Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147473) > Сторінка 1888 з 2458

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1883 1884 1885 1886 1887 1888 1889 1890 1891 1892 1893 1960 2205 2450 2458  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SA1552S-TL-E 2SA1552S-TL-E ONSEMI ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.13 грн
13+66.03 грн
100+45.08 грн
500+36.82 грн
1000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-H 2SA1552S-TL-H ONSEMI ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.56 грн
10+85.15 грн
100+56.01 грн
500+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-H 2SA1552S-TL-H ONSEMI ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.01 грн
500+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-E 2SA1552S-TL-E ONSEMI ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.08 грн
500+36.82 грн
1000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1593S-E 2SA1593S-E ONSEMI EN2511-D.PDF Description: ONSEMI - 2SA1593S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1593
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1593T-TL-E 2SA1593T-TL-E ONSEMI EN2511-D.PDF Description: ONSEMI - 2SA1593T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1593
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401BU 2N4401BU ONSEMI 2303839.pdf Description: ONSEMI - 2N4401BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TF 2N4401TF ONSEMI ONSM-S-A0013298742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N4401TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 999mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+22.29 грн
66+12.77 грн
100+8.43 грн
500+5.76 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TFR 2N4401TFR ONSEMI ONSM-S-A0013298742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N4401TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+14.36 грн
107+7.87 грн
125+6.69 грн
500+5.25 грн
1000+4.50 грн
5000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TAR 2N4401TAR ONSEMI MMBT4401-D.PDF Description: ONSEMI - 2N4401TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+15.11 грн
81+10.35 грн
124+6.77 грн
500+5.33 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
LA4425A-E LA4425A-E ONSEMI 1878950.pdf Description: ONSEMI - LA4425A-E - Audioleistungsverstärker, 5 W, AB, 1 Kanal, 5V bis 16V, SIP, 5 Pin(s)
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Versorgungsspannung: 5V bis 16V
Bauform - Verstärker: SIP
Betriebstemperatur, min.: -30
Lastimpedanz: 4
Verstärkerklasse: AB
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Ausgangsleistung: 5
Betriebstemperatur, max.: 80
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14023BDR2G NLV14023BDR2G ONSEMI MC14001B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14023BDR2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Drei, 3 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4023
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4023
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT08SC 74ACT08SC ONSEMI 2303969.pdf Description: ONSEMI - 74ACT08SC - AND-Gatter, 74ACT08, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.98 грн
14+61.27 грн
100+41.57 грн
500+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NCV-RSL10-101Q48-AVG NCV-RSL10-101Q48-AVG ONSEMI NCV-RSL10-D.PDF Description: ONSEMI - NCV-RSL10-101Q48-AVG - HF-Transceiver, 2.36GHz bis 2.5GHz, 2MB/s, -94dBm, QFNW-48, -40°C bis 105°C
Übertragungsstrom: 4.3
Bauform - HF-IC: QFNW
Ausgangsleistung (dBm): -94
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.36
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.18
Empfangsstrom: 2.7
Empfindlichkeit (dBm): -94
HF/IF-Modulation: 4FSK, DSSS, FSK, GFSK, MSK, O-QPSK
Anzahl der Pins: 48
Übertragungsrate: 2
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.3
Frequenz, max.: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5115VI-50-GT3 CAT5115VI-50-GT3 ONSEMI CAT5115-D.PDF Description: ONSEMI - CAT5115VI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5115VI-00-GT3 CAT5115VI-00-GT3 ONSEMI CAT5115-D.PDF Description: ONSEMI - CAT5115VI-00-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER , 32-TAP 100 K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE5534ADG NE5534ADG ONSEMI 2160703.pdf Description: ONSEMI - NE5534ADG - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Spannungsanstieg: 13
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
Betriebstemperatur, min.: 0
Betriebstemperatur, max.: 70
Bandbreite: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE5534DG NE5534DG ONSEMI 2160703.pdf Description: ONSEMI - NE5534DG - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Spannungsanstieg: 13
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
Betriebstemperatur, min.: 0
Betriebstemperatur, max.: 70
Bandbreite: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE5534DR2G NE5534DR2G ONSEMI NE5534-D.PDF Description: ONSEMI - NE5534DR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Spannungsanstieg: 13
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 10
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE5534ADR2G NE5534ADR2G ONSEMI ONSM-S-A0016042830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NE5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 13V/µs
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 10MHz
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.04 грн
15+55.93 грн
100+38.57 грн
500+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SZNUD3160LT1G SZNUD3160LT1G ONSEMI 2236876.pdf Description: ONSEMI - SZNUD3160LT1G - Relaistreiber, induktive Last, 61V bis 70V Drain/Source-Spannung, 150mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 150mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.50 грн
21+39.90 грн
100+27.05 грн
500+22.63 грн
1000+18.39 грн
2500+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD7205DT5G SZESD7205DT5G ONSEMI 2290228.pdf Description: ONSEMI - SZESD7205DT5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 12.5 V, SOT-723, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.41 грн
25+34.56 грн
100+18.95 грн
500+16.36 грн
1000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SURS8160T3G SURS8160T3G ONSEMI 1708331.pdf Description: ONSEMI - SURS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 2 A, 1.25 V, 50 ns, 35 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassspannung Vf max.: 1.25
Diodenkonfiguration: -
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SURS8160T3G SURS8160T3G ONSEMI 1708331.pdf Description: ONSEMI - SURS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 2 A, 1.25 V, 50 ns, 35 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassspannung Vf max.: 1.25
Diodenkonfiguration: -
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1 AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1 ONSEMI AR0144-D.PDF Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR2 AR0144CSSC00SUKA0-CPBR2 ONSEMI AR0144-D.PDF Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR2 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0144CSSC20SUKA0-CPBR AR0144CSSC20SUKA0-CPBR ONSEMI AR0144-D.PDF Description: ONSEMI - AR0144CSSC20SUKA0-CPBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR AR0144CSSC00SUKA0-CPBR ONSEMI AR0144-D.PDF Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
J112-D26Z J112-D26Z ONSEMI ONSM-S-A0013775431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - J112-D26Z - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -5 V, TO-226AA, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.99 грн
50+24.12 грн
100+13.52 грн
500+11.94 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NB3N3020DTG NB3N3020DTG ONSEMI 1878607.pdf Description: ONSEMI - NB3N3020DTG - Taktvervielfacher, 210MHz, LVPECL / LVCMOS, 3.3V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 210MHz
Betriebstemperatur, min.: 40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.97V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktvervielfacher
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+882.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NL7SZ57DFT2G NL7SZ57DFT2G ONSEMI 730353.pdf Description: ONSEMI - NL7SZ57DFT2G - Multifunktions-Logikgatter, 3 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-88
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7SZ57
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+24.21 грн
80+10.43 грн
152+5.51 грн
500+4.26 грн
1000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75345P3 HUF75345P3 ONSEMI 2303923.pdf Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.43 грн
10+126.89 грн
100+98.50 грн
500+90.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545P3 HUF75545P3 ONSEMI ONSM-S-A0013297654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.60 грн
10+202.01 грн
100+131.06 грн
500+99.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639G3 HUF75639G3 ONSEMI ONSM-S-A0013933681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+343.93 грн
10+267.13 грн
100+190.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639P3.. HUF75639P3.. ONSEMI ONSM-S-A0013933681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75639P3.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75652G3 HUF75652G3 ONSEMI ONSM-S-A0013297174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75652G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 515
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL594CDR2G TL594CDR2G ONSEMI 168318.pdf Description: ONSEMI - TL594CDR2G - PWM-Controller, Festfrequenz, 7V bis 40V Versorgungsspannung, 40kHz, 5.3Vin, 500mAout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 300kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 1kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 40kHz
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Topologie: Flyback, Forward
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: 50%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.99 грн
13+68.79 грн
50+60.60 грн
100+48.60 грн
250+41.43 грн
500+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79-C12 BZX79-C12 ONSEMI ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79-C12 - Zener-Diode, 12 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+11.60 грн
118+7.13 грн
348+2.40 грн
500+2.08 грн
1000+1.78 грн
5000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BD680G BD680G ONSEMI 1912207.pdf Description: ONSEMI - BD680G - Darlington-Transistor, PNP, 80 V, 40 W, 4 A, TO-225AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.49 грн
13+68.70 грн
100+54.51 грн
500+41.47 грн
1000+34.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BD680AG. BD680AG. ONSEMI 1912207.pdf Description: ONSEMI - BD680AG. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 1
Bauform - Transistor: TO-225AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2210-1E 2SA2210-1E ONSEMI 2578317.pdf Description: ONSEMI - 2SA2210-1E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 20 A, 30 W, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.42 грн
11+79.72 грн
100+72.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2222SG 2SA2222SG ONSEMI ena1799-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA2222SG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 25 W, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.52 грн
10+87.65 грн
100+47.83 грн
500+34.73 грн
1000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2SA2125-TD-E ONSEMI 2sa2125-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.83 грн
22+38.23 грн
100+24.46 грн
500+17.44 грн
1000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2039-E 2SA2039-E ONSEMI en6912-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA2039-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 306442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E ONSEMI en6913-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.31 грн
14+60.27 грн
100+46.16 грн
500+42.01 грн
1000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2040-TL-E 2SA2040-TL-E ONSEMI en6913-d.pdf Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.16 грн
500+42.01 грн
1000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.70 грн
18+46.83 грн
100+30.80 грн
500+22.17 грн
1000+18.39 грн
5000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E ONSEMI ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.80 грн
500+22.17 грн
1000+18.39 грн
5000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81080DR2G NCP81080DR2G ONSEMI 2571978.pdf Description: ONSEMI - NCP81080DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 5.5V-20V Versorgung, 800mAout, 30ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 800
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 5.5
Quellstrom: 500
Spitzenausgangsstrom: 800
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 44
Ausgabeverzögerung: 30
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.25 грн
10+124.38 грн
100+95.16 грн
500+61.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1252BDR2G NCP1252BDR2G ONSEMI 2160813.pdf Description: ONSEMI - NCP1252BDR2G - PWM-Controller, Current-Mode, 9V bis 28V Versorgungsspannung, 500kHz, 800mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 500kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 50kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Flyback, Forward
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 84%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N5371BRLG 1N5371BRLG ONSEMI 1n5333b-d.pdf Description: ONSEMI - 1N5371BRLG - Zener-Diode, 60 V, 5 W, T-18, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: T-18
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5371
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.97 грн
38+22.54 грн
100+12.94 грн
500+11.16 грн
1000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14077BDR2G NLV14077BDR2G ONSEMI MC14070B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14077BDR2G - Logik-IC, XNOR (Exclusive NOR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4077
Logikfunktion: XNOR (Exclusive NOR)
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4077
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14077BDG NLV14077BDG ONSEMI MC14070B-D.PDF Description: ONSEMI - NLV14077BDG - Logik-IC, XNOR (Exclusive NOR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4077
Logikfunktion: XNOR (Exclusive NOR)
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4077
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344G3 HUF75344G3 ONSEMI ONSM-S-A0013297978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.86 грн
10+183.65 грн
100+156.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QED234 QED234 ONSEMI 2287890.pdf Description: ONSEMI - QED234 - Infrarot-Emitter, 940 nm, 40 °, T-1 3/4 (5mm), 27 mW/Sr, 1 µs, 1 µs
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Durchlassspannung Vf max.: 1.6V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 1µs
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 940nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 27mW/Sr
Halbwertswinkel: 40°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 1µs
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.42 грн
29+29.13 грн
35+24.38 грн
50+18.29 грн
100+12.81 грн
500+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB302BUCX FUSB302BUCX ONSEMI 2313408.pdf Description: ONSEMI - FUSB302BUCX - USB-Schnittstelle, Programmierbarer USB-C-Controller, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 9 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: Programmierbarer USB-C-Controller
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.54 грн
18+47.58 грн
100+35.81 грн
500+28.53 грн
1000+24.90 грн
2500+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB302TGEVB FUSB302TGEVB ONSEMI 2620364.pdf Description: ONSEMI - FUSB302TGEVB - Evaluationsboard FUSB302TMPX, USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C
Prozessorkern: FUSB302TMPX
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FUSB302TMPX
Unterart Anwendung: USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70LT3G BAV70LT3G ONSEMI 2236789.pdf Description: ONSEMI - BAV70LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+8.11 грн
229+3.66 грн
264+3.16 грн
1000+1.66 грн
5000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
D45H11G D45H11G ONSEMI ONSM-S-A0014467242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.49 грн
12+71.37 грн
100+40.74 грн
500+26.04 грн
1000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G BC850BLT1G ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+8.77 грн
148+5.66 грн
262+3.19 грн
500+2.29 грн
1500+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-E ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1552S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.13 грн
13+66.03 грн
100+45.08 грн
500+36.82 грн
1000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-H ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1552S-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.56 грн
10+85.15 грн
100+56.01 грн
500+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-H ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1552S-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.01 грн
500+45.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1552S-TL-E ONSM-S-A0000136312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1552S-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1552S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.08 грн
500+36.82 грн
1000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1593S-E EN2511-D.PDF
2SA1593S-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1593S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1593
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1593T-TL-E EN2511-D.PDF
2SA1593T-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1593T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1593
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401BU 2303839.pdf
2N4401BU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TF ONSM-S-A0013298742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N4401TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401TF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 999 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 999mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+22.29 грн
66+12.77 грн
100+8.43 грн
500+5.76 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TFR ONSM-S-A0013298742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N4401TFR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401TFR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+14.36 грн
107+7.87 грн
125+6.69 грн
500+5.25 грн
1000+4.50 грн
5000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
2N4401TAR MMBT4401-D.PDF
2N4401TAR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4401TAR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+15.11 грн
81+10.35 грн
124+6.77 грн
500+5.33 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
LA4425A-E 1878950.pdf
LA4425A-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LA4425A-E - Audioleistungsverstärker, 5 W, AB, 1 Kanal, 5V bis 16V, SIP, 5 Pin(s)
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Versorgungsspannung: 5V bis 16V
Bauform - Verstärker: SIP
Betriebstemperatur, min.: -30
Lastimpedanz: 4
Verstärkerklasse: AB
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Ausgangsleistung: 5
Betriebstemperatur, max.: 80
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14023BDR2G MC14001B-D.PDF
NLV14023BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14023BDR2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Drei, 3 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4023
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4023
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 3
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Drei
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ACT08SC 2303969.pdf
74ACT08SC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74ACT08SC - AND-Gatter, 74ACT08, 2 Eingänge, 24mA, 4.5V bis 5.5V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74ACT
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74ACT08
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.98 грн
14+61.27 грн
100+41.57 грн
500+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NCV-RSL10-101Q48-AVG NCV-RSL10-D.PDF
NCV-RSL10-101Q48-AVG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV-RSL10-101Q48-AVG - HF-Transceiver, 2.36GHz bis 2.5GHz, 2MB/s, -94dBm, QFNW-48, -40°C bis 105°C
Übertragungsstrom: 4.3
Bauform - HF-IC: QFNW
Ausgangsleistung (dBm): -94
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.36
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.18
Empfangsstrom: 2.7
Empfindlichkeit (dBm): -94
HF/IF-Modulation: 4FSK, DSSS, FSK, GFSK, MSK, O-QPSK
Anzahl der Pins: 48
Übertragungsrate: 2
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.3
Frequenz, max.: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5115VI-50-GT3 CAT5115-D.PDF
CAT5115VI-50-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5115VI-50-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER (POT), 32-TAP 50K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5115VI-00-GT3 CAT5115-D.PDF
CAT5115VI-00-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5115VI-00-GT3 - DIGITAL POTENTIOMETER , 32-TAP 100 K
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE5534ADG 2160703.pdf
NE5534ADG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5534ADG - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Spannungsanstieg: 13
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
Betriebstemperatur, min.: 0
Betriebstemperatur, max.: 70
Bandbreite: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE5534DG 2160703.pdf
NE5534DG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5534DG - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Spannungsanstieg: 13
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
Anzahl der Pins: 8
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
Betriebstemperatur, min.: 0
Betriebstemperatur, max.: 70
Bandbreite: 10
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE5534DR2G NE5534-D.PDF
NE5534DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5534DR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, SOIC, 8 Pin(s)
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: 0
Spannungsanstieg: 13
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bandbreite: 10
Betriebstemperatur, max.: 70
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NE5534ADR2G ONSM-S-A0016042830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NE5534ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NE5534ADR2G - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 10 MHz, 13 V/µs, ± 3V bis ± 20V, NSOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: ± 3V bis ± 20V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: 0°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 13V/µs
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 10MHz
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.04 грн
15+55.93 грн
100+38.57 грн
500+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SZNUD3160LT1G 2236876.pdf
SZNUD3160LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZNUD3160LT1G - Relaistreiber, induktive Last, 61V bis 70V Drain/Source-Spannung, 150mAout, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 150mA
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 60V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.50 грн
21+39.90 грн
100+27.05 грн
500+22.63 грн
1000+18.39 грн
2500+15.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD7205DT5G 2290228.pdf
SZESD7205DT5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD7205DT5G - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 12.5 V, SOT-723, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-723
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12.5V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.41 грн
25+34.56 грн
100+18.95 грн
500+16.36 грн
1000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SURS8160T3G 1708331.pdf
SURS8160T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SURS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 2 A, 1.25 V, 50 ns, 35 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassspannung Vf max.: 1.25
Diodenkonfiguration: -
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SURS8160T3G 1708331.pdf
SURS8160T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SURS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 2 A, 1.25 V, 50 ns, 35 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassspannung Vf max.: 1.25
Diodenkonfiguration: -
Sperrerholzeit Trr, max.: 50
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 35
Betriebstemperatur, max.: 175
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1 AR0144-D.PDF
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR1 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR2 AR0144-D.PDF
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR2 - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0144CSSC20SUKA0-CPBR AR0144-D.PDF
AR0144CSSC20SUKA0-CPBR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC20SUKA0-CPBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR AR0144-D.PDF
AR0144CSSC00SUKA0-CPBR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0144CSSC00SUKA0-CPBR - Bildsensor, Global Shutter, 1280 x 800, 3µm x 3µm, 60 Bilder/s, RGB, ODCSP, 69 Pins
Pixelgröße (H x B): 3µm x 3µm
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
Bildfarbe: RGB
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Sensor: ODCSP
Anzahl der Pins: 69
Produktpalette: -
Aktiver Pixelbereich: 1280 x 800
Bildrate, Bilder pro Sek.: 60
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
J112-D26Z ONSM-S-A0013775431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
J112-D26Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - J112-D26Z - JFET-Transistor, JFET, -35 V, -5 V, TO-226AA, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 5mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.99 грн
50+24.12 грн
100+13.52 грн
500+11.94 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NB3N3020DTG 1878607.pdf
NB3N3020DTG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NB3N3020DTG - Taktvervielfacher, 210MHz, LVPECL / LVCMOS, 3.3V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Takt-IC: TSSOP
Frequenz: 210MHz
Betriebstemperatur, min.: 40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.97V
euEccn: NLR
Takt-IC: Taktvervielfacher
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+882.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NL7SZ57DFT2G 730353.pdf
NL7SZ57DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL7SZ57DFT2G - Multifunktions-Logikgatter, 3 Eingänge, 1.65V bis 5.5V, SC-88-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Konfigurierbares Multifunktionsgatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-88
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7SZ57
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+24.21 грн
80+10.43 грн
152+5.51 грн
500+4.26 грн
1000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75345P3 2303923.pdf
HUF75345P3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+154.43 грн
10+126.89 грн
100+98.50 грн
500+90.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75545P3 ONSM-S-A0013297654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HUF75545P3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75545P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.60 грн
10+202.01 грн
100+131.06 грн
500+99.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639G3 ONSM-S-A0013933681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HUF75639G3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+343.93 грн
10+267.13 грн
100+190.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639P3.. ONSM-S-A0013933681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HUF75639P3..
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639P3.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75652G3 ONSM-S-A0013297174-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HUF75652G3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75652G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 515
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL594CDR2G 168318.pdf
TL594CDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TL594CDR2G - PWM-Controller, Festfrequenz, 7V bis 40V Versorgungsspannung, 40kHz, 5.3Vin, 500mAout, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 300kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 1kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 40kHz
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Double-Ended-Regler (doppelseitig)
Topologie: Flyback, Forward
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Voltage-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Tastverhältnis, max.: 50%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.99 грн
13+68.79 грн
50+60.60 грн
100+48.60 грн
250+41.43 грн
500+37.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BZX79-C12 ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79-C12
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C12 - Zener-Diode, 12 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+11.60 грн
118+7.13 грн
348+2.40 грн
500+2.08 грн
1000+1.78 грн
5000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BD680G 1912207.pdf
BD680G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD680G - Darlington-Transistor, PNP, 80 V, 40 W, 4 A, TO-225AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.49 грн
13+68.70 грн
100+54.51 грн
500+41.47 грн
1000+34.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BD680AG. 1912207.pdf
BD680AG.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD680AG. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Darlington, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 40
Übergangsfrequenz ft: 1
Bauform - Transistor: TO-225AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2210-1E 2578317.pdf
2SA2210-1E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2210-1E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 20 A, 30 W, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.42 грн
11+79.72 грн
100+72.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2222SG ena1799-d.pdf
2SA2222SG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2222SG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 10 A, 25 W, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.52 грн
10+87.65 грн
100+47.83 грн
500+34.73 грн
1000+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-E 2sa2125-d.pdf
2SA2125-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.83 грн
22+38.23 грн
100+24.46 грн
500+17.44 грн
1000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2039-E en6912-d.pdf
2SA2039-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2039-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 306442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2040-TL-E en6913-d.pdf
2SA2040-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.31 грн
14+60.27 грн
100+46.16 грн
500+42.01 грн
1000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2040-TL-E en6913-d.pdf
2SA2040-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2040-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.16 грн
500+42.01 грн
1000+28.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2013-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.70 грн
18+46.83 грн
100+30.80 грн
500+22.17 грн
1000+18.39 грн
5000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2013-TD-E ONSMS36373-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA2013-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.80 грн
500+22.17 грн
1000+18.39 грн
5000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81080DR2G 2571978.pdf
NCP81080DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81080DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 5.5V-20V Versorgung, 800mAout, 30ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: 800
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 5.5
Quellstrom: 500
Spitzenausgangsstrom: 800
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 44
Ausgabeverzögerung: 30
Betriebstemperatur, max.: 140
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.25 грн
10+124.38 грн
100+95.16 грн
500+61.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1252BDR2G 2160813.pdf
NCP1252BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1252BDR2G - PWM-Controller, Current-Mode, 9V bis 28V Versorgungsspannung, 500kHz, 800mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: 500kHz
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: 50kHz
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Flyback, Forward
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Tastverhältnis, min.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Tastverhältnis, max.: 84%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1N5371BRLG 1n5333b-d.pdf
1N5371BRLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5371BRLG - Zener-Diode, 60 V, 5 W, T-18, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: T-18
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5371
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+28.97 грн
38+22.54 грн
100+12.94 грн
500+11.16 грн
1000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14077BDR2G MC14070B-D.PDF
NLV14077BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14077BDR2G - Logik-IC, XNOR (Exclusive NOR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4077
Logikfunktion: XNOR (Exclusive NOR)
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4077
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV14077BDG MC14070B-D.PDF
NLV14077BDG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14077BDG - Logik-IC, XNOR (Exclusive NOR), Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4077
Logikfunktion: XNOR (Exclusive NOR)
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4077
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75344G3 ONSM-S-A0013297978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HUF75344G3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75344G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+308.86 грн
10+183.65 грн
100+156.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
QED234 2287890.pdf
QED234
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QED234 - Infrarot-Emitter, 940 nm, 40 °, T-1 3/4 (5mm), 27 mW/Sr, 1 µs, 1 µs
tariffCode: 85414100
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Durchlassspannung Vf max.: 1.6V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Abfallzeit tf: 1µs
MSL: -
usEccn: EAR99
Spitzenwellenlänge: 940nm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Strahlungsintensität (Ie): 27mW/Sr
Halbwertswinkel: 40°
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anstiegszeit: 1µs
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.42 грн
29+29.13 грн
35+24.38 грн
50+18.29 грн
100+12.81 грн
500+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB302BUCX 2313408.pdf
FUSB302BUCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FUSB302BUCX - USB-Schnittstelle, Programmierbarer USB-C-Controller, 2.7 V, 5.5 V, WLCSP, 9 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: Programmierbarer USB-C-Controller
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Übertragungsrate: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+118.54 грн
18+47.58 грн
100+35.81 грн
500+28.53 грн
1000+24.90 грн
2500+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FUSB302TGEVB 2620364.pdf
FUSB302TGEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FUSB302TGEVB - Evaluationsboard FUSB302TMPX, USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C
Prozessorkern: FUSB302TMPX
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FUSB302TMPX
Unterart Anwendung: USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70LT3G 2236789.pdf
BAV70LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV70LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+8.11 грн
229+3.66 грн
264+3.16 грн
1000+1.66 грн
5000+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
D45H11G ONSM-S-A0014467242-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
D45H11G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D45H11G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 80 V, 10 A, 70 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.49 грн
12+71.37 грн
100+40.74 грн
500+26.04 грн
1000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BC850BLT1G 2237008.pdf
BC850BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC850BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+8.77 грн
148+5.66 грн
262+3.19 грн
500+2.29 грн
1500+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1883 1884 1885 1886 1887 1888 1889 1890 1891 1892 1893 1960 2205 2450 2458  [ Наступна Сторінка >> ]