T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD523; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RB751V40T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 30mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 30mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 8.69 грн |
45+ | 6.33 грн |
100+ | 4.47 грн |
436+ | 2.40 грн |
1198+ | 2.28 грн |
6000+ | 2.19 грн |
RFD12N06RLESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RFD12N06RLESM9A SMD N channel transistors
RFD12N06RLESM9A SMD N channel transistors
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 85.20 грн |
22+ | 48.88 грн |
60+ | 46.21 грн |
500+ | 46.11 грн |
RFD14N05LSM |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 77.28 грн |
10+ | 65.48 грн |
23+ | 47.54 грн |
61+ | 44.85 грн |
150+ | 43.15 грн |
RFD14N05LSM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.77 грн |
10+ | 56.45 грн |
33+ | 32.11 грн |
90+ | 30.32 грн |
500+ | 29.15 грн |
RFD14N05SM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 50.23 грн |
7+ | 44.90 грн |
25+ | 41.26 грн |
28+ | 38.39 грн |
76+ | 36.33 грн |
500+ | 34.89 грн |
RFD16N05LSM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RFD16N05LSM9A SMD N channel transistors
RFD16N05LSM9A SMD N channel transistors
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 115.92 грн |
20+ | 53.22 грн |
55+ | 50.32 грн |
RFD16N05SM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RFD16N05SM9A SMD N channel transistors
RFD16N05SM9A SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RFD16N06LESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 62nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 129.44 грн |
5+ | 110.85 грн |
11+ | 97.89 грн |
25+ | 95.98 грн |
30+ | 92.55 грн |
100+ | 90.60 грн |
500+ | 88.80 грн |
RFD3055LESM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RFD3055LESM9A SMD N channel transistors
RFD3055LESM9A SMD N channel transistors
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 107.23 грн |
34+ | 31.13 грн |
93+ | 29.42 грн |
RFP12N10L | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 120.75 грн |
10+ | 69.02 грн |
20+ | 52.83 грн |
55+ | 49.96 грн |
500+ | 48.08 грн |
RFP50N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 165.19 грн |
3+ | 141.59 грн |
10+ | 122.89 грн |
11+ | 104.95 грн |
28+ | 99.57 грн |
250+ | 95.08 грн |
RFP70N06 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 192.23 грн |
3+ | 167.67 грн |
9+ | 128.27 грн |
23+ | 121.10 грн |
250+ | 119.30 грн |
RGF1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RGF1G SMD universal diodes
RGF1G SMD universal diodes
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.17 грн |
73+ | 14.41 грн |
201+ | 13.62 грн |
RS1A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 150ns
Power dissipation: 1.19W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Case: DO214AC; SMA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 150ns
Power dissipation: 1.19W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Case: DO214AC; SMA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7591 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.88 грн |
13+ | 22.54 грн |
15+ | 18.12 грн |
50+ | 12.56 грн |
100+ | 11.03 грн |
107+ | 10.12 грн |
293+ | 9.57 грн |
RS1D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.19W
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Capacitance: 10pF
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.19W
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.01 грн |
15+ | 19.38 грн |
17+ | 16.15 грн |
112+ | 9.42 грн |
250+ | 9.33 грн |
308+ | 8.88 грн |
500+ | 8.52 грн |
RS1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RS1G-ONS SMD universal diodes
RS1G-ONS SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Power dissipation: 1.19W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: DO214AC; SMA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 250ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Max. forward impulse current: 30A
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 250ns
Power dissipation: 1.19W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Max. off-state voltage: 0.6kV
Case: DO214AC; SMA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 25.12 грн |
17+ | 17.14 грн |
25+ | 13.10 грн |
50+ | 10.85 грн |
100+ | 9.15 грн |
145+ | 7.36 грн |
397+ | 6.91 грн |
RS1K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RS1K-ONS SMD universal diodes
RS1K-ONS SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RS1M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Capacitance: 10pF
Power dissipation: 1.19W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 500ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.3V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Capacitance: 10pF
Power dissipation: 1.19W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4937 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.18 грн |
19+ | 14.72 грн |
50+ | 10.67 грн |
100+ | 9.42 грн |
171+ | 6.19 грн |
468+ | 5.83 грн |
RSL10-002GEVB |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RSL10-002GEVB Development kits - others
RSL10-002GEVB Development kits - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSL10-COIN-GEVB |
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: RSL10
Type of accessories for development kits: expansion board
Kit contents: prototype board
Components: RSL10
Kind of connector: CR2032
development kits accessories features: Bluetooth board
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Development kits - others
Description: Expansion board; prototype board; Comp: RSL10
Type of accessories for development kits: expansion board
Kit contents: prototype board
Components: RSL10
Kind of connector: CR2032
development kits accessories features: Bluetooth board
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSL10-SENSE-DB-GEVK |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; Bluetooth board
Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10
Type of development kit: evaluation
Programmers and development kits features: Bluetooth board
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; Bluetooth board
Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10
Type of development kit: evaluation
Programmers and development kits features: Bluetooth board
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSL10-SENSE-GEVK |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; Bluetooth board
Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10
Type of development kit: evaluation
Programmers and development kits features: Bluetooth board
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; Bluetooth board
Components: BHI150; BHI160; BME680; INMP522; N24RF64; NOA1305; RSL10
Type of development kit: evaluation
Programmers and development kits features: Bluetooth board
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSL10-SIP-001GEVB |
Виробник: ONSEMI
RSL10-SIP-001GEVB Development kits - others
RSL10-SIP-001GEVB Development kits - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RSL10-USB001GEVK |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RSL10-USB001GEVK Development kits - others
RSL10-USB001GEVK Development kits - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RURP15100-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
RURP15100-F085 THT universal diodes
RURP15100-F085 THT universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S100 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 100V; 1A; reel,tape
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMA
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 0.85V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 100V; 1A; reel,tape
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SMA
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 0.85V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S110FA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S110FA SMD Schottky diodes
S110FA SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S110FP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S110FP SMD Schottky diodes
S110FP SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S115FA |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S115FA SMD Schottky diodes
S115FA SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S115FP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S115FP SMD Schottky diodes
S115FP SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S1AFL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1AFL-ONS SMD universal diodes
S1AFL-ONS SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S1B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1B-ONS SMD universal diodes
S1B-ONS SMD universal diodes
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.51 грн |
176+ | 5.98 грн |
483+ | 5.66 грн |
7500+ | 5.64 грн |
S1BFL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1BFL-ONS SMD universal diodes
S1BFL-ONS SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S1D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1D-ONS SMD universal diodes
S1D-ONS SMD universal diodes
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.22 грн |
194+ | 5.43 грн |
532+ | 5.13 грн |
1000+ | 5.12 грн |
S1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1G-FAI SMD universal diodes
S1G-FAI SMD universal diodes
на замовлення 6783 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.81 грн |
182+ | 5.83 грн |
499+ | 5.47 грн |
S1K |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1K-ONS SMD universal diodes
S1K-ONS SMD universal diodes
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 24.05 грн |
176+ | 5.98 грн |
483+ | 5.65 грн |
7500+ | 5.64 грн |
S1M |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1M-FAI SMD universal diodes
S1M-FAI SMD universal diodes
на замовлення 7157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 19.07 грн |
226+ | 4.66 грн |
620+ | 4.40 грн |
S1MFL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
S1MFL-ONS SMD universal diodes
S1MFL-ONS SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
S210 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 100V; 2A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SMB
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 0.85V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 100V; 2A; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SMB
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 0.85V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.